【技术实现步骤摘要】
等离子体反应器及其气体喷嘴
本专利技术涉及半导体制造
,更具体的说,涉及一种等离子体反应器及其气体喷嘴。
技术介绍
随着半导体设备规模的不断扩大,对工艺复杂度的要求也越来越高,腐蚀性气体广泛应用于等离子体刻蚀。气体传输管道是等离子体刻蚀室的基本组成部分,不锈钢和含铝材料被广泛应用于输气管道、腔室壁和电子稳定控制系统等。等离子体刻蚀过程需要卤素气体(如Cl2、BCl3)和其他气体(如COS),然而,这些气体对不锈钢和含铝材料具有严重的腐蚀作用。现有技术中采用碳基材料涂层的方法来隔离等离子体与零件表面的接触,但是由于工艺条件限制,无法使得涂层很好保护等离子体反应器中安装气体喷嘴的区域,导致该区域容易受到腐蚀气体的损坏,降低了等离子体反应器的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种等离子体反应器及其气体喷嘴,有效防止气体腐蚀现象发生,从而延长等离子体反应器中各种零部件的使用寿命。为实现上述目的,本专利技术实施例提供如下技术方案:一种用于等离子体反应器的气体喷嘴,所述等离子体反应器具有内衬,所述内衬内具有用于气体传输的管道,所述气体喷嘴包括:插入部,所述插入部的第一端用于插入固定在所述管道的气体出口,与所述第一端相对的第二端用于置于所述管道外部;出气部,所述出气部的一侧表面具有安装槽,所述安装槽朝向所述插入部的第二端,且所述插入部的第二端与所述安装槽底部连接,所述出气部相对的另一侧表面具有主气体喷口;其中,所述气体喷嘴内具有连通所述插入 ...
【技术保护点】
1.一种用于等离子体反应器的气体喷嘴,所述等离子体反应器具有内衬,所述内衬内具有用于气体传输的管道,其特征在于,所述气体喷嘴包括:/n插入部,所述插入部的第一端插入固定在所述管道的气体出口,与所述第一端相对的第二端用于置于所述管道外部;/n出气部,所述出气部的一侧表面具有安装槽,所述安装槽朝向所述插入部的第二端,且所述插入部的第二端与所述安装槽底部连接,所述出气部相对的另一侧表面具有主气体喷口;/n其中,所述气体喷嘴内具有连通所述插入部第一端与所述主气体喷口的主气体喷射通道;所述内衬具有用于放置在所述安装槽内的安装部,所述安装部位于所述内衬具有所述气体出口的表面,凸出该表面,且环绕所述气体出口;所述安装槽的内侧壁与所述安装部的外侧面相对密封固定。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体反应器的气体喷嘴,所述等离子体反应器具有内衬,所述内衬内具有用于气体传输的管道,其特征在于,所述气体喷嘴包括:
插入部,所述插入部的第一端插入固定在所述管道的气体出口,与所述第一端相对的第二端用于置于所述管道外部;
出气部,所述出气部的一侧表面具有安装槽,所述安装槽朝向所述插入部的第二端,且所述插入部的第二端与所述安装槽底部连接,所述出气部相对的另一侧表面具有主气体喷口;
其中,所述气体喷嘴内具有连通所述插入部第一端与所述主气体喷口的主气体喷射通道;所述内衬具有用于放置在所述安装槽内的安装部,所述安装部位于所述内衬具有所述气体出口的表面,凸出该表面,且环绕所述气体出口;所述安装槽的内侧壁与所述安装部的外侧面相对密封固定。
2.根据权利要求1所述的气体喷嘴,其特征在于,所述安装槽的侧壁厚度由所述安装槽的底部至所述安装槽的顶部逐渐减小,或增大,或均匀不变。
3.根据权利要求1所述的气体喷嘴,其特征在于,所述安装槽侧壁的外表面具有至少一个辅助气体喷口;
所述辅助气体喷口通过位于所述出气部内的辅助气体喷射通道与所述主气体喷射通道连通。
4.根据权利要求3所述的气体喷嘴,其特征在于,所述安装槽侧壁的外表面具有多个所述辅助气体喷口,所述辅助气体喷口均匀分布在所述安装槽侧壁的外表面。
5.根据权利要求4所述的气体喷嘴,其特征在于,所述辅助气体喷口位于所述安装槽侧壁的相同高度位置;
所述辅助气体喷射通道与所述主气体喷射通道垂直连通;或,所述辅助气体喷射通道与所述主气体喷射通道斜向连通。
6.根据权利要求3所述的气体喷嘴,其特征在于,所述辅助气体喷射通道的轴线通过所述主气体喷射通道的轴线,或所述辅助气体喷射通道的轴线与所述主气体喷射通道的轴线不相交。
7.根据权利要求3所述的气体喷嘴,其特征在于,所述辅助气体喷射通道的直径由所述主气体喷射通道至所述辅助气体喷口逐渐变小,或逐渐增大,或均匀不变。
8.根据权利要求1-7任一项所述的气体喷嘴,其特征在于,所述主气体喷射通道的直径由所述插入部至所述出气部逐渐变小,或均匀不变。
9.一种等离子体反应器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹思盛,张洁,刘志强,左涛涛,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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