一种TFT膜层防静电结构制造技术

本实用新型专利技术提出了一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；相邻金属层的跨接位置形成有跨接阶梯，所述第二金属层在跨接阶梯位置加宽设置；区别于传统的上层金属在跨接位置窄小尖锐、容易形成放电尖端击穿产品的结构，本实用新型专利技术通过将跨接阶梯位置的第二金属层加宽，增加相邻金属层在跨接位置交叠面积以降低压差，有效避免尖端放电损伤产品，结构简单，制程简便，可进一步提高TFT膜层产品良率，保证产品质量。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT膜层防静电结构
本技术涉及显示屏防静电结构领域，尤其涉及一种TFT膜层防静电结构。
技术介绍
传统TFT膜层结构，相邻金属层的位置关系不仅仅局限于常见的平行叠放，根据实际的布线需要，相邻金属层不可避免的会存在跨接交叠，跨接交叠位置会形成跨接阶梯结构，一方面，上层金属在跨接阶梯位置成膜环境比平坦处更加复杂，成膜难度大，成膜质量没有平坦处膜质好，加之跨接位置相邻金属层间隔较小，造成该位置产生静电概率较高；另一方面，上层金属在跨接阶梯位置整体宽度较窄，与下层金属的交叠面积极小，导致在此位置电容较小，结合ΔU=Q/C（其中ΔU为两金属层的压差、Q为电荷、C为电容）可知，在电荷Q不变情况下，相邻金属交叠面积越小，压差ΔU越大，越容易形成放电尖端造成产品损伤，TFT膜层的质量无法的得到保证，因此急需一种能够在跨接阶梯位置保证TFT膜层质量的防静电结构。
技术实现思路
为解决上述相邻金属层跨接阶梯位置上层金属层窄小，容易造成尖端放电击穿产品的问题，本技术提出了一种TFT膜层防静电结构，通过加宽上层金属降低压差，来解决尖端放电造成TFT膜层损伤的问题。一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；相邻金属层的跨接位置形成有跨接阶梯，所述第二金属层在跨接阶梯位置加宽设置，避免在跨接阶梯位置形成放电尖端积聚静电击穿产品，保证产品质量。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上，所述第二金属层形成第一绝缘层上方。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第一绝缘层上方形成有第一透明金属。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第一透明金属的上方形成有硅岛，所述第二金属层位于硅岛上方，其底面与所述硅岛接触设置，有效降低膜层阻抗，保证产品显示效果。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第二金属层的上方还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层的上方形成有第二透明金属。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，金属层跨接位置的各个膜层与金属层平行叠放位置的各个膜层同步进行铺设、蚀刻，制程简便，无需增加新的工艺步骤，保证产品生产效率，有效控制产品生产成本。有益效果本技术所描述的一种TFT膜层防静电结构，通过将跨接阶梯位置的第二金属层加宽，增加相邻金属层在跨接位置交叠面积以降低压差，避免膜层在跨接位置形成放电尖端，防止静电积聚，有效避免尖端放电损伤产品，结构简单，制程简便，可进一步提高TFT膜层产品良率，保证产品质量。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定，在附图中：图1为本技术优选实施方式金属层跨接位置俯视图；图2为图1沿A-A剖面结构示意图；图3为现有TFT膜层跨接位置俯视图；图4为本技术优选实施方式TFT膜层平行叠放位置剖面结构示意图；其中：金属层-100；第一金属层-110；第二金属层-120；跨接阶梯-121；绝缘层-200；第一绝缘层-210；第二绝缘层-220；第一透明金属-300；硅岛-400；第二透明金属-500。具体实施方式下面描述本技术的优选实施方式，本领域普通技术人员将能够根据下文所述用本领域的相关技术加以实现，并能更加明白本技术的创新之处和带来的益处。具体实施方式下面描述本技术的优选实施方式，本领域普通技术人员将能够根据下文所述用本领域的相关技术加以实现，并能更加明白本技术的创新之处和带来的益处。参考图1和图2，一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层100，相邻金属层100之间设置有绝缘层200，具体的，所述金属层100包括有第一金属层110、第二金属层120，但不局限于此，所述第一金属层110位于最低层，常作为TFT膜层的栅极，所述第二金属层120跨接于第一金属层110之上，常作为TFT膜层结构的栅极或源极，第二金属层120跨接位置形成有跨接阶梯121，所述第二金属层120在跨接阶梯121位置加宽设置。如图3所示，传统TFT膜层在跨接位置，第二金属层120在跨接位置较为窄小，其与第一金属层110的交叠面积有限，导致在此位置电容较小，结合ΔU=Q/C（其中ΔU为两金属层的压差、Q为电荷、C为电容）可知，在电荷Q不变情况下，相邻金属交叠面积越小，压差ΔU越大，越容易形成放电尖端造成产品损伤，产品良率无法得到保证；对比图1、图2，本技术将第二金属层120在跨接阶梯121位置加宽设置，增大两者交叠面积以减小压差ΔU，可有效避免在跨接阶梯121位置形成放电尖端积聚静电击穿产品，提高产品良率，充分保证产品质量。具体的，如图2所示，所述第一金属层110与第二金属层120之间设置有第一绝缘层210，所述第一绝缘层210形成于第一金属层110之上，所述第二金属层120形成第一绝缘层210上方。参考图4，在金属层100平行叠放位置，所述第一绝缘层210上方还形成有第一透明金属300，所述第一透明金属300优选但不局限于使用ITO材质，一般用于TFT膜层的像素电极。进一步的，所述第一透明金属300平行叠放于第一绝缘层210之上，所述第一透明金属300的上方还形成有硅岛400，所述硅岛400与其上方的第二金属层120接触设置，有效降低膜层阻抗，保证产品显示效果。进一步的，如图4所示，在金属层100平行叠放位置，所述第二金属层120上方还设置有第二绝缘层220，所述第二绝缘层220的上方设置有第二透明金属500，所述第二透明金属500优选但不局限于使用ITO材质，可作为TFT膜层的公共电极，但不局限于此，也可根据实际需求设置其他膜层结构。进一步的，如图2所示的金属层100跨接位置的各个膜层与如图4所示的金属层100平行叠放位置的各个膜层同步进行铺设、蚀刻，制程简便，无需增加新的工艺步骤，可保证产品生产效率，同时有效控制产品生产成本。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施方式只局限于这些说明；对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：/n所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；/n相邻金属层的跨接位置形成有跨接阶梯，所述第二金属层在跨接阶梯位置加宽设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：
所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；
相邻金属层的跨接位置形成有跨接阶梯，所述第二金属层在跨接阶梯位置加宽设置。


2.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上，所述第二金属层形成第一绝缘层上方。


3.根据权利要求2所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：在金属层平行叠放位置，所述第一绝缘层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：于靖，余光棋，张泽鹏，董欣，韦培海，马亮，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51