一种高通量热蒸发薄膜制备装置及其应用制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种高通量热蒸发薄膜制备装置及其应用，所述高通量热蒸发薄膜制备装置包括蒸发腔与存储腔；所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；所述蒸发腔内设置有热蒸发源，所述热蒸发源设置有用于放置坩埚的凹腔；所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在热蒸发源以及坩埚存储架之间的运输。本发明专利技术通过存储腔的设置，实现在真空环境下对坩埚进行更换，从而实现多种材料的交替镀膜，提高了设备的使用效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高通量热蒸发薄膜制备装置及其应用
本专利技术属于镀膜
，涉及一种镀膜装置，尤其涉及一种高通量热蒸发薄膜制备装置及其应用。
技术介绍
传统材料研究，一次实验制备一个样品，因此材料研发周期长。高通量材料芯片技术借鉴制造集成电路芯片的掩膜技术，在一块基底上一次实验可以制备成千上万种不同组分的材料，并快速表征成分、结构、物相，能大幅度缩短了新材料的研发周期。高通量材料芯片技术已经成为材料研发的一种重要方法。目前热蒸发使用的蒸发源一次只能放一种蒸发材料。如需变换材料，使用者需要打破真空开真空腔体更换材料或取出蒸发源来更换材料。高通量材料芯片技术通常需要使用多种材料交替镀膜。对于目前的蒸发源，如果需要变换材料，一种做法就是打破真空开腔体更换坩锅和材料或取出蒸发源更换坩锅和材料，这样即费时又费工；另一种做法是在真空腔体里多安装蒸发源，但是由于系统要求镀膜是均匀，因此蒸发源之间距离不能太远，所以一个热蒸发系统不可能安装很多蒸发源。CN102011096A公开了一种可控制蒸发气流分布和成分的真空蒸发系统，包括蒸发枪、高温蒸发坩埚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高通量热蒸发薄膜制备装置，其特征在于，所述高通量热蒸发薄膜制备装置包括蒸发腔与存储腔；/n所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；/n所述蒸发腔内设置有热蒸发源，所述热蒸发源设置有用于放置坩埚的凹腔；/n所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在热蒸发源以及坩埚存储架之间的运输。/n

【技术特征摘要】
1.一种高通量热蒸发薄膜制备装置，其特征在于，所述高通量热蒸发薄膜制备装置包括蒸发腔与存储腔；
所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；
所述蒸发腔内设置有热蒸发源，所述热蒸发源设置有用于放置坩埚的凹腔；
所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在热蒸发源以及坩埚存储架之间的运输。


2.根据权利要求1所述的高通量热蒸发薄膜制备装置，其特征在于，所述坩埚存储架包括设置有至少1层坩埚存储台的坩埚支架，以及设置于坩埚支架底部的支撑轴；所述支撑轴穿设于存储腔；
所述支撑轴用于坩埚支架沿支撑轴的轴向位移和/或用于坩埚支架沿支撑轴的轴向旋转。


3.根据权利要求1或2所述的高通量热蒸发薄膜制备装置，其特征在于，所述机械手包括第一位移件与第二位移件；
所述第一位移件穿设于存储腔，所述第一位移件的轴向与支撑轴的轴向平行，第一位移件的轴向与第二位移件的轴向垂直；
所述第一位移件带动第二位移件沿第一位移件的轴向位移和/或带动第二位移件沿第一位移件的轴向旋转；所述第二位移件用于坩埚在热蒸发源以及坩埚存储架之间的运输。


4.根据权利要求3所述的高通量热蒸发薄膜制备装置，其特征在于，所述坩埚的开口端设置有凸缘，所述第二位移件设置有与凸缘配合的凹口。


5.根据权利要求1所述的高通量热蒸发薄膜制备装置，其特征在于，所述凹腔的底部设置有用于穿过顶针的通孔；所述顶针用于顶起坩埚。


6.根据权利要求1所述的高通量热蒸发薄膜制备装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯秋洁，杨露明，
申请(专利权)人：杭州星河材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33