一种并联式共阳极TO封装制造技术

本发明专利技术涉及TO封装设备技术领域，提供了一种并联式共阳极TO封装，包括框架，框架侧壁上连接有第一引脚，且第一引脚的两端设置有多个与框架隔开的第二引脚；框架上设置有多个金属底片，且多个金属底片通过绝缘外框相互隔开，金属底片通过引线与第二引脚进行连接。本发明专利技术克服了现有技术的不足，设计合理，结构紧凑，解决了现有的TO封装都是串联共阴极的方式导致整个线路不具备大功率大电流能力的问题，本发明专利技术通过简单的结构组合，采用并联共阳极的方式能够与共阴极的二极管同时形成整流桥使用，具备大功率大电流的能力，提高了适用范围，同时采用共阴极的框架，提高了适配效果，减少了成本，同时极大的减少了空间，具有很强的实用性。具有很强的实用性。具有很强的实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种并联式共阳极TO封装


[0001]本专利技术涉及TO封装设备
，具体涉及一种并联式共阳极TO封装。

技术介绍

[0002]TO封装形式的半导体器件是半导体器件领域最为常见的器件封装形式之一，其中用TO封装形式封装二极管芯片是二极管器件的一种并联式共阳极TO封装常见形式。
[0003]现有技术中，采用中国专利CN201820103476.1公开了一种基于TO封装形式的串联式二极管器件，它包括至少两颗所述的二极管芯片(2)，在框架(1)的芯片焊接部设置有覆铜陶瓷片(3)，二极管芯片组中至少一颗二极管芯片(2)焊接于覆铜陶瓷片(3)表面。
[0004]上述连接方式存在以下问题：
[0005]1、对于芯片的连接采用的是串联共阴极的方式，也就是多个芯片共用一个阴极进行串联连接，造成整个线路不具备大功率大电流能力。
[0006]2、供阴极的TO封装连接结构复杂，不方便自动化加工，提高了工艺难度，同时需要采用定制的框架及加工过程中模具，在一定程度上提高了成本。同时生成成品外型尺寸跟现有TO封装外型尺寸还存在不同；
[0007]3、结构紧凑，散热困难，芯片极易因为工作发热烧坏。
[0008]为此，我们提出一种并联式共阳极TO封装。

技术实现思路

[0009](一)解决的技术问题
[0010]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种并联式共阳极TO封装，克服了现有技术的不足，设计合理，结构紧凑，解决了现有的TO封装都是串联共阴极的方式导致整个线路不具备大功率大电流能力的问题，本专利技术通过简单的结构组合，采用并联共阳极的方式能够与共阴极的二极管同时形成整流桥使用，具备大功率大电流的能力，提高了适用范围，同时采用共阴极的框架，提高了适配效果，减少了成本，同时极大的减少了空间，具有很强的实用性。
[0011](二)技术方案
[0012]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
[0013]一种并联式共阳极TO封装，包括框架，框架侧壁上连接有第一引脚，且第一引脚的两端设置有多个与框架隔开的第二引脚；
[0014]所述框架上设置有多个金属底片，且多个金属底片通过绝缘外框相互隔开，金属底片通过引线与第二引脚进行连接；
[0015]所述金属底片上连接有二极管芯片，多个二极管芯片通过引线与同一个第一引脚相互连接。
[0016]进一步的，所述绝缘外框为陶瓷材料。
[0017]进一步的，所述框架为金属材料一体锻造成型。
[0018]进一步的，所述框架上设置有与金属底片相对应的凹槽。
[0019]进一步的，所述框架和金属底片以及金属底片和二极管芯片之间均采用焊接连接。
[0020]进一步的，所述第二引脚和二极管芯片的数量相同，且二者相互对应。
[0021]进一步的，所述金属底片为导电金属。
[0022](三)有益效果
[0023]本专利技术实施例提供了一种并联式共阳极TO封装。具备以下有益效果：
[0024]1、具备大功率大电流的能力，提高了适用范围。采用共阳极并联的连接方式，他能够与共阴极的二极管同时形成整流桥使用，具备大功率大电流的能力，提高了适用范围。
[0025]2、采用共阳极的方式能够极大的减少成品应用安装空间。采用共阳极的方式，能够方便在一个框架中并联多个芯片，能够减少框架的数量，从而减少空间占用。
[0026]3、节省成本，采用共阳极并联的连接方式与共阴极连接方式，采用的框架相同，不需要另外在重新开模生产新的框架，极大的节省了成本。
[0027]4、方便加工，多个芯片都是平面铺设焊接，跟现有设备工艺兼容，实现高效生产和高质量控制，因此方便自动化加工，提高加工效率，降低工艺难度。
[0028]5、提高使用寿命。本专利中结构键合引线分离不相交，不会产线短路异常，通电工作自身电磁辐射极小，使得二极管更加稳定可靠，提高使用寿命。
[0029]6、结构开阔性，散热能力要强。绝缘外框为陶瓷材料，同时提高散热效果，提高使用寿命。
附图说明
[0030]图1为本专利技术结构示意图；
[0031]图2为本专利技术结构电路示意图示意图。
[0032]图中：框架1、第一引脚2、第二引脚3、金属底片4、绝缘外框5、二极管芯片6、引线7。
具体实施方式
[0033]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]参照附图1
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2，一种并联式共阳极TO封装，包括框架1，框架1为金属材料一体锻造成型，方便加工，框架1侧壁上连接有第一引脚2，且第一引脚2的两端设置有多个与框架1隔开的第二引脚3；
[0035]框架1上焊接有多个金属底片4，金属底片4为导电金属，且多个金属底片4通过绝缘外框5相互隔开，通过绝缘外框5将金属底片4进行隔开，防止两个金属底片4形成通路相互干扰，绝缘外框5为陶瓷材料，同时提高散热效果，提高使用寿命，金属底片4通过引线7与第二引脚3进行连接，第二引脚3和二极管芯片6的数量相同，且二者相互对应，金属底片4上焊接有二极管芯片6，多个二极管芯片6通过引线7与同一个第一引脚2相互连接，形成第二引脚3
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引线7
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金属底片4
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二极管芯片6
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引线7
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第一引脚2的并联共阳极的通路，采用共阳
极并联的连接方式，能够与共阴极的二极管同时形成整流桥使用，具备大功率大电流的能力，提高了适用范围。
[0036]本实施例中，如图2所示，采用共阳极的方式能够极大的减少空间，采用共阳极的方式，能够方便在一个框架中并联多个芯片，能够减少框架的数量，从而减少空间占用。
[0037]节省成本，采用共阳极并联的连接方式与共阴极连接方式，采用的框架1相同，不需要另外在重新开模生产新的框架1，极大的节省了成本。
[0038]方便加工，多个二极管芯片6都是平面铺设，跟现有设备工艺兼容，实现高效生产和高质量控制，因此方便自动化加工，提高加工效率，降低工艺难度。
[0039]提高使用寿命。本专利中结构键合引线分离不相交，不会产线短路异常，通电工作自身电磁辐射极小，使得二极管更加稳定可靠，提高使用寿命。
[0040]本实施例中，如图1所示，框架1上设置有与金属底片4相对应的凹槽，凹槽可以方便对金属底片4进行精准固定焊接。
[0041]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种并联式共阳极TO封装，包括框架，框架侧壁上连接有第一引脚，且第一引脚的两端设置有多个与框架隔开的第二引脚；其特征在于：所述框架上设置有多个金属底片，且多个金属底片通过绝缘外框相互隔开，金属底片通过引线与第二引脚进行连接；所述金属底片上连接有二极管芯片，多个二极管芯片通过引线与同一个第一引脚相互连接。2.如权利要求1所述的一种并联式共阳极TO封装，其特征在于：所述绝缘外框为陶瓷材料。3.如权利要求1所述的一种并联式共阳极TO封装，其特征在于：所述框...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹小勇，朱方杰，李赟，袁宏承，
申请(专利权)人：无锡格能微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：