基板传送装置和使用该基板传送装置的基板传送系统制造方法及图纸

本公开提供了基板传送装置以及使用该基板传送装置的基板传送系统。该基板传送装置包括：主体，包括半导体基板被吸附到其上的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第一表面包括设置在主体的中央区域中的空腔、和附接单元，该附接单元设置在主体的边缘上从而围绕空腔并形成负压以吸附半导体基板；以及连接器，连接到主体的第二表面并支撑主体，其中空腔包括具有至少一个通孔的下表面，该通孔穿透主体的第一表面和第二表面并将空腔连接到外部空间，并且空腔包括相对于在主体的边缘处的第一表面以2.9

【技术实现步骤摘要】
基板传送装置和使用该基板传送装置的基板传送系统


[0001]本公开涉及基板传送装置以及使用该基板传送装置的基板传送系统。

技术介绍

[0002]由于半导体芯片的薄且紧凑的尺寸，持续需要用于制造半导体芯片的薄半导体基板。为此，执行背面研磨工艺以使半导体基板变薄。然而，在传送已被研磨的半导体基板的过程中，用于传送半导体基板的基板传送装置的接触表面可能被附着到半导体基板的颗粒污染。附着到基板传送装置的颗粒可能损坏正被传送的其它半导体基板，并且还可能损坏在半导体基板上形成的半导体芯片。因此，已经积极地进行了即使在颗粒附着到半导体基板的情况下也防止对其它半导体基板和半导体芯片的损坏的研究。

技术实现思路

[0003]本公开的一方面提供了用于减少在半导体基板的吸附和传送期间对半导体基板的损坏的基板传送装置，以及使用该基板传送装置的基板传送系统。
[0004]根据本公开的一方面，一种基板传送装置包括：主体，包括半导体基板被吸附到其上的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第一表面包括设置在主体的中央区域中的空腔、和附接单元，该附接单元设置在主体的边缘上从而围绕空腔并形成负压以吸附半导体基板；以及连接器，连接到主体的第二表面并支撑主体，其中空腔包括具有至少一个通孔的下表面，该通孔穿透主体的第一表面和第二表面并将空腔连接到外部空间，并且空腔包括相对于在主体的边缘处的第一表面以2.9
°
至5
°
的角度倾斜的侧表面。
[0005]根据本公开的一方面，一种基板传送装置包括：主体，包括第一表面和与第一表面相反的第二表面，半导体基板被配置为被吸附到第一表面，第一表面包括设置在主体的中央区域中的空腔、和附接单元，该附接单元设置在主体的边缘上从而围绕空腔并形成负压以吸附半导体基板，其中空腔包括下表面，并且至少一个通孔穿透第一表面和第二表面并且将空腔流体地连接到外部空间，并且空腔包括相对于在主体的边缘处的第一表面具有0.5mm至1mm的高度差的侧表面。
[0006]根据本公开的一方面，一种基板传送系统包括：卡盘台，用于对安置在卡盘台的上表面上的半导体基板执行研磨工艺；以及基板传送装置，设置在半导体基板上方并且被配置为附着到已经执行了研磨工艺的半导体基板，其中基板传送装置包括：主体，包括第一表面和与第一表面相反的第二表面，半导体基板被配置为附着到第一表面，第一表面具有设置在主体的中央区域中的空腔、和附接单元，该附接单元设置在主体的边缘上从而围绕空腔并形成负压以附着到半导体基板；以及连接器，被配置为连接到主体的第二表面并支撑主体，其中空腔包括具有至少一个通孔的下表面，该通孔穿透第一表面和第二表面并将空腔连接到外部空间，并且空腔包括相对于在主体的边缘处的第一表面以2.9
°
至5
°
的角度倾斜的侧表面。
附图说明
[0007]从以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和其它优点将被更清楚地理解，在图中：
[0008]图1是示意性地示出根据本公开的一示例实施方式的基板传送系统的透视图；
[0009]图2是沿图1的I
‑
I'线截取的侧剖视图；
[0010]图3和图4是示出图2的倾斜表面的各种示例实施方式的图；
[0011]图5是从图2的方向II观看的平面图；
[0012]图6是从图5移除了抽吸板(suction plate)的平面图；
[0013]图7和图8是示出形成在图5的下表面上的通孔的不同示例实施方式的图；
[0014]图9是示出根据一示例实施方式的去除负压的效果的图；以及
[0015]图10是示出其中未形成通孔的比较例的图。
具体实施方式
[0016]在下文，将参考附图描述本公开的示例实施方式。
[0017]参考图1和图2，将描述根据一示例实施方式的基板传送装置。图1是示意性地示出根据本公开的一示例性实施方式的基板传送系统的透视图，图2是沿着图1的线I
‑
I'截取的侧剖视图。
[0018]基于图1和图2，根据一示例实施方式的基板传送系统1可以包括半导体基板W可被安置在其上的卡盘台CT以及用于吸附或用于附着被安置在卡盘台CT上的半导体基板W的基板传送装置10。基板传送系统1可以被应用于用于减薄或减小半导体基板W的厚度的背面研磨装置，并且可以设置在背面研磨装置的处理室内。
[0019]在卡盘台CT的上表面上，可以设置已经被处理的半导体基板W。半导体基板W可以是圆形晶片。半导体层Wa可以形成在半导体基板W的一个表面上，并且可以设置在半导体基板W的下表面W1上以面对卡盘台CT。因此，半导体基板W的上表面W2可以设置在卡盘台上以面向上或背离卡盘台CT，并且下表面W1可以设置为面对卡盘台CT。基板传送装置10可以吸附半导体基板W的上表面W2。半导体基板W可以通过真空而被吸附到卡盘台CT以进行工艺。在一示例实施方式中，该工艺可以是研磨半导体基板W的上表面的工艺。在背面研磨工艺之后，可以将空气喷射到被吸附的半导体基板W上以将卡盘台CT与半导体基板W分离。基板传送装置10可以通过真空或抽吸来传送被分离的半导体基板W。
[0020]可以在半导体层Wa上形成多个半导体管芯。当从顶部观看时，可以将已被确认可正常工作的已知良好的管芯设置在半导体层Wa的中央区域中，并且可以将虚设管芯设置在半导体层Wa的边缘区域中。在一示例实施方式中，半导体基板W可以是直径为304mm至307mm的半导体晶片，并且在背面研磨工艺之后可以具有30μm至50μm的厚度。
[0021]可以在卡盘台CT上进行研磨半导体基板W的上表面W2的工艺。在这个过程中，颗粒P(一种研磨副产物)可能附着到半导体基板W的上表面W2。当基板传送装置10吸附半导体基板W时，颗粒P可能在半导体基板W中或半导体基板W上产生缺陷或裂缝。此外，形成在半导体基板W上的半导体层可能由于半导体基板W的缺陷或裂缝而被损坏，从而导致不良的半导体芯片。颗粒P可能污染基板传送装置10与半导体基板W相遇的部分，可能因此产生随后被传送的另一半导体基板W的缺陷，或者使半导体层裂纹。即使在颗粒P附着到半导体基板W的情
况下，一示例实施方式的基板传送系统也可以减小半导体基板的裂纹或减小对半导体芯片的损坏。这将在下面描述。
[0022]基板传送装置10可以包括用于吸附半导体基板W的主体100和支撑该主体100的连接器200。
[0023]主体100可以具有与半导体基板W接触的第一表面111和与第一表面111相反的第二表面112，并且可以由圆形基底110形成。主体100的形状不限于圆形，并且可以是多边形，诸如四边形等。基底110可以由陶瓷材料形成。基底110可以形成为足够厚以在其第一表面111处或在其第一表面111上形成空腔120。
[0024]基于图2，主体100的第一表面111是半导体基板W被吸附到其上的表面，并且可以具有与半导体基板W直接接触的接触区域CA和不与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板传送装置，包括：主体，包括半导体基板被吸附到其上的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，所述第一表面包括设置在所述主体的中央区域中的空腔、和附接单元，所述附接单元设置在所述主体的边缘上从而围绕所述空腔并形成负压以吸附所述半导体基板；以及连接器，连接到所述主体的所述第二表面并支撑所述主体，其中，所述空腔包括具有至少一个通孔的下表面，所述通孔穿透所述主体的所述第一表面和所述第二表面并将所述空腔连接到外部空间，并且所述空腔包括相对于在所述主体的所述边缘处的所述第一表面以2.9
°
至5
°
的角度倾斜的侧表面。2.根据权利要求1所述的基板传送装置，其中，所述侧表面包括弯曲表面，其中，所述弯曲表面包括邻近所述附接单元的第一弯曲表面和设置在所述第一弯曲表面与所述下表面之间的第二弯曲表面，其中，所述第一弯曲表面和所述第二弯曲表面具有不同的曲率半径。3.根据权利要求2所述的基板传送装置，其中，所述第二弯曲表面具有朝向所述下表面逐渐增大的曲率半径。4.根据权利要求3所述的基板传送装置，其中，所述第二弯曲表面的曲率半径的最小值大于所述第一弯曲表面的曲率半径。5.根据权利要求1所述的基板传送装置，其中，所述附接单元包括：环形凹槽，设置在所述主体的所述边缘上以围绕所述空腔；排气孔，设置在所述凹槽的下表面上并且穿透所述凹槽的所述下表面和所述主体的所述第二表面；以及抽吸板，填充所述凹槽。6.根据权利要求5所述的基板传送装置，其中，所述抽吸板由多孔陶瓷材料形成。7.根据权利要求1所述的基板传送装置，其中，所述通孔包括多个通孔，其中，所述多个通孔从所述主体的所述中央区域的中心径向向外设置。8.根据权利要求1所述的基板传送装置，其中，所述通孔包括多个通孔，其中，所述多个通孔在从所述主体的所述中央区域到所述主体的所述边缘的径向向外方向上具顺序地增大的直径。9.根据权利要求1所述的基板传送装置，其中，所述空腔相对于在所述主体的所述边缘处的所述第一表面具有0.5mm至1mm的高度差。10.根据权利要求1所述的基板传送装置，其中，所述半导体基板具有多个半导体芯片设置在其上的一个表面，其中，所述多个半导体芯片包括已知良好的管芯和虚设管芯，其中，所述已知良好的管芯设置在所述半导体基板的中央区域中，所述虚设管芯设置在所述半导体基板的边缘区域中。11.根据权利要求10所述的基板传送装置，其中，所述附接单元被吸附到所述半导体基板的所述边缘区域以对应于所述虚设管芯设置在其中的区域。12.根据权利要求1所述的基板传送装置，其中，所述连接器在与所述附接单元相对应的区域处被附接到所述主体的所述第二表面，并且在所述连接器与所述主体的所述第二表面之间在与所述空腔相对应的区域处限定有分离空间。
13.一种基板传送装置，包括：主体，包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢希锡，崔相壹，全成基，赵俸秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：