芯片机构及桥堆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片机构及桥堆，涉及整流桥的技术领域。芯片机构包括电极组件、第一绝缘件和第二绝缘件，所述电极组件包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述第二电极层相贴合，所述第一绝缘件贯穿于所述第一电极层，并伸入于所述第二电极层，所述第一绝缘件将所述第一电极层分割成相互独立的第一极和第二极；所述第二绝缘件附着于所述第一绝缘件和所述第一电极层，所述第二绝缘件朝向所述第一绝缘件的正投影覆盖于所述第一绝缘件。本实用新型专利技术解决了现有芯片机构的个体差异较大以及在整合封装成桥堆后一致性较差的技术问题。技术问题。技术问题。

【技术实现步骤摘要】
芯片机构及桥堆


[0001]本技术涉及整流桥的
，尤其涉及一种芯片机构及桥堆。

技术介绍

[0002]桥堆是由四个整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘塑料封装而成的一种产品，主要作用是用于整流，调整电流方向。现有的这种桥堆，由于单个芯片机构的个体差异，导致电性参数存在一定的区别，进而在整合封装成桥堆后，桥堆的参数一致性较差。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供了一种芯片机构及桥堆，用于解决现有芯片机构的个体差异较大以及在整合封装成桥堆后一致性较差的技术问题。
[0004]一种芯片机构，包括电极组件、第一绝缘件和第二绝缘件，所述电极组件包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述第二电极层相贴合，所述第一绝缘件贯穿于所述第一电极层，并伸入于所述第二电极层，所述第一绝缘件将所述第一电极层分割成相互独立的第一极和第二极；所述第二绝缘件附着于所述第一绝缘件和所述第一电极层，所述第二绝缘件朝向所述第一绝缘件的正投影覆盖于所述第一绝缘件。
[0005]在所述芯片机构的一些实施例中，所述第一绝缘件包括第一插入件和第二插入件，所述第一插入件沿所述第一电极层周向环设贯穿于所述第一电极层；所述第二插入件一端固定连接于所述第一插入件一侧，另一端固定连接于所述第一插入件另一侧，以配合所述第一插入件将所述第一电极层分割成所述第一极和所述第二极。
[0006]在所述芯片机构的一些实施例中，所述第一极与所述第二极形状大小相同。
[0007]在所述芯片机构的一些实施例中，所述第一绝缘件靠近所述第二绝缘件端面与所述第一电极层远离所述第二电极层的表面相平。
[0008]在所述芯片机构的一些实施例中，所述第二绝缘件相对所述第一绝缘件表面设有凸起，所述凸起嵌于所述第一绝缘件。
[0009]在所述芯片机构的一些实施例中，所述芯片机构还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层固定附着于所述第一极，所述第二导电层固定附着于所述第二极。
[0010]在所述芯片机构的一些实施例中，所述芯片机构还包括第三导电层，所述第三导电层固定附着于所述第二电极层远离所述第一电极层的表面。
[0011]在所述芯片机构的一些实施例中，所述芯片机构还包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚一端固连于所述第一导电层，另一端伸出于所述第一电极层；所述第二引脚一端固连于所述第二导电层，另一端伸出于所述第一电极层。
[0012]在所述芯片机构的一些实施例中，所述芯片机构还包括第三引脚，所述第三引脚一端固连于所述第三导电层，另一端伸出于所述第二电极层。
[0013]一种桥堆，包括上述实施例中的芯片机构，所述芯片机构的数量为两个，分别为第一芯片和第二芯片，所述第一芯片中的所述第一电极层为正极层，所述第二电极层为负极
层；所述第二芯片中的所述第一电极层为负极层，所述第二电极层为正极层；所述第一芯片中的正极层与所述第二芯片中的负极层相对设置。
[0014]实施本技术实施例，将具有如下有益效果：
[0015]上述芯片机构应用于桥堆，除了使桥堆具有一致性好的效果，其自身还具有个体差异小、芯片可靠性高的效果，具体而言，芯片机构包括电极组件、第一绝缘件和第二绝缘件，电极组件包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层可分别为正负极，第一绝缘件贯穿于第一电极层，并伸入于第二电极层，第一绝缘件用于将第一电极层分割形成两个相互独立的第一极和第二极，从而避免第一极和第二极相导通，再通过将第二绝缘件附着于第一绝缘件上，能够进一步将第一极和第二极之间绝缘，起到钝化的效果，能够在后续的芯片加工工序中，如烧结工序，通过将第二绝缘件附着于第一绝缘件和第一电极层，并且第二绝缘件朝向第一绝缘件的正投影覆盖于第一绝缘件，能够避免因第一绝缘件收缩、损坏而导致绝缘失效，从而提高了良品率以及芯片机构的可靠性，解决了现有芯片机构的个体差异较大以及在整合封装成桥堆后一致性较差的技术问题。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为一个实施例中芯片机构的部分结构示意图；
[0018]图2为图1所示芯片机构A
‑
A部分的截面剖视示意图；
[0019]图3为一个实施例中芯片机构的部分结构示意图；
[0020]图4为一个实施例中芯片机构的部分结构示意图；
[0021]图5为一个实施例中两个芯片机构组合成桥堆的结构示意图。
[0022]其中：1、第一电极层；111、第一极；112、第二极；2、第二电极层；21、负离子层；22、正离子层；3、第一绝缘件；31、第一插入件；32、第二插入件； 4、第二绝缘件；41、凸起；5、第一导电层；6、第二导电层；7、第一引脚；8、第二引脚；9、第三引脚；100、锡膏。
具体实施方式
[0023]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以通过许多其他不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0024]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0025]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为
了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0026]现有的这种桥堆，由于单个芯片机构的个体差异，导致电性参数存在一定的区别，进而在整合封装成桥堆后，桥堆的参数一致性较差。
[0027]如图1
‑
2所示，在一种芯片机构实施例中，包括电极组件、第一绝缘件3和第二绝缘件4，电极组件包括第一电极层1和第二电极层2，第一电极层1与第二电极层2相贴合，第一绝缘件3贯穿于第一电极层1，并伸入于第二电极层2，第一绝缘件3用于将第一电极层1分割成相互独立的第一极111和第二极112；第二绝缘件4附着于第一绝缘件3和第一电极层1，第二绝缘件4朝向第一绝缘件3的正投影覆盖于第一绝缘件3。
[0028]在本实施例中，通过第一绝缘件3将第一电极层1分割形成两个相互独立的第一极111和第二极112，第一极111和第二极1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片机构，其特征在于：包括电极组件、第一绝缘件和第二绝缘件，所述电极组件包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述第二电极层相贴合，所述第一绝缘件贯穿于所述第一电极层，并伸入于所述第二电极层，所述第一绝缘件将所述第一电极层分割成相互独立的第一极和第二极；所述第二绝缘件附着于所述第一绝缘件和所述第一电极层，所述第二绝缘件朝向所述第一绝缘件的正投影覆盖于所述第一绝缘件。2.如权利要求1所述的芯片机构，其特征在于：所述第一绝缘件包括第一插入件和第二插入件，所述第一插入件沿所述第一电极层周向环设贯穿于所述第一电极层；所述第二插入件一端固定连接于所述第一插入件一侧，另一端固定连接于所述第一插入件另一侧，以配合所述第一插入件将所述第一电极层分割成所述第一极和所述第二极。3.如权利要求2所述的芯片机构，其特征在于：所述第一极与所述第二极形状大小相同。4.如权利要求3所述的芯片机构，其特征在于：所述第一绝缘件靠近所述第二绝缘件端面与所述第一电极层远离所述第二电极层的表面相平。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的芯片机构，其特征在于：所述第二绝缘件相对所述第一绝缘件表面设有凸起，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨旭日，赵宇，
申请(专利权)人：深圳市旭昌辉半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：