包括具有中介桥的层叠子封装的半导体封装制造技术

包括具有中介桥的层叠子封装的半导体封装。一种半导体封装包括在互连层上的第一子封装。第二子封装和第三子封装依次层叠在第一子封装上。第一至第三子封装中的每一个包括半导体芯片和中介桥。中介桥包括第一通孔和第二通孔。第二子封装还包括将第二子封装的半导体芯片电连接到第一通孔的第一再分布线。第三子封装还包括将第三子封装的半导体芯片电连接到第二通孔的第二再分布线。第二通孔的第二再分布线。第二通孔的第二再分布线。

【技术实现步骤摘要】
包括具有中介桥的层叠子封装的半导体封装


[0001]本公开涉及半导体封装技术，更具体地，涉及包括层叠的子封装的半导体封装，各个子封装具有一个或更多个半导体芯片和中介桥(interposing bridge)。

技术介绍

[0002]近来，大量努力集中在将多个半导体芯片集成到单个半导体封装中。即，已尝试增加封装集成密度以实现利用多功能操作高速处理大量数据的高性能半导体封装。例如，系统封装(SiP)技术可被视为实现高性能半导体封装的有吸引力的候选。
[0003]随着高性能移动系统的发展，对更大的大容量电池的需求日益增加，移动系统中包括的其它组件的尺寸和厚度已减小，以维持可取的形状因子。因此，寻求紧凑的系统封装或紧凑的半导体封装以实现高性能移动系统。

技术实现思路

[0004]根据实施方式，一种半导体封装包括互连层、设置在互连层上的第一子封装以及依次层叠在第一子封装上的第二子封装和第三子封装。第一子封装包括第一半导体芯片和第一中介桥。第一中介桥与第一半导体芯片间隔开并且被配置为包括第一层通孔。第二子封装包括第二半导体芯片、第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：互连层；在所述互连层上的第一子封装；以及依次层叠在所述第一子封装上的第二子封装和第三子封装，其中，所述第一子封装包括：第一半导体芯片；以及第一中介桥，该第一中介桥与所述第一半导体芯片间隔开并且被配置为包括第一层通孔，其中，所述第二子封装包括：第二半导体芯片；第二中介桥，该第二中介桥与所述第二半导体芯片间隔开并且被配置为包括第二层通孔，所述第二层通孔与所述第一层通孔中的相应通孔交叠并且电连接到所述第一层通孔中的所述相应通孔；以及第一再分布线，该第一再分布线将所述第二半导体芯片电连接到所述第二层通孔中的第一通孔，并且其中，所述第三子封装包括：第三半导体芯片；第三中介桥，该第三中介桥与所述第三半导体芯片间隔开并且被配置为包括第三层通孔，所述第三层通孔与所述第二层通孔中的相应通孔交叠并且电连接到所述第二层通孔中的所述相应通孔；以及第二再分布线，该第二再分布线将所述第三半导体芯片电连接到所述第三层通孔中的第二通孔。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片包括面向所述第二中介桥的第一边缘以及与所述第一边缘相反的第二边缘；其中，所述第二半导体芯片还包括芯片焊盘，该芯片焊盘电连接到所述第一再分布线；并且其中，所述芯片焊盘与所述第二半导体芯片的所述第一边缘之间的距离小于所述芯片焊盘与所述第二半导体芯片的所述第二边缘之间的距离。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二子封装和所述第三子封装垂直地层叠在所述第一子封装上，使得所述第一中介桥、所述第二中介桥和所述第三中介桥彼此交叠。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二中介桥的所述第二层通孔中的第二通孔被设置为与所述第二半导体芯片电隔离。5.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括设置在所述第二子封装的所述第二中介桥与所述第一子封装的所述第一中介桥之间的内连接器。6.根据权利要求5所述的半导体封装，该半导体封装还包括支撑件，所述支撑件设置在所述第二子封装与所述第一子封装之间以与所述第二半导体芯片交叠，并且所述支撑件与所述内连接器间隔开。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述支撑件包括虚设凸块。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一子封装还包括第一密封剂，该第一密封剂覆盖所述第一半导体芯片和所述第一中介桥；其中，所述第二子封装还包括第二密封剂，该第二密封剂覆盖所述第二半导体芯片和所述第二中介桥；并且其中，所述第三子封装还包括第三密封剂，该第三密封剂覆盖所述第三半导体芯片和所述第三中介桥。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第一再分布线从所述第二半导体芯片延伸以越过所述第二密封剂的表面的一部分，并且与所述第二层通孔中的所述第一通孔电接触。10.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第二再分布线从所述第三半导体芯片延伸以越过所述第三密封剂的表面的一部分，绕开所述第三层通孔中的第一通孔以与所述第三层通孔中的第一通孔间隔开，并且与所述第三层通孔中的所述第二通孔电接触。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一子封装还包括辅助半导体芯片，该辅助半导体芯片位于所述第一半导体芯片的与所述第一中介桥相反的一侧；其中，所述第一半导体芯片包括处理器芯片；其中，所述辅助半导体芯片对应于当所述处理器芯片操作时用作高速缓存存储器的缓冲存储器芯片；并且其中，所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片对应于用于存储由所述处理器芯片计算的数据的存储芯片。12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述互连层包括：介电层；第一水平互连图案，该第一水平互连图案设置在所述介电层中以将所述第一层通孔中的第一通孔电连接到所述第一半导体芯片；第二水平互连图案，该第二水平互连图案设置在所述介...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔福奎，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：