用于闪存的数据存储方法及装置制造方法及图纸

一种用于闪存的数据存储方法及装置，所述用于闪存的数据存储方法包括：获取与上次写入数据的物理实体区不同的物理实体区；若所述物理实体区的累积数据写入次数未达到阈值，则获取所述物理实体区中状态为备用的可擦除区；若所述物理实体区的累积数据写入次数达到阈值，则将一个状态为使用的可擦除区中存储的数据转移到其他状态为备用的可擦除区，并将所述数据转出的可擦除区的状态标记为备用；将数据写入所述状态为备用的可擦除区，并在完成写入数据后将所述可擦除区的状态标记为使用。所述用于闪存的数据存储方法及装置解决可擦除区域之间使用次数不平衡以及由于串扰而引起数据丢失的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于闪存的数据存储方法及装置，特别涉及用于氮化物只读存储器闪存的数据存储方法及装置。
技术介绍
存储器是目前电子信息领域内非常重要的器件，用于保存系统中的数据信息。非挥发存储器(Non-volatile memory，NVM)是目前广泛应用在大规模集成电路领域的器件之一，具有存储数据的功能，并可以提供数据的写入、读出、以及擦除操作，即使切断电源，其存储的内容也不消失，具有保存数据的功能。闪存(Flash Memory)是一种常见的非挥发存储器。氮化物只读存储器(Nitride read only memory，NROM)是一种新型的闪存。NROM闪存的数据存储密度高于传统的闪存，并且在制造过程中不需要像其他类型的闪存一样必须采用特殊的制造工艺，可以通过标准的CMOS工艺来实现。在中国专利申请03819691中，披露了NORM闪存的存储器元件、存储器阵列、相关装置和方法的相关内容。闪存中用于存储数据的区域被划分成多个物理实体区，每一个物理实体区又包括多个可擦除区，对于可擦除区来说，进行写入/擦除的次数越多，可靠性越差。在闪存的工作过程中，可能发生某一个或某几个可擦除区由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于闪存的数据存储方法，所述闪存包括至少一个物理实体区，每个物理实体区包括至少一个可擦除区，其特征在于，所述可擦除区的状态包括备用和使用；所述用于闪存的数据存储方法包括下列步骤：　获取与上次写入数据的物理实体区不同的物理实体区；　 　获取所述物理实体区中状态为备用的可擦除区；　将数据写入所述状态为备用的可擦除区，并在完成写入数据后将所述可擦除区的状态标记为使用。

【技术特征摘要】
1.一种用于闪存的数据存储方法，所述闪存包括至少一个物理实体区，每个物理实体区包括至少一个可擦除区，其特征在于，所述可擦除区的状态包括备用和使用；所述用于闪存的数据存储方法包括下列步骤：获取与上次写入数据的物理实体区不同的物理实体区；获取所述物理实体区中状态为备用的可擦除区；将数据写入所述状态为备用的可擦除区，并在完成写入数据后将所述可擦除区的状态标记为使用。2.如权利要求1所述的用于闪存的数据存储方法，其特征在于，所述可擦除区的状态还包括自由，而所述获取状态为备用的可擦除区包括下列步骤：获取所述物理实体区中上次完成数据写入的可擦除区的地址编码；在所述物理实体区中寻找地址编码与所述完成数据写入的可擦除区地址编码之差最小且状态为自由的新可擦除区，并将所述新可擦除区的状态标记为备用。3.如权利要求1所述的用于闪存的数据存储方法，其特征在于，所述获取与上次写入数据的物理实体区不同的物理实体区包括下列步骤：获取上次完成数据写入的物理实体区的地址编码；在所述物理实体区所在的闪存中寻找地址编码与所述完成数据写入的物理实体区的地址编码之差最小，并且大于所述完成数据写入的物理实体区地址编码的新物理实体区，并且当所述上次完成数据写入的物理实体区是其所在的闪存中地址编码最大的物理实体区时，选取所述闪存中地址编码最小的物理实体区作为新物理实体区。4.一种用于闪存的数据存储装置，所述闪存包括至少一个物理实体区，每个物理实体区包括至少一个可擦除区，其特征在于，所述可擦除区的状态包括备用和使用；所述用于闪存的数据存储装置包括：物理实体区获取单元，用于获取与上次写入数据的物理实体区不同的物理实体区；可擦除区分配单元，用于在所述物理实体区获取单元获得的物理实体区中获取状态为备用的可擦除区；数据写入单元，用于将数据写入所述可擦除区分配单元获得的状态为备用的可擦除区，并在完成写入数据后将所述可擦除区的状态标记为使用。5.如权利要求4所述的用于闪存的数据存储装置，其特征在于，所述可擦除区的状态还包括自由，所述可擦除区分配单元包括：可擦除区寻址单元，用于获取所述物理实体区中上次完成数据写入的可擦除区的地址编码；可擦除区搜寻单元，用于在所述物理实体区中寻找地址编码与所述可擦除区寻址单元获得的可擦除区地址编码之差最小且状态为自由的新可擦除区，并将所述新可擦除区的状态标记为备用。6.如权利要求4所述的用于闪存的数据存储装置，其特征在于，所述物理实体区获取单元包括：物理实体区寻址单元，用于获取上次完成数据写入的物理实体区的地址编码；物理实体区搜寻单元，用于在所述物理实体区所在的闪存中寻找地址编码与所述物理实体区寻址单元获得的地址编码之差最小，并且大于所述物理实体区寻址单元获得的地址编码的新物理实体区，并且当所述上次完成数据写入的物理实体区是其所在的闪存中地址编码最大的物理实体区时，选取所述闪存中地址编码最小的物理实体区作为新物理实体区。7.一种用于闪存的数据存储方法，所述闪存包括至少一个物理实体区，每个物理实体区包括至少一个可擦除区，其特征在于，所述可擦除区的状态包括备用和使用；所述用于闪存的数据存储方法包括下列步骤：获取与上次写入数据的物理实体区不同的物理实体区；若所述物理实体区的累积数据写入次数未达到阈值，则获取所述物理实体区中状态为备用的可擦除区；若所述物理实体区的累积数据写入次数达到阈值，则将一个状态为使用的可擦除区中存储的数据转移到其他状态为备用的可擦除区，并将所述数据转出的可擦除区的状态标记为备用；将数据写入所述状态为备用的可擦除区，并在完成写入数据后将所述可擦除区的状态标记为使用。8.如权利要求7所述的用于闪存的数据存储方法，其特征在于，所述可擦除区的状态还包括自由，而所述获取状态为备用的可擦除区包括下列步骤：获取所述物理实体区中上次完成数据写入的可擦除区的地址编码；在所述物理实体区中寻找地址编码与所述完成数据写入的可擦除区地址编码之差最小且状态为自由的新可擦除区，并将所述新可擦除区的状态标记为备用。9.如权利要求7所述的用于闪存的数据存储方法，其特征在于，所述可擦除区的状态还包括刷新；所述将一个状态为使用的可擦除区中存储的数据转移到其他状态为备用的新可擦除区，并将所述数据转出的可擦除区的状...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯罗特，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]