图案结构制作方法和掩膜结构技术

技术编号:29149604 阅读:21 留言:0更新日期:2021-07-06 22:45
本申请提供的图案结构制作方法和掩膜结构,涉及金属图案制作技术领域。在本申请中,首先,提供一掩膜结构,其中,掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,第一基板包括开口区域和非开口区域,金属抑制结构用于抑制金属材料的附着。其次,在第一基板远离金属抑制结构的一侧形成第二基板。然后,通过开口区域在第二基板靠近金属抑制结构的一侧形成金属结构,最后,分离出第二基板和金属结构,得到目标结构。基于上述方法,可以提高掩膜结构的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
图案结构制作方法和掩膜结构
本申请涉及金属图案制作
,具体而言,涉及一种图案结构制作方法和掩膜结构。
技术介绍
金属图案的制作,一般会使用掩膜结构(mask)。但是,在制作金属图案时,对应的金属材料会附着在掩膜结构上,如此,使得再次基于所述掩膜结构制作金属图案时需要对掩膜结构上附着的金属材料进行清洗。其中,掩膜结构在经过清洗之后,会产生一定的损伤,降低使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种图案结构制作方法和掩膜结构,以提高掩膜结构的使用寿命。为实现上述目的,本申请实施例采用如下技术方案:一种图案结构制作方法,包括:提供一掩膜结构,其中,所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,所述第一基板包括开口区域和非开口区域,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;从所述金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构;分离出所述第二基板和所述金属结构,得到目标结构,其中,所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构,所述金属结构作为图案结构。在本申请实施例较佳的选择中,在上述图案结构制作方法中,在分离出所述第二基板和所述金属结构之后,所述方法还包括:在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性;在所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧形成新的金属抑制结构,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成新的第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述新的第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;从所述新的金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述新的第二基板靠近所述新的金属抑制结构的一侧形成新的金属结构;分离出所述新的第二基板和所述新的金属结构,得到新的目标结构,其中,所述新的目标结构包括所述新的第二基板和所述新的金属结构。在本申请实施例较佳的选择中,在上述图案结构制作方法中,在执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤之前,所述方法还包括:确定所述金属抑制结构上的金属材料沉积量是否大于沉积量阈值;若所述金属材料沉积量大于所述沉积量阈值,再执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤。在本申请实施例较佳的选择中,在上述图案结构制作方法中,所述金属附着结构的厚度大于或等于1nm,所述金属附着结构的材料为有机材料,其中,所述有机材料至少包括己内酰胺材料和有机发光材料中的至少一种。在本申请实施例较佳的选择中,在上述图案结构制作方法中,所述金属结构为发光单元的金属阴极结构,所述发光单元还包括发光层结构,所述发光层结构基于有机发光材料在蒸镀腔室内蒸镀形成;其中,在所述蒸镀腔室内蒸镀形成所述发光层结构之后,基于所述有机发光材料的蒸镀源蒸镀形成所述金属附着结构。在本申请实施例较佳的选择中,在上述图案结构制作方法中,所述金属抑制结构的材料为有机材料,所述蒸镀腔室内还具有所述金属抑制结构对应有机材料的蒸镀源;其中,所述金属抑制结构和所述金属附着结构通过有机材料蒸镀工艺在所述蒸镀腔室内分别基于对应的蒸镀源蒸镀形成。在本申请实施例较佳的选择中,在上述图案结构制作方法中,所述金属抑制结构的厚度大于或等于2nm,所述金属抑制结构的材料至少包括芳香类化合物。本申请实施例还提供了一种掩膜结构,所述掩膜结构包括:第一基板,其中,所述第一基板包括开口区域和非开口区域;位于所述第一基板一侧的金属抑制结构,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着。在本申请实施例较佳的选择中,在上述掩膜结构中,所述金属抑制结构的厚度大于或等于2nm,所述金属抑制结构的材料至少包括芳香类化合物。在本申请实施例较佳的选择中,在上述掩膜结构中,还包括:金属附着结构,所述金属附着结构位于所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性;新的金属抑制结构,所述新的金属抑制结构位于所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着。本申请提供的图案结构制作方法和掩膜结构,由于提供的掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,且金属抑制结构能够抑制金属材料的附着,使得在从金属抑制结构所在的一侧形成金属结构时,对应的金属材料难以在金属抑制结构上附着,如此,可以降低金属材料在掩膜结构上的积累量,从而降低对掩膜结构上的金属材料进行清洗的频次,进而改善由于清洗频次较高而导致掩膜结构的使用寿命降低的问题,使得可以有效提高掩膜结构的使用寿命。并且,由于金属材料难以在掩膜结构上附着,还可以避免由于过多的金属材料在掩膜结构上附着之后会掉落(peeling)而导致形成金属结构的环境氛围改变的问题,如此,使得制作形成的图案结构品质更高,具有较高的实用价值。为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。附图说明图1为本申请实施例提供的图案结构制作方法包括的各步骤的流程示意图。图2为图1所示的各步骤对应的工艺流程示意图。图3为本申请实施例提供的图案结构制作方法包括的其它步骤的流程示意图。图4为图3所示的各步骤对应的工艺流程示意图。图5为本申请实施例提供的掩膜结构制作方法包括的各步骤的流程示意图。图6为图5所示的各步骤对应的工艺流程示意图。图7为图5中步骤S220包括的各步骤的流程示意图。图8为图7所示的各步骤对应的工艺流程示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案结构制作方法,其特征在于,包括:/n提供一掩膜结构,其中,所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,所述第一基板包括开口区域和非开口区域,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;/n在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;/n从所述金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构;/n分离出所述第二基板和所述金属结构,得到目标结构,其中,所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构,所述金属结构作为图案结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种图案结构制作方法,其特征在于,包括:
提供一掩膜结构,其中,所述掩膜结构包括第一基板和金属抑制结构,所述第一基板包括开口区域和非开口区域,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;
从所述金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述第二基板靠近所述金属抑制结构的一侧形成金属结构;
分离出所述第二基板和所述金属结构,得到目标结构,其中,所述目标结构包括所述第二基板和所述金属结构,所述金属结构作为图案结构。


2.根据权利要求1所述的图案结构制作方法,其特征在于,在分离出所述第二基板和所述金属结构之后,所述方法还包括:
在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述金属附着结构在所述第一基板所在平面的投影中,且所述金属附着结构具有易于在金属材料上附着的属性;
在所述金属附着结构远离所述金属抑制结构的一侧形成新的金属抑制结构,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影之外,所述非开口区域位于所述新的金属抑制结构在所述第一基板所在平面的投影中,所述新的金属抑制结构用于抑制金属材料的附着;
在所述第一基板远离所述金属抑制结构的一侧形成新的第二基板,其中,所述开口区域的至少部分区域位于所述新的第二基板在所述第一基板所在平面的投影中;
从所述新的金属抑制结构所在的一侧,通过所述开口区域在所述新的第二基板靠近所述新的金属抑制结构的一侧形成新的金属结构;
分离出所述新的第二基板和所述新的金属结构,得到新的目标结构,其中,所述新的目标结构包括所述新的第二基板和所述新的金属结构,所述新的金属结构作为新的图案结构。


3.根据权利要求2所述的图案结构制作方法,其特征在于,在执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金属附着结构的步骤之前,所述方法还包括:
确定所述金属抑制结构上的金属材料沉积量是否大于沉积量阈值;
若所述金属材料沉积量大于所述沉积量阈值,再执行所述在所述金属抑制结构远离所述第一基板的一侧形成金...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏圣勋刘强刘亚伟杜哲
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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