本实用新型专利技术公开了一种TFT膜层防静电结构，尤其适用于相邻金属层交叠跨接位置静电的预防，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，相邻金属层在交叠跨接位置还保留有第一透明金属，所述第一透明金属形成于绝缘层上方，且与上层金属层直接接触；相邻金属层因布线需求不可避免的会存在交叠跨接，位于跨接位置的相邻金属层距离变近，绝缘层并不能充分防止相邻金属层静电的产生，本实用新型专利技术通过在相邻金属层交叠跨接位置保留第一透明金属，无需增加新工序，制程简便，可有效加大相邻金属层跨接位置的间距，降低静电产生概率，同时第一透明金属与金属层直接接触，可减小膜层阻抗，有助于提升产品显示效果。
【技术实现步骤摘要】
一种TFT膜层防静电结构
本技术涉及显示屏防静电结构领域，尤其涉及一种TFT膜层防静电结构。
技术介绍
在TFT膜层结构中，相邻金属层的位置关系不仅仅局限于常见的平行叠放，根据实际的布线需要，相邻金属层不可避免的会存在跨接交叠，传统TFT膜层结构，位于跨接位置的相邻金属层之间距离较近，此位置的透明金属往往会被蚀刻去除，导致相邻金属层之间仅有绝缘层间隔，而绝缘层结构并不能充分防止相邻金属层静电的产生，尤其是当绝缘层膜质较差时，相邻金属层更是容易产生静电击伤产品，导致TFT产品的稳定性无法的得到有效保证。
技术实现思路
为解决上述相邻金属层跨接位置容易产生静电的问题，本技术提出了一种TFT膜层防静电结构，通过在相邻金属层跨接位置保留第一透明金属，在不增加原有工艺步骤的情况下，有效降低相邻金属层静电产生概率，主要通过以下结构实现。一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，相邻金属层在交叠跨接位置还设置有第一透明金属，所述第一透明金属形成于绝缘层上方且与上层金属层接触设置，所述第一透明金属化学性质稳定，具备一定厚度，可加大相邻金属间距，有效降低产品被静电击伤概率，同时其与金属层直接接触设置，可有效减少阻抗。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，具体的，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层，所述第一金属层位于最低层，其上形成有第一绝缘层。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层交叠位置，所述第二金属层跨接于第一金属层之上，所述第一透明金属形成于第一绝缘层上方且于第二金属层直接接触设置，可有效降低第二金属层金属的阻抗，提升产品显示效果。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层交叠位置，所述第一透明金属宽于第二金属层设置，其同样跨接于第一金属层之上，减少两金属层跨接位置被静电击伤概率。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第一透明金属平行叠放于第一绝缘层之上。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第一透明金属的上方还形成有硅岛，所述第二金属层位于硅岛上方，其底面与所述硅岛接触设置。作为本技术提供的一种TFT膜层防静电结构的一种实施方式，在金属层平行叠放位置，所述第二金属层的上方还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层的上方形成有第二透明金属。有益效果以上所描述的一种TFT膜层防静电结构，在相邻金属层交叠跨接位置保留第一透明金属，无需增加工艺步骤，制程简便，所述第一透明金属具有一定厚度，可加大跨接位置相邻金属层的间距，有效降低静电产生概率，同时所述第一透明金属与第二金属层直接接触，可降低阻抗，快速疏导电荷的流通，有助于提升产品显示效果。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定，在附图中：图1为本技术优选实施方式金属层跨接位置俯视图；图2为图1沿A-A剖面结构示意图；图3为现有TFT膜层跨接位置俯视图；图4为图3沿B-B剖面结构示意图；图5为本技术优选实施方式TFT膜层平行叠放位置剖面结构示意图；其中：金属层-100；第一金属层-110；第二金属层-120；绝缘层-200；第一绝缘层-210；第二绝缘层-220；第一透明金属-300；硅岛-400；第二透明金属-500。具体实施方式下面描述本技术的优选实施方式，本领域普通技术人员将能够根据下文所述用本领域的相关技术加以实现，并能更加明白本技术的创新之处和带来的益处。如图1和图2所示，一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层100，相邻金属层100之间设置有绝缘层200，相邻金属层100在交叠跨接位置还保留有第一透明金属300；如图3、图4所示，传统TFT膜层在跨接位置的第一透明金属300被完全蚀刻去除，仅保留绝缘层200，此结构并不能有效防止静电产生，本技术在不增加原有工艺步骤的情况下保留第一透明金属300，可有效降低相邻金属层静电产生概率。具体的，所述第一透明金属300形成于绝缘层200上方且与上层金属层100接触设置，所述第一透明金属300优选但不局限于使用ITO材质，其化学性质稳定，具备一定厚度，可加大相邻金属间距，有效降低产品被静电击伤概率；同时其与第二金属层120直接接触设置，可有效减少阻抗。进一步的，所述金属层100至少包括有第一金属层110、第二金属层120，所述第一金属层110位于最低层，常作为TFT膜层的栅极，也可以是诸如VCOM的大片金属，但不局限于此，其位于显示屏AA区四周；所述第二金属层120可作为位于显示屏AA区的栅极或源极，但不局限于此，所述第一金属层110上形成有第一绝缘层210。结合图1和图2，在金属层100交叠位置，所述第二金属层120跨接于第一金属层110之上，所述第一透明金属300形成于第一绝缘层210上方且于第二金属层120直接接触设置，所述第一透明金属300宽于第二金属层120设置，其同样跨接于第一金属层110之上，可有效减少两金属层100跨接位置被静电击伤概率，其与第二金属层120的相互接触结构，也可有效降低第二金属层120金属的阻抗，提升产品显示效果。如图5所示，在金属层100平行叠放位置，所述第一透明金属300平行叠放于第一绝缘层210之上，所述第一透明金属300的上方还设置有硅岛400，所述硅岛400与其上方的第二金属层120接触设置，所述第二金属层120上方还设置有第二绝缘层220，所述第二绝缘层220的上方设置有第二透明金属500，所述第二透明金属500优选但不局限于使用ITO材质，可作为TFT膜层的公共电极，但不局限于此，也可根据实际需求设置其他膜层结构。以上所述的第一绝缘层210、第二绝缘层220优选但不局限于使用氮化硅材质。对比图1和图3、图2和图4，相较于现有的TFT膜层结构，以上所描述的一种TFT膜层防静电设计，在相邻金属层100交叠跨接位置保留第一透明金属300，不再进行蚀刻去除，因此无需增加工艺步骤，制程简便，所述第一透明金属300具有一定厚度，可加大跨接位置相邻金属层100的间距，有效降低静电产生概率，同时所述第一透明金属300与上层金属层100直接接触，可降低阻抗，快速疏导电荷的流通，显著提升产品显示效果。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施方式只局限于这些说明；对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：相邻金属层在交叠跨接位置还保留有第一透明金属，所述第一透明金属形成于绝缘层上方且与上层金属层接触设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种TFT膜层防静电结构，包括至少两层金属层，相邻金属层之间设置有绝缘层，其特征在于：相邻金属层在交叠跨接位置还保留有第一透明金属，所述第一透明金属形成于绝缘层上方且与上层金属层接触设置。
2.根据权利要求1所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：具体的，所述金属层至少包括有第一金属层、第二金属层，所述第一金属层位于最低层，其上形成有第一绝缘层。
3.根据权利要求2所述的一种TFT膜层防静电结构，其特征在于：在金属层交叠位置，所述第二金属层跨接于第一金属层之上，所述第一透明金属形成于第一绝缘层上方且于第二金属层直接接触。
4.根据权利要求2所述的一种TFT膜层...
【专利技术属性】
技术研发人员：于靖，余光棋，张泽鹏，董欣，韦培海，马亮，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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