可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备制造技术

本发明专利技术提供一种可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备，包括腔体、溅射装置、基座、挡板、驱动装置、驱动齿轮、传动齿轮及多个可动遮挡单元；挡板包括第一部分和第二部分，第一部分沿腔体的周向分布，第二部分一端与第一部分的底部相连接，另一端向腔体的中心方向延伸；驱动齿轮和传动齿轮相啮合；多个可动遮挡单元位于传动齿轮的内侧，各可动遮挡单元包括相互连接的啮合部和遮挡部，啮合部与传动齿轮相啮合，相邻的遮挡部部分重叠，以在遮挡部的内侧形成溅射通道；驱动装置与驱动齿轮相连接；当驱动齿轮在驱动装置的驱动下旋转时，传动齿轮在啮合作用下旋转，并带动可动遮挡单元旋转，由此改变溅射通道的大小。本发明专利技术有助于提高镀膜均匀性。

【技术实现步骤摘要】
可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种用于制造集成电路的设备，尤其是涉及一种可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备。
技术介绍
镀膜工艺是半导体器件制备过程中的重要工艺。镀膜均匀性对产品质量至关重要，其不仅是薄膜参数的重要指标之一，同时也是衡量物理气相沉积（PVD）设备的核心指标。镀膜厚度的均匀性与靶基距（溅射靶材与晶圆基座的距离）、靶材上方磁铁组件的型号及气体流量等都有较大的关系。镀膜过程中，晶圆放置在基座上，非镀膜面与基座相接触，镀膜面向上与靶材相对。对于某些功率器件、封装类器件等产品，在晶圆上镀膜时通常要求不能将金属薄膜溅镀在晶圆的非镀膜面。现有技术中，为了防止晶圆的非镀膜面被溅镀上薄膜而影响器件的功能，一般会在晶圆边缘上方设置遮挡组件（例如对于内径为300mm的晶圆，通常会采用口径略小于晶圆内径，如内径为290mm或者280mm的遮蔽环）来进行遮挡溅射，避免晶圆的非镀膜面被污染。现有公开技术中，遮蔽环的设计主要有两种：第一种是遮蔽环压住晶圆边缘随晶圆基座一起上下运动以实现镀膜均匀性的可调，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备，其特征在于，包括腔体、溅射装置、基座、挡板、驱动装置、驱动齿轮、传动齿轮及多个可动遮挡单元；所述溅射装置位于所述腔体顶部；所述基座、挡板、驱动齿轮、传动齿轮及可动遮挡单元位于所述腔体内，且驱动齿轮、传动齿轮及可动遮挡单元位于所述溅射装置和基座之间；所述挡板包括第一部分和第二部分，所述第一部分沿所述腔体的周向分布，所述第二部分一端与所述第一部分的底部相连接，另一端向所述腔体的中心方向延伸；所述驱动齿轮和传动齿轮相啮合；所述多个可动遮挡单元位于所述传动齿轮的内侧，各所述可动遮挡单元包括相互连接的啮合部和遮挡部，所述啮合部与所述传动齿轮相啮合，相邻的遮挡...

【技术特征摘要】
1.一种可灵活调整溅射范围的物理气相沉积设备，其特征在于，包括腔体、溅射装置、基座、挡板、驱动装置、驱动齿轮、传动齿轮及多个可动遮挡单元；所述溅射装置位于所述腔体顶部；所述基座、挡板、驱动齿轮、传动齿轮及可动遮挡单元位于所述腔体内，且驱动齿轮、传动齿轮及可动遮挡单元位于所述溅射装置和基座之间；所述挡板包括第一部分和第二部分，所述第一部分沿所述腔体的周向分布，所述第二部分一端与所述第一部分的底部相连接，另一端向所述腔体的中心方向延伸；所述驱动齿轮和传动齿轮相啮合；所述多个可动遮挡单元位于所述传动齿轮的内侧，各所述可动遮挡单元包括相互连接的啮合部和遮挡部，所述啮合部与所述传动齿轮相啮合，相邻的遮挡部部分重叠，以在所述遮挡部的内侧形成溅射通道；所述驱动装置与所述驱动齿轮相连接；当所述驱动齿轮在所述驱动装置的驱动下旋转时，所述传动齿轮在啮合作用下旋转，并带动所述可动遮挡单元旋转，由此改变溅射通道的大小。


2.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述驱动装置包括电机、轴承及转轴；所述电机位于所述腔体外，所述转轴一端与所述电机相连接，另一端向上延伸到所述腔体内，且与所述驱动齿轮相连接，所述轴承位于所述转轴和所述腔体之间。


3.根据权利要求2所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述驱动装置包括两组电机、轴承及转轴，以自相对的两侧驱动所述驱动齿轮。


4.根据权利要求2所述的物理气...

【专利技术属性】
技术研发人员：方合，张慧，崔世甲，宋维聪，
申请(专利权)人：陛通半导体设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32