光刻掩模版特征线宽均一性预补偿技术制造技术

光刻掩模版特征线宽均一性预补偿技术属于微细工程领域，提高光刻掩模版特征线宽均一性。技术要点：１．设计标准版。将光刻掩模版（１）的图形区域（２）划分成大小不等的子区域（３）。每个子区域里（３）设计Ｌ形的特征线宽（４）。２．获取特征线宽均一性畸变映射图。测量生产出的标准版上各特征线宽值，得到各处的畸变值，形成畸变映射图。３．预补偿。将集成电路版图分割成对应的多个子图形，对每一个子图形按照所对应的特征线宽均一性畸变映射图子区域（３）的畸变值进行涨缩处理，涨缩值和畸变值相反。再将处理后的子图形拼成完整版图。４．将完整版图按照正常工艺生产。主要用途是提高光刻掩模版特征线宽均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种提高光刻掩模版特征线宽均一性的技术，属于微细工程领域，适用于电子束和激光束图形发生器。
技术介绍
在微细工程领域里，光学光刻技术是一项关键的技术。由于光学光刻技术相比于其他光刻技术具有速度快的优势，目前微细工程领域最大的应用是大规模集成电路的生产，广泛使用光学光刻技术。光学光刻技术中的核心部件是光刻掩模版，在大规模集成电路生产中光刻机(如NIKON NSR-S206系列机台，ASML PAS5500系列机台，CANON FPA5500系列机台，GCA DSW4800系列机台和U1traTech UT1500机台等)将光刻掩模版的精细图形转移制作到硅片上，从而形成各种集成电路。光刻掩模版的质量好坏直接决定了大规模集成电路生产的成品率和效率，对整个生产具有决定性的作用。光学光刻技术及光学光刻所使用的光刻掩模版还光泛应用于声表面波器件，光波导电子器件，磁电子器件、微机电系统器件等其他微细工程领域中。光刻掩模版是由图形发生器(如MEBES机台，Alta机台，Core机台和Mann 3000机台等)根据集成电路设计的版图按照工艺要求通过光刻工艺生产出来的。图形发生器根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高光刻掩模版特征线宽均一性的预补偿技术，其技术要点是：１．设计标准版。将光刻掩模版（１）的图形区域（２）划分成大小不等的子区域（３）。每个子区域里（３）设计Ｌ形的特征线宽（４）。２．获取特征线宽均一性畸变映射图。测量生产出的标准版上各特征线宽值，得到各处的畸变值，形成畸变映射图。３．预补偿。将集成电路版图分割成对应的多个子图形，对每一个子图形按照所对应的特征线宽均一性畸变映射图子区域（３）的畸变值进行涨缩处理，涨缩值和畸变值相反。再将处理后的子图形拼成完整版图。４．将完整版图按照正常工艺生产。

【技术特征摘要】
1.一种提高光刻掩模版特征线宽均一性的预补偿技术，其技术要点是：1.设计标准版。将光刻掩模版(1)的图形区域(2)划分成大小不等的子区域(3)。每个子区域里(3)设计L形的特征线宽(4)。2.获取特征线宽均一性畸变映射图。测量生产出的标准版上各特征线宽值，得到各处的畸变值，形成畸变映射图。3.预补偿。将集成电路版图分割成对应的多个子图形，对每一个子图形按照所对应的特征线宽均一性畸变映射图子区域(3)的畸变值进行涨缩处理，涨缩值和畸变值相反。再将处理后的子图形拼成完整版图。4.将完整版图按照正常工艺生产。2.根据权利要求1所述的光刻掩模版特征线宽均一性的预补偿技术，其特征还在...

【专利技术属性】
技术研发人员：粟鹏义，
申请(专利权)人：上海光刻电子科技有限公司，粟鹏义，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]