一种氧化铝图形化方法以及LED芯片技术

本发明专利技术涉及一种氧化铝图形化方法以及LED芯片，形成图形化的氧化铝层时，先在外延片上设置遮挡层，然后对遮挡层进行图形化处理，得到顶横截面大于底横截面的遮挡结构。由于遮挡结构可以作为屏障将外延片对应区域隐藏起来，这样在形成氧化铝层的过程中，外延片的该区域就会因为遮挡结构的遮挡而不会被氧化铝层覆盖，而其他区域因为没有被遮挡结构遮挡，会被氧化铝层覆盖。随后除去遮挡结构，就可以使得没有被氧化铝层覆盖的外延片暴露出来，进而得到图形化的氧化铝层。不需要对氧化铝层进行刻蚀就可以得到图形化的氧化铝层，避免了氧化铝图形化过程中对外延片的损伤，有利于生产出品质优秀的LED芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铝图形化方法以及LED芯片
本专利技术涉及发光二极管(LightEmittingDiode，LED)领域，尤其涉及一种氧化铝图形化方法以及LED芯片。
技术介绍
制备LED芯片时，出于钝化等目的，需要在外延片上形成图形化的氧化铝(Al2O3)层。在相关技术中，通常是先在外延片上形成包覆外延片的氧化铝层，然后再根据需要对氧化铝层进行蚀刻，直至氧化铝层的部分区域被蚀刻掉，外露出外延片，从而得到图形化的氧化铝层。本来通常情况下会采用磷酸在高温下对氧化铝进行时刻，但因为衬底的材质也是，氧化铝，所以如果采用湿法蚀刻，就会损伤衬底。而采用干法蚀刻氧化铝层的时候，不仅蚀刻效率低，影响LED芯片的生产效率，而且蚀刻过程也容易损伤外延片，从而降低LED芯片的品质。因此，如何实现氧化铝层的图形化亟需解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种氧化铝图形化方法以及LED芯片，旨在解决相关技术中对氧化铝进行图形化处理效率不高，容易损伤外延片的问题。一种氧化铝图形化方法，包括：在外延片上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化铝图形化方法，其特征在于，包括：/n在外延片上设置遮挡层；/n对所述遮挡层进行图形化处理至所述外延片上氧化铝的目标设置区暴露，得到遗留遮挡层；所述遗留遮挡层中包括顶横截面大于底横截面的遮挡结构，所述底横截面与所述顶横截面分别为所述遮挡结构距离所述外延片最近与最远的两个横截面；/n形成覆盖所述目标设置区的氧化铝层；/n去除所述遗留遮挡层。/n

【技术特征摘要】
1.一种氧化铝图形化方法，其特征在于，包括：
在外延片上设置遮挡层；
对所述遮挡层进行图形化处理至所述外延片上氧化铝的目标设置区暴露，得到遗留遮挡层；所述遗留遮挡层中包括顶横截面大于底横截面的遮挡结构，所述底横截面与所述顶横截面分别为所述遮挡结构距离所述外延片最近与最远的两个横截面；
形成覆盖所述目标设置区的氧化铝层；
去除所述遗留遮挡层。


2.如权利要求1所述的氧化铝图形化方法，其特征在于，所述去除所述遗留遮挡层包括：
采用粘附层粘附所述遮挡结构的顶横截面；
向所述粘附层施加远离所述外延片方向的拉力，直至所述遮挡结构断裂；
去除断裂后遗留在所述外延片上的残余遮挡结构。


3.如权利要求2所述的氧化铝图形化方法，其特征在于，所述去除断裂后遗留在所述外延片上的残余遮挡结构包括：
对遗留在所述外延片上的残余遮挡结构进行研磨抛光处理，直至所述残余遮挡结构去除。


4.如权利要求2所述的氧化铝图形化方法，其特征在于，所述采用粘附层粘附所述遮挡结构的顶横截面包括：
采用蓝膜粘附所述遮挡结构的顶横截面。


5.如权利要求1所述的氧化铝图形化方法，其特征在于，所述形成覆盖所述目标设置区的氧化铝层包括：
采用原子层淀积ALD工艺在所述遗留遮挡层以及所述目标设置区上形成氧化铝层。


6.如权利要求1所述的氧化铝图形化方法，其特征在于，所述形成覆盖所述目标设置区的氧化铝层包括：
形成覆盖所述目标设置区，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50