MEMS传感器驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种MEMS传感器驱动电路，包括：共栅极放大器；恒流源，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于为所述共栅极放大器提供偏置电流；第一反相放大器，具有负反馈电阻，所述第一反相放大器的输入端与所述共栅极放大器的输出端电连接；输入端口，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于接收MEMS传感器的电流信号。本发明专利技术提供的技术方案能够同时提高MEMS传感器驱动电路的带宽和增益。

【技术实现步骤摘要】
MEMS传感器驱动电路
本专利技术涉及放大电路
，尤其涉及一种MEMS传感器驱动电路。
技术介绍
MEMS传感器具有体积小、重量轻、低功耗、低成本等优点，在低成本的惯性导航系统中有着广泛的应用，MEMS传感器采用闭环驱动，作为闭环驱动电路的关键部分，跨阻放大器的性能影响着整个传感器稳定性。MEMS传感器对驱动电路所提供的带宽和增益有着十分严格的要求，只有在驱动电路的带宽和增益同时满足要求的情况下，才能使MEMS传感器起振。然而跨阻放大器的增益和带宽通常是互相制约的关系，很难做到增益和带宽的同时增加。
技术实现思路
本专利技术提供的MEMS传感器驱动电路，能够同时提高MEMS传感器驱动电路的带宽和增益。本专利技术提供一种MEMS传感器驱动电路，包括：共栅极放大器；恒流源，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于为所述共栅极放大器提供偏置电流；第一反相放大器，具有负反馈电阻，所述第一反相放大器的输入端与所述共栅极放大器的输出端电连接；输入端口，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS传感器驱动电路，其特征在于，包括：/n共栅极放大器；/n恒流源，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于为所述共栅极放大器提供偏置电流；/n第一反相放大器，具有负反馈电阻，所述第一反相放大器的输入端与所述共栅极放大器的输出端电连接；/n输入端口，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于接收MEMS传感器的电流信号。/n

【技术特征摘要】
20201231 CN 20202333023421.一种MEMS传感器驱动电路，其特征在于，包括：
共栅极放大器；
恒流源，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于为所述共栅极放大器提供偏置电流；
第一反相放大器，具有负反馈电阻，所述第一反相放大器的输入端与所述共栅极放大器的输出端电连接；
输入端口，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于接收MEMS传感器的电流信号。


2.根据权利要求1所述MEMS传感器驱动电路，其特征在于，还包括：
隔直电容，输入端与所述第一反相放大器的输出端电连接；
第二反相放大器，输入端与所述隔直电容的输出端电连接；
恒压源，与所述第二反相放大器的输入端电连接；
第三反相放大器，所述第三反相放大器的输入端与所述第二反相放大器的输出端电连接。


3.根据权利要求2所述MEMS传感器驱动电路，其特征在于，还包括缓冲器，所述缓冲器的输入端与所述第三反相放大器的输出端电连接。


4.根据权利要求3所述MEMS传感器驱动电路，其特征在于，所述缓冲器包括：
第一NMOS，所述第一NMOS的源极接地，所述第一NMOS的栅极与所述第三反相放大器的输出端电连接；
第一负载电阻，所述第一负载电阻的一端与工作电压源电连接，所述第一负载电阻的另一端与第一NMOS的漏极电连接。


5.根据权利要求2所述MEMS传感器驱动电路，其特征在于，所述第二反相放大器包括：
第一PMOS，所述第一PMOS的源极与工作电压源电连接，所述第一PMOS的栅极与所述隔直电容和所述恒压源电连接；
第二NMOS，所述第二NMOS的源极接地，所述第二NMOS的漏极与所述第一PMOS的漏极电连接，所述第二NMOS的栅极与所述隔直电容和所述恒压源电连接。


6.根据权利要求2所述MEMS传感器驱动电路，其特征在于，所述第三反相放大器包括：
第二PMOS，所述第二PMOS的源极与工...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国勇，陈华，孟真，阎跃鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11