一种TFT膜层防静电结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；所述第一金属层在与第二金属层的跨接位置至少断开为上段、中段、下段；所述第二金属层匹配第一金属层分段结构设置有小块金属，所述小块金属跨接于第一金属层的中段之上，其两端分别搭接于第一金属层的上段与下段；以上结构将相邻金属层原跨接位置的大片金属断开设置，并使用小块金属跨接，有效避免了因大块金属跨接造成的静电累积，可有效降低产品被静电击伤的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT膜层防静电结构
本技术涉及显示屏防静电结构领域，尤其涉及一种TFT膜层防静电结构。
技术介绍
传统TFT膜层结构，相邻金属层的位置关系不仅仅局限于常见的平行叠放，根据实际的布线需要，相邻金属层不可避免的会存在跨接交叠，而相邻金属层通常为大片金属，容易积累静电，大大增加了产品被静电击穿概率；其次，位于跨接位置的相邻金属层之间距离较近，两者之间容易产生静电，尤其是当绝缘层膜质较差时，相邻金属层更是容易产生静电击伤产品，加之跨接位置大片金属的静电大量累积，TFT产品质量无法得到有效保证。
技术实现思路
为解决上述相邻金属层因大片金属跨接结构静电累积导致产品容易被击伤的问题，本技术提出了一种TFT膜层防静电结构，通过将跨接位置的金属层分段设置，并使用小块金属搭接，有效减少静电积累，降低相邻金属层静电产生概率，主要通过以下结构实现。一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；所述第一金属层在与第二金属层的跨接位置至少断开为上段、中段、下段，有效减少因大片金属结构造成的静电累积；所述第二金属层匹配第一金属层分段结构设置有小块金属，所述小块金属跨接于第一金属层的中段之上，其两端分别搭接于第一金属层的上段与下段，进一步的避免因使用大块金属跨接造成的静电累积。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上，所述第二金属层设置于第一绝缘层上方。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述小块金属与第一金属层之间同样设置有第一绝缘层，所述小块金属形成于第一绝缘层之上。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第一绝缘层在小块金属与第一金属层上段、下段的搭接位置还设置有过孔，所述小块金属延伸至过孔内设置，通过小块金属实现第一金属层上段、下段的导通，同时更加便于小块金属与第一金属层的搭接固定。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第二金属层在跨接位置设置为左、右两段，其左、右两段分别搭接于第一金属层中段的两端。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第一绝缘层在第二金属层的左段、右段与第一金属层中段的搭接位置设置有过孔，所述第二金属层延伸至所述过孔内与第一金属层中段接触，形成电性通路，同时更便于第二金属层的左段、右段与第一金属层的搭接固定。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，所述第一金属层的中段向左右两侧延伸，宽于上段、下段设置，便于第二金属层与中段端搭接。有益效果本技术所描述的一种TFT膜层防静电设计，区别于传统TFT膜层使用大块金属跨接的结构，本技术通过将跨接位置的金属层分段，并使用小块金属搭接，有效减少静电积累，有效防止产品被静电击伤；其次，其分段结构可在膜层铺设时同步蚀刻，制程相对简便，完美解决了TFT产品因相邻金属层大块金属跨接静电大量积累造成的产品损坏问题。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定，在附图中：图1为本技术优选实施方式金属层跨接位置俯视图；图2为图1沿A-A剖面结构示意图；图3为现有TFT膜层跨接位置俯视图；图4为图3沿B-B剖面结构示意图；图5为TFT膜层平行叠放位置剖面结构示意图；其中：金属层100；第一金属层110；上段111；中段112；下段113；第二金属层120；小块金属121；左段122；右段123；过孔124；绝缘层200；第一绝缘层210；第二绝缘层220；第一透明金属300；硅岛400；第二透明金属500。具体实施方式下面描述本技术的优选实施方式，本领域普通技术人员将能够根据下文所述用本领域的相关技术加以实现，并能更加明白本技术的创新之处和带来的益处。如图1、图2所示，一种TFT膜层防静电结构，包括两层金属层100，但不局限于此，相邻金属层100之间设置有绝缘层200，所述金属层100包括有第一金属层110、第二金属层120；所述第一金属层110与第二金属层120之间设置有第一绝缘层210，所述第一绝缘层210形成于第一金属层110之上，所述第二金属层120设置于第一绝缘层210上方。如图1所示，所述第一金属层110在与第二金属层120的跨接位置断开为上段111、中段112、下段113，但不局限于此，区别于如图3所示的大片金属跨接结构，本技术将金属层100分段设置可有效减少因大片金属跨接造成的静电累积。进一步的，所述第二金属层120匹配第一金属层110分段结构设置有小块金属121，所述小块金属121跨接于第一金属层110的中段112之上，其两端分别搭接于第一金属层110的上段111与下段113，进一步的避免因使用大块金属跨接造成的静电累积。所述小块金属121与第一金属层110之间同样设置有第一绝缘层210，所述小块金属121形成于第一绝缘层210之上，所述第一绝缘层210在小块金属121与第一金属层110上段111、下段113的搭接位置还设置有过孔124，所述第二金属层120延伸至过孔124内并与位于下层的第一金属层110接触，通过小块金属121实现第一金属层110的上段111、下段113的导通，同时更加便于小块金属121与第一金属层110的搭接固定。进一步的，所述第二金属层120在跨接位置设置为左段122、右段123，其左段122、右段123分别搭接于第一金属层110中段112的两端，所述第一金属层110的中段112向左右两侧延伸，宽于上段111、下段113设置，便于第二金属层120与中段112端搭接。所述第一绝缘层210在第二金属层120的左段122、右段123与第一金属层110中段112的搭接位置设置有过孔124，所述第二金属层120延伸至所述过孔124内设置，并与第一金属层110的中段112接触，形成电性通路，同时更便于第二金属层120的左段122、右段123与第一金属层110的中段112进行搭接固定。如图5所示，在金属层100平行叠放位置，所述第一透明金属300平行叠放于第一绝缘层210之上，所述第一透明金属300的上方还设置有硅岛400，所述硅岛400与其上方的第二金属层120接触设置，所述第一透明金属300上方还设置有第二绝缘层220，所述第二绝缘层220的上方设置有第二透明金属500，所述第二透明金属500优选但不局限于使用ITO材质，可作为TFT膜层的公共电极，但不局限于此，也可根据实际需求设置其他膜层结构。所述平行叠放位置的膜层结构与其跨接位置的金属层100分段结构设计同步统一进行铺设、蚀刻，制程简本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：/n所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；/n所述第一金属层在与第二金属层的跨接位置至少断开为上段、中段、下段；/n所述第二金属层匹配第一金属层分段结构设置有小块金属，所述小块金属跨接于第一金属层的中段之上，其两端分别搭接于第一金属层的上段与下段。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：
所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层；
所述第一金属层在与第二金属层的跨接位置至少断开为上段、中段、下段；
所述第二金属层匹配第一金属层分段结构设置有小块金属，所述小块金属跨接于第一金属层的中段之上，其两端分别搭接于第一金属层的上段与下段。


2.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：具体的，所述第一金属层与第二金属层之间设置有第一绝缘层，所述第二金属层设置于第一绝缘层上方，所述第一绝缘层形成于第一金属层之上。


3.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：所述小块金属与第一金属层之间同样设置有第一绝缘层，所述小块金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：于靖，余光棋，张泽鹏，董欣，韦培海，马亮，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51