腔室装置、晶片输送设备和晶片处理方法制造方法及图纸

本公开提供一种腔室装置，包括：壳体，其内部限定有空腔；第一阀，设置于壳体的第一侧部，且配置成在关闭状态与连通至第一压力环境或第二压力环境的开启状态之间切换；切换装置，固定至所述壳体，且配置成将所述第一阀与第一压力环境或第二压力环境的入口对准，第二阀，设置于壳体的与第一侧部相对的第二侧部，且配置成使得空腔与第一压力环境连通或断开，和压力调节装置，设置在壳体上与空腔连通，且配置成将空腔内的压强调节为与第一压力环境或第二压力环境实质上相同的压强，所述腔室装置还包括设置于空腔内部的晶片支撑装置，所述晶片支撑装置包括多层支撑结构，所述多层支撑结构的各层分别被配置用于以一一对应的方式支撑所述多个晶片。所述多个晶片。所述多个晶片。

【技术实现步骤摘要】
腔室装置、晶片输送设备和晶片处理方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种腔室装置、一种晶片输送设备、以及一种使用所述晶片输送装置的晶片处理方法；更特别地涉及一种用于在第一压力环境与第二压力环境之间传递晶片的腔室装置、一种晶片输送设备、以及一种使用所述晶片输送装置的晶片处理方法。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体产业中，通常需要在高真空环境中利用电子束检测设备执行对晶片诸如硅晶片的检测过程。
[0003]为了提高在高真空条件下运行的电子束检测设备的产率，一般都需要在电子束检测设备的工作腔与处于大气环境的晶片盒之间增加一个真空互锁腔体。电子束检测设备的工作腔容积较大，抽到高真空所需的时间比较长。而真空互锁腔体设计比较紧凑，比工作腔容积要小得多，这样在抽到高真空状态时，所需的时间就要少得多，从而可以增加电子束检测设备的产率。此外，在半导体晶片检测领域，要避免晶片在检测环节受到损伤和污染，也就是保证晶片在检测过程中的安全。因此，本领域亟需一种真空互锁腔体，不仅容积较小，而且配备了晶片状态检测的装置。r/>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于在第一压力环境与第二压力环境之间传递晶片的腔室装置，包括：壳体，其内部限定有空腔；第一阀，设置于壳体的第一侧部，且配置成在关闭状态与连通至第一压力环境或第二压力环境的开启状态之间切换；切换装置，固定至所述壳体，且配置成将所述第一阀与第一压力环境或第二压力环境的入口对准，第二阀，设置于壳体的与第一侧部相对的第二侧部，且配置成使得空腔与第一压力环境连通或断开，和压力调节装置，设置在壳体上与空腔连通，且配置成将空腔内的压强调节为与第一压力环境或第二压力环境实质上相同的压强，其中，所述腔室装置还包括设置于空腔内部的晶片支撑装置，所述晶片支撑装置包括多层支撑结构，所述多层支撑结构的各层分别被配置用于以一一对应的方式支撑所述多个晶片。2.根据权利要求1所述的腔室装置，其中，所述多层支撑结构包括：第一支撑半部，包括：第一支座，固定至壳体的底部内表面、以及与所述第一侧部和所述第二侧部两者均相交的第三侧部的内壁处；以及从第一支座向空腔突伸的多个第一支柱，第二支撑半部，包括：第二支座，固定至壳体的底部内表面、以及与所述第三侧部相对的第四侧部的内壁处；以及从第二支座向空腔突伸的多个第二支柱，并且其中，位于所述多层支撑结构中的任一层中的相应第一支柱和相应第二支柱共同支撑所述多个晶片中的待支撑于该层中的一相应晶片，且各自轴线平行于壳体的底表面且呈共面设置。3.根据权利要求2所述的腔室装置，其中，所述第一支座包括：两个第一块体，间隔地固定于所述第三侧部的内壁处；和第一肋，连接于所述两个第一块体之间，所述第一肋固定至壳体的底部内表面，以及所述第二支座包括：两个第二块体，间隔地固定于所述第四侧部的内壁处；和第二肋，连接于所述两个第二块体之间，所述第二肋固定至壳体的底部内表面。4.根据权利要求2所述的腔室装置，其中，相邻层的第一支柱之间的距离、以及相邻层的第二支柱之间的距离各自大于晶片厚度；并且在设定以所述第一支柱和第二自主的轴线方向为纵向的情况下，则在与所述纵向正交的横向上，同层的第一支柱之间的横向距离、以及同层的第二支柱之间的横向距离均被限定为不低于最小横向阈值，所述最小横向阈值被限定为所述多层支撑结构能够支撑的不同规格晶片中最小尺寸规格晶片的直径。5.根据权利要求3所述的腔室装置，其中，在所述多层支撑结构的每层仅具备：两个第
一支柱，分别定位于所述两个第一块体，以及两个第二支柱，分别定位于所述两个第二块体；并且在所述多层支撑结构的所有层中，分别布置于所述两个第一块体中同一块体上的第一支柱各自轴线共面设置，和/或分别布置于所述两个第二块体中同一块体上的第二支柱各自轴线共面设置。6.根据权利要求3所述的腔室装置，其中，所述第一肋与所述两个第一块体一体形成，和/或所述第二肋与所述两个第二块体一体形成。7.根据权利要求2所述的腔室装置，还包括第一晶片检测装置，所述第一晶片检测装置包括：第一光源，安装至所述壳体且配置成向所述空腔内发射第一照射光束；多组第一传感器，安装至所述壳体且与所述多层支撑结构的各层以一一对应关系至少部分地对准设置，且配置成感测所述第一照射光束、继而基于感测结果来产生多个第一电信号；和处理电路，所述处理电路与所述多组第一传感器电连接，并且配置成接收所述多个第一电信号并且基于所述多个第一电信号来判断与各组第一传感器对应的所述多层支撑结构的各层中是否支撑有相应晶片。8.根据权利要求7所述的腔室装置，其中，每组第一传感器配置成在没有接收到所述第一照射光束的情况下产生具有高电平和低电平之一作为第一量值的第一电信号，且在至少部分地接收到所述第一照射光束的情况下产生具有高电平和低电平中的另一种作为第二量值的第一电信号；且基于由与所述多层支撑结构中的任一层以一一对应关系至少部分地对准设置的相应组第一传感器所输出的相应第一电信号，所述处理电路配置成响应于具有第一量值的该相应第一电信号判定该层支撑有相应晶片，且响应于具有第二量值的该相应第一电信号判定该层没有支撑相应晶片。9.根据权利要求7所述的腔室装置，其中，所述第一支座具备朝所述壳体的上表面敞开的凹口，且所述第三侧部形成有贯通的第一窗，所述第一窗至少部分地与所述凹口重叠；并且所述第一光源布置成与所述第一窗对准且配置成发射第一照射光束经由所述第一窗进入所述空腔。10.根据权利要求7或8所述的腔室装置，还包括第二晶片检测装置，所述第二晶片检测装置包括：多个第二光源，安装于所述壳体的顶侧和底侧中的一侧、且布置成限定了具有与所述多个晶片的圆心的预期位置相重合的圆心的一个虚拟圆，所述多个光源在所述虚拟圆的圆周...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋磊，
申请(专利权)人：中科晶源微电子技术北京有限公司，
类型：发明
国别省市：