静电防护结构制造技术

本发明专利技术涉及一种静电防护结构。其中，所述静电防护结构包括导电本体和导电凸起，导电本体环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地，所述导电凸起设置于所述导电本体。本发明专利技术通过在所述导电本体上设置导电凸起，即可通过尖端放电的方式有效消除静电，避免电荷在静电防护结构中大量积累，从而确保芯片的稳定性和安全性。

【技术实现步骤摘要】
静电防护结构
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种静电防护结构。
技术介绍
芯片也可以称为集成电路，随着集成电路制造工艺的不断发展，芯片封装密度和集成度越来越高，芯片尺寸越来越小，电路模块之间的干扰也越来越明显，静电防护显得更为重要。ESD(ElectroStaticdischarge，静电释放)现象所带来的过量电荷会在极短的时间内经由具体电路的输入输出引脚传入具体电路中，进而破坏芯片的具体电路。目前芯片封装布局中，在芯片周围一般设置防护圈(sealring)结构，该防护圈结构与芯片之间有一定的距离，以有效间隔该半导体芯片的边缘，该防护圈结构的主要用途是在切割IC时，提供该IC避免遭受切割应力、水气及湿气入侵或静电电荷放电影响。但是，由于实际工艺的种种限制，组成所述防护圈的平滑导电线路并不能很好通过与接地的方式消除静电。如何有效消除芯片电路中的静电问题，确保芯片的稳定性和安全性，仍是本领域亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种静电防护结构，以有效的消除芯片电路中的静电，确保芯片的稳定性和安全性。本专利技术实施例提供了一种静电防护结构，包括：导电本体，环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地；和至少一个导电凸起，设置于所述导电本体。在其中一个实施例中，所述导电本体为从第一端开始至第二端结束的开放式防护圈线路。在其中一个实施例中，所述静电防护结构还包括测试垫，所述测试垫设置于所述开放式防护圈线路的两端。在其中一个实施例中，所述防护圈线路包括多圈导电线路，且每一所述导电线路均具有所述导电凸起。在其中一个实施例中，靠近所述芯片的所述导电线路上的所述导电凸起背向和/或朝向所述芯片。在其中一个实施例中，所述多圈导电线路中各所述导电线路的图形相同或不同。在其中一个实施例中，所述多圈导电线路中相邻的各所述导电线路的所述导电凸起交错排布。在其中一个实施例中，各所述导电线路的所述导电凸起形状相同或不同。在其中一个实施例中，所述导电本体最外侧的所述导电线路具有背向所述芯片方向间隔排布的所述导电凸起。在其中一个实施例中，所述导电凸起为矩形凸起。综上，本专利技术实施例提供了一种静电防护结构。其中，所述静电防护结构包括导电本体和至少一个导电凸起，导电本体环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地，所述导电凸起设置于所述导电本体。可以理解，导体表面有电荷堆积时，电荷密度与导体表面的形状有关，导体表面曲率越大，面电荷密度越大。当电荷密度达到一定的量值后，就会出现尖端放电，因此本专利技术通过在所述导电本体上设置导电凸起，即可通过尖端放电的方式有效消除静电，避免电荷在静电防护结构中大量积累，从而确保芯片的稳定性和安全性。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种静电防护结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种静电防护结构的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种静电防护结构的存在短路和/或断路的示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种静电防护结构的部分结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的其内侧具有指向芯片的导电凸起的静电防护结构的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。请参见图1和图2，本专利技术实施例提供了一种静电防护结构，所述静电防护结构包括导电本体100和至少一个导电凸起200，所述导电本体100环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体100接地，所述导电凸起200设置于所述导电本体100。可以理解，导体表面有电荷堆积时，电荷密度与导体表面的形状有关，在尖的部位最大。当电荷密度达到一定的量值后，就会出现尖端放电，因此本专利技术通过在所述导电本体上设置导电凸起200，即可通过尖端放电的方式有效消除静电，避免电荷在静电防护结构中大量积累，从而确保芯片的稳定性和安全性。在其中一个实施例中，所述导电本体100为从第一端开始至第二端结束的开放式防护圈线路。本实施例中，所述开放式防护圈线路从第一端开始至第二端结束，将需要保护的芯片完全包围，且与所述芯片之间具有一定的距离，以有效间隔该芯片的边缘，用于在切割时，防止芯片遭受切割应力、水气及湿气入侵或静电电荷放电影响。在其中一个实施例中，所述静电防护结构还包括测试垫300，其所述测试垫300设置于所述开放式防护圈线路的两端。请参见图3，可以理解，在切割的过程中，划片刀速度、装片顶针位置/顶针高度和吸嘴压力、塑封框架不到位以及切筋打弯异常等都会引起芯片裂纹,从而在从IC焊接到PCB板或使用过程中出现严重的失效和可靠性质量问题。而当芯片出现裂纹，环绕在其周围的防护圈线路也会因裂纹而产生而开路节点G。因此，可通过所述测试垫300为所述防护圈线路提供检测信号，进而获取所述防护圈线路的电阻，并在所述防护圈线路的电阻变得无限大时，判定两个测试垫300之间的防护圈线路部分存在开路，此时所述芯片中可能存在裂纹。此外，在制作或后续封装的过程中，也有可能会造成防护圈内部短路。同理，若防护圈线路中存在短路节点S可通过所述测试垫300为所述防护圈线路提供检测信号，获取所述防护圈线路的电阻。并在所述防护圈线路的电阻变小时，判定所述防护圈线路中存在短路。需指出的是，所述防护圈线路中的短路是指当所述防护圈线路包括多圈导电线路时，相邻的两圈线路之间存在连接。需注意的是，本专利技术并不对所述测试垫300的位置进行限定，具有可根据实际需要进行设置。在其中一个实施例中，所述导电本体100为封闭式防护圈线路。在其中一个实施例中，所述静电防护结构可以是矩形、圆形或其它不规则形状，其具体形状可根据所需保护的芯片的外围形状进行设定。在其中一个实施例中，所述防护圈线路包括多圈导电线路，且每一所述导电线路均具有多个所述导电凸起200。可以理解，所述防护圈线路包括多圈导电线路，且每一所述导电线路均具有多个所述导电凸起200时，可通过增多导电凸起200的数量，有效避免电荷大量集聚，进一步提升消除静电的能力。此外，在导体带电量较小而导电凸起200又较尖时,尖端放电多为电晕型放电，这种放电只在尖端附近局部区域内进行，使这部分区域的空气电离,因放电能量较小，所以不会设备或人体造成损伤。此外，所述防护圈线路还可以仅包括一圈导电线路；或者，所述导电线路的圈数并不为整数。在其中一个实施例中，所述多圈导电线路中各所述导电线路的图形相同或不同。在具体实施例中，多圈所述导电线路的形状可以一致，也可以是不一致。例如，所述防护圈线路可以包括3圈导线线路，请参见图4，最内侧的导电线路100a与最外侧的导电线路100c结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电防护结构，其特征在于，包括：/n导电本体，环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地；和/n导电凸起，设置于所述导电本体。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电防护结构，其特征在于，包括：
导电本体，环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地；和
导电凸起，设置于所述导电本体。


2.如权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述导电本体为从第一端开始至第二端结束的开放式防护圈线路。


3.如权利要求2所述的静电防护结构，其特征在于，还包括测试垫，所述测试垫设置于所述开放式防护圈线路的两端。


4.如权利要求1至3任一所述的静电防护结构，其特征在于，所述导电本体包括多圈导电线路，且每一所述导电线路均具有所述导电凸起。


5.如权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，靠近所述芯片的所述导电线路上的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34