具有扩展性的ＲＦＣＭＯＳ模型的参数计算方法技术

本发明专利技术公开了一种具有扩展性的ＲＦＣＭＯＳ模型的参数计算方法，该模型是在ＢＳＩＭ３ｖ３模型中的ＭＯＳ场效应管的基础上增加了支电路，所述支电路包括栅极的寄生电阻、源极的寄生电阻、漏极的寄生电阻和衬底网络，所述衬底网络包括源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻，所述栅极的寄生电阻和组成衬底网络的各元件均由可变参数计算得出，所述可变参数至少包括晶体管沟道长度、沟道宽度或并联栅极数中的一个。本发明专利技术不仅提高了模型精度，还有效地实现了模型的可扩展性，有效降低射频电路的设计成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种RFCMOS(射频CMOS)模型。
技术介绍
随着CMOS工艺的不断发展，深亚微米CMOS器件具有可以传输高频率信号和低噪声等特性，因此越来越多地应用于射频(RF)电路设计，并在无线通讯领域得到广泛应用。在RFCMOS电路设计中，只有建立准确的RFCMOS模型才能在电路仿真时精确模拟RFCMOS器件的性能，从而节省RFCMOS电路设计周期。RFCMOS模型要求在包含所有低频特性的基础上更着重描述RFCMOS器件的非线性性、高频噪声、非准静态效应等高频性能。目前为止，业界没有标准的RFCMOS模型，通常是在BSIM3v3模型(Berkeley Short channel Insulated gate field effect transistorModel 3 version 3)的基础上通过增加支电路来模拟RFCMOS器件。请参阅图1，其中的MOS场效应管11来自于BSIM3v3模型，包括栅极Gi、源极Si、漏极Di和衬底Bi；在其基础上增加的支电路包括栅极电阻RG、源极电阻RS、漏极电阻RD和衬底网络12，构成了RFCMOS等效电路的栅极G、源极S、漏极D和衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＲＦＣＭＯＳ模型的参数计算方法，所述ＲＦＣＭＯＳ模型在ＢＳＩＭ３ｖ３模型中的ＭＯＳ场效应管的基础上增加了支电路，所述支电路包括栅极的寄生电阻、源极的寄生电阻、漏极的寄生电阻和衬底网络，所述衬底网络包括源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻，其特征是：所述栅极的寄生电阻、源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻均由可变参数计算得出，所述可变参数至少包括晶体管沟道长度、沟道宽度或并联栅极数中的一个。

【技术特征摘要】
1.一种RFCMOS模型的参数计算方法，所述RFCMOS模型在BSIM3v3模型中的MOS场效应管的基础上增加了支电路，所述支电路包括栅极的寄生电阻、源极的寄生电阻、漏极的寄生电阻和衬底网络，所述衬底网络包括源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻，其特征是：所述栅极的寄生电阻、源极和衬底间的寄生二极管、漏极和衬底间的寄生二极管、源极和衬底间的耦合电阻、漏极和衬底间的耦合电阻、衬底的耦合电阻均由可变参数计算得出，所述可变参数至少包括晶体管沟道长度、沟道宽度或并联栅极数中的一个。2.根据权利要求1所述的RFCMOS模型的参数计算方法，其特征是：所述源极的寄生电阻和漏极的寄生电阻均由BSIM3v3模型的参数Rdsw计算得出。3.根据权利要求1所述的RFCMOS模型的参数计算方法，其特征是：栅极的寄生电阻RG=Rgsqr×WL×nf+ρcW×L×nf,]]>其中L为晶体管沟道长度，W为晶体管沟道宽度，nf为晶体管并联栅极数，Rgsqr为RG的方块电阻，ρc为单位面积的接触孔电阻；源极和衬底间的耦合电阻RSB=Rsbw×LW×nf,]]>其中Rsbw为RSB的方块电阻；漏极和衬底间的耦合电阻RDB=Rdbw×LW×nf,]]>其中Rdbw为RDB的方块电阻；衬底的耦合电阻RDSB=Rdsbw×LW,]]>其中Rdsbw为RDSB的方块电阻。4.根据权利要求1所述的RFCMOS模型的参数计算方法，其特征是：源极位于两个相邻栅极之间的个数nsd_in的二进制数形式xnsd_in＝[(xnf+1)>>1]-1，其中xnf表示nf的二进制数形式，>>运算符表示将二进制数右移，左边的空位由0弥补；漏极位于两个相邻栅极之间的个数ndd_in的二进制数形式xndd_in＝xnf>>1；漏极位于器件最外侧的个数ndd-out的二进制数形式xndd_out＝xnf&1；源极位于器件最外侧的个数n...

【专利技术属性】
技术研发人员：武洁，李平梁，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]