温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有扩展性的ＲＦＣＭＯＳ模型的参数计算方法，该模型是在ＢＳＩＭ３ｖ３模型中的ＭＯＳ场效应管的基础上增加了支电路，所述支电路包括栅极的寄生电阻、源极的寄生电阻、漏极的寄生电阻和衬底网络，所述衬底网络包括源极和衬底间的寄生二极管...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。