制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置。为了制造蒸镀掩模而使用的金属板具有30μm以下的厚度。通过利用EBSD法测定出现在金属板的截面中的晶粒并对测定结果进行分析而算出的晶粒的平均截面积为0.5μm

【技术实现步骤摘要】
制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置本申请是分案申请，其原申请的中国国家申请号为201811344229.1，申请日为2018年11月13日，专利技术名称为“制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置”。
本专利技术的实施方式涉及用于制造蒸镀掩模的金属板和金属板的制造方法。另外，本专利技术的实施方式涉及蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法和具备蒸镀掩模的蒸镀掩模装置。
技术介绍
近年来，对于在智能手机、平板PC等便携式装置中使用的显示装置，要求高精细，例如要求像素密度为500ppi以上。另外，对于便携式装置，应对超高分辨率(UHD)的需求也提高，该情况下，显示装置的像素密度例如优选为800ppi以上。显示装置之中，有机EL显示装置由于响应性好、耗电低、对比度高而受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知有下述方法：使用形成有以所期望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模，以所期望的图案形成像素。具体而言，首先使蒸镀掩模与有机EL显示装置用的基板密合，接着将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属板，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板，其中，/n所述金属板由至少包含镍的铁合金的轧制材料构成，并且具有7μm以上30μm以下的厚度，/n利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述金属板的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm

【技术特征摘要】
20171114 JP 2017-219369;20171226 JP 2017-249744;201.一种金属板，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板，其中，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的轧制材料构成，并且具有7μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述金属板的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。


2.如权利要求1所述的金属板，其中，所述轧制材料中的镍和钴的含量总计为30质量％以上且38质量％以下。


3.一种金属板，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板，其中，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的镀膜构成，并且具有5μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。


4.如权利要求3所述的金属板，其中，所述镀膜中的镍和钴的含量总计为38质量％以上且54质量％以下。


5.如权利要求1至4中任一项所述的金属板，其中，所述晶粒的平均截面积为2.0μm2以上。


6.如权利要求1至4中任一项所述的金属板，其中，所述金属板具有10μm以上的厚度。


7.一种蒸镀掩模，
其具备金属板和形成在金属板的贯通孔，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的轧制材料构成，并且具有7μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述金属板的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。


8.如权利要求7所述的蒸镀掩模，其中，所述轧制材料中的镍和钴的含量总计为30质量％以上且38质量％以下。


9.一种蒸镀掩模，
其具备金属板和形成在金属板的贯通孔，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的镀膜构成，并且具有5μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。


10.如权利要求9所述的蒸镀掩模，其中，所述镀膜中的镍和钴的含量总计为38质量％以上且54质量％以下。


11.如权利要求7至10中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述晶粒的...

【专利技术属性】
技术研发人员：池永知加雄，初田千秋，冈宏树，松浦幸代，冈本英介，牛草昌人，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP