【技术实现步骤摘要】
图案结构制作方法和掩膜结构
本申请涉及金属图案制作
,具体而言,涉及一种图案结构制作方法和掩膜结构。
技术介绍
金属图案的制作,一般会使用掩膜结构(mask)。但是,在制作金属图案时,对应的金属材料会附着在掩膜结构上,如此,使得再次基于所述掩膜结构制作金属图案时需要对掩膜结构上附着的金属材料进行清洗。其中,掩膜结构在经过清洗之后,会产生一定的损伤,降低使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种图案结构制作方法和掩膜结构,以提高掩膜结构的使用寿命。为实现上述目的,本申请实施例采用如下技术方案:一种图案结构制作方法,包括:提供一掩膜结构,其中,所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,所述第一基板包括开口区域和非开口区域,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;从所述金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构;分离出所述第二基板和所述金属结构,得到目标结构,其中,所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构,所述金属结构作为图案结构。在本申请实施例较佳的选择中,在上述图案结构制作方法中,在分离出所述第 ...
【技术保护点】
1.一种图案结构制作方法,其特征在于,包括:/n提供一掩膜结构,其中,所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,所述第一基板包括开口区域和非开口区域,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;/n在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;/n从所述金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构;/n分离出所述第二基板和所述金属结构,得到目标结构,其中,所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构,所述金属结构作为图案结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种图案结构制作方法,其特征在于,包括:
提供一掩膜结构,其中,所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,所述第一基板包括开口区域和非开口区域,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;
从所述金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构;
分离出所述第二基板和所述金属结构,得到目标结构,其中,所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构,所述金属结构作为图案结构。
2.根据权利要求1所述的图案结构制作方法,其特征在于,在分离出所述第二基板和所述金属结构之后,所述方法还包括:
在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性;
在所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧形成新的金属抑制结构,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成新的第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述新的第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;
从所述新的金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述新的第二基板靠近所述新的金属抑制结构的一侧形成新的金属结构;
分离出所述新的第二基板和所述新的金属结构,得到新的目标结构,其中,所述新的目标结构包括所述新的第二基板和所述新的金属结构,所述新的金属结构作为新的图案结构。
3.根据权利要求2所述的图案结构制作方法,其特征在于,在执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤之前,所述方法还包括:
确定所述金属抑制结构上的金属材料沉积量是否大于沉积量阈值;
若所述金属材料沉积量大于所述沉积量阈值,再执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏圣勋,刘强,刘亚伟,杜哲,
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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