一种TFT防静电结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TFT防静电结构，包括基板以及形成于基板上的TFT膜层、VCOM电极、栅极走线，所述VCOM电极、栅极走线单独与所述TFT膜层电性连接，所述栅极走线还引出有过渡走线，栅极走线通过所述过渡走线直接与VCOM电极连接；所述TFT膜层为包括至少三层金属的多层膜，所述过渡走线为匹配TFT膜层的多层次可蚀刻走线；区别于传统TFT膜层制程完成后才可以实现静电释放的结构，以上结构在TFT膜层的最后一层金属层制程完成前，栅极走线通过过渡走线与VCOM电极电性导通，使得产品在制作过程中即可分散、释放静电，达到保护面板，提升良品率的目的；TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，所述过渡走线经蚀刻断路，保证产品的正常使用。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT防静电结构
本技术涉及显示模组防静电结构领域，尤其涉及一种TFT防静电结构。
技术介绍
在TFT产品制造的过程中，各个环节都会产生一些静电，如不能很好的释放及消除静电，会对产品造成一定的损坏，严重影响产品的可靠性；为了解决静电问题，我们常对TFT产品进行一些防静电设计，例如ESD环等，ESD环结构可在TFT产品制程完成后达到释放静电的效果，有效保护TFT面板，但在TFT产品在制程中，由于TFT膜层尚未铺设完成，VCOM电极、TFT膜层、栅极走线无法形成释放静电的通路，使用传统的除静电结构无法有效释放和消除TFT产品在制造过程中产生的静电，使得制造过程中的TFT无法得到有效保护，产品可靠性也无法得到保证。
技术实现思路
为解决上述传统TFT产品防静电结构设计无法释放产品制造过程中产生的静电，无法使产品得到有效保护的问题，本技术提出了一种TFT防静电结构，通过设置过渡走线将TFT产品在制造的过程中的VCOM电极、G-走线直接电性导通，达到消除产品制程中静电的效果，具体通过如下结构实现。一种TFT防静电结构，包括基板以及形成于基板上的TFT膜层、VCOM电极、栅极走线，所述VCOM电极、栅极走线单独与所述TFT膜层电性连接。所述栅极走线还引出有过渡走线，栅极走线通过所述过渡走线直接与VCOM电极连接；所述TFT膜层为包括至少三层金属的多层膜，所述过渡走线为匹配TFT膜层的多层次可蚀刻走线，所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成前，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极电性导通，实现制程中静电的释放；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，所述过渡走线经蚀刻断路，栅极走线通过TFT膜层与VCOM电极电性导通，保证产品的正常使用。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述栅极走线、过渡走线与所述TFT膜层同步逐层铺设、蚀刻，制程简便，无需增设工序。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述TFT膜层还包括与所述金属层交替层叠设置的绝缘层，其第一金属层形成于所述基板上，所述绝缘层设置于相邻金属层之间以及最后一层金属层之上。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层次结构中，其第一金属层形成于基板上，其绝缘层设置于相邻金属层之间，以及覆于过渡走线的最上层。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的第一绝缘层设置有过孔，其第一金属层与第二金属层通过所述过孔电性连接。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层结构中，除第一绝缘层外的绝缘层均设置有蚀刻过孔，所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，通过所述蚀刻过孔刻断除第一金属层以外的其它金属层。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层结构中，除第一金属层以外，其余金属层的均为同种材质，更加便于TFT最后一金属层制程完毕后过渡走线的刻断。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层结构中，其第一绝缘层与第二金属层之间还设置有a-Si层、N+a-Si层，所述a-Si层形成于第一绝缘层之上，所述N+a-Si层覆于a-Si层以及第一绝缘层上方。作为本技术提供的一种TFT防静电结构的一种实施方式，所述过渡走线的多层结构中，其第二金属层通过过孔结构被第二绝缘层划分为源极、漏极，所述N+a-Si层对应所述源极、漏极设置。有益效果以上所描述的一种TFT防静电结构，通过设置过渡走线将TFT产品在制造的过程中的VCOM电极、栅极走线直接电性导通，达到消除产品制程中静电的效果，弥补了传统除静电结构只能在产品制作完成后去除静电的缺陷，可有效保护制作过程中的TFT产品，提高产品的合格率；同时所述过渡走线为可蚀刻走线，在TFT膜层铺设完成后经过蚀刻形成断路，避免TFT膜层因设置的过渡走线短路而无法工作，保证产品的正常运行。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定，在附图中：图1为本技术TFT产品防静电设计原理图；图2为传统TFT产品防静电设计原理图；图3为本技术优选实施方式TFT膜层结构示意图；图4为第二绝缘层制程后过渡走线截面结构示意图；图5为第三金属层制程后过渡走线截面结构示意图；图6为第三绝缘层制程后过渡走线截面结构示意图；图7为图5、图6所示过渡走线乱断路后的防静电设计原理图；其中：基板-100；TFT膜层-200；第一金属层-210；第一绝缘层-220；第二金属层-230；第二绝缘层-240；第三金属层-250；第三绝缘层-260；a-Si层-270；N+a-Si层-280；过孔-290；VCOM电极-300；栅极走线-400；过渡走线-500；蚀刻过孔-510。具体实施方式下面描述本技术的优选实施方式，本领域普通技术人员将能够根据下文所述用本领域的相关技术加以实现，并能更加明白本技术的创新之处和带来的益处。参考图1，一种TFT防静电结构，包括基板100以及形成于基板100上的TFT膜层200、VCOM电极300、栅极走线400，所述VCOM电极300、栅极走线400单独与所述TFT膜层200电性连接，所述栅极走线400还引出有过渡走线500，栅极走线400通过所述过渡走线500直接与VCOM电极300连接。相对于图2所示的传统防静电结构设计，如图1所示，本技术通过设置过渡走线500将TFT产品在制造过程中的VCOM电极300、G-走线直接电性导通，在产品制作过程中若有静电发生，可以达到立刻释放静电的目的。具体的，如图3所示，所述TFT膜层200为包括三层金属的多层膜结构，但不局限于此，也可根据实际需求设置多于三层的金属层，其第一金属层210形成于所述基板100上，作为TFT产品的漏极，相邻金属层之间以及最后一层金属层之上还设置有绝缘层。进一步的，所述TFT膜层200的多层结构中，其第一绝缘层220与第二金属层230之间还设置有a-Si层270、N+a-Si层280，所述a-Si层270形成于第一绝缘层220之上，所述N+a-Si层280覆于a-Si层270以及第一绝缘层220上方；其第二金属层230通过过孔290结构被第二绝缘层240划分为左右两段，作为TFT产品的源极、漏极，所述N+a-Si层280同样被过孔290划分为左右两段，并对应设置于源极、漏极的下方。所述栅极走线400、过渡走线500与所述TFT膜层200同步逐层铺设、蚀刻，制程简便，无需增设工序。具体的，如图6所示，为产品制程完毕后过渡走线500的最终截面结构，所述过渡走线500为匹配TFT膜层200的具备三层金属的可蚀刻走线，但不局限于此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT防静电结构，包括基板以及形成于基板上的TFT膜层、VCOM电极、栅极走线，所述VCOM电极、栅极走线单独与所述TFT膜层电性连接，其特征在于：/n所述栅极走线还引出有过渡走线，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极连接；/n所述TFT膜层为包括至少三层金属的多层膜结构，所述过渡走线为匹配TFT膜层的多层次可蚀刻走线；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成前，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极电性导通；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，所述过渡走线经蚀刻断路，栅极走线通过TFT膜层与VCOM电极电性导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT防静电结构，包括基板以及形成于基板上的TFT膜层、VCOM电极、栅极走线，所述VCOM电极、栅极走线单独与所述TFT膜层电性连接，其特征在于：
所述栅极走线还引出有过渡走线，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极连接；
所述TFT膜层为包括至少三层金属的多层膜结构，所述过渡走线为匹配TFT膜层的多层次可蚀刻走线；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成前，栅极走线通过所述过渡走线与VCOM电极电性导通；所述TFT膜层的最后一层金属层制程完成后，所述过渡走线经蚀刻断路，栅极走线通过TFT膜层与VCOM电极电性导通。


2.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述栅极走线、过渡走线与所述TFT膜层同步逐层铺设、蚀刻。


3.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述TFT膜层还包括与所述金属层交替层叠设置的绝缘层，其第一金属层形成于所述基板上，所述绝缘层设置于相邻金属层之间以及最后一层金属层之上。


4.根据权利要求1所述的一种TFT防静电结构，其特征在于：所述过渡走线的多层次结构中，其第一金属层形成于基板上，最后一层金属层被完全蚀刻去除，其绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欢，韦培海，张泽鹏，马亮，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51