【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种半导体发光元件和发光装置
本专利技术涉及半导体发光领域,具体为一种半导体发光元件。
技术介绍
半导体发光元件,又称发光二极管(LED),是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有广泛的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。传统的发光二极管包括正装、倒装以及垂直结构。其中正装和垂直都依赖于半导体发光序列层的表面提供出光面,倒装依赖于衬底一侧表面提供出光面。正装和垂直的半导体发光序列层的表面都会设置P电极和N电极,并且电极周围的半导体发光序列层表面被绝缘透光层包覆住,半导体发光序列层内部辐射的光到达其表面后,需要穿过绝缘透光层以辐射出半导体发光元件。其中绝缘透光层的透光率影响半导体发光元件的光效。并且发光元件如果通过硅胶或者环氧树脂进行密封形成封装体,则还需要考虑绝缘透光层与硅胶、环氧树脂之间的界面对光取出的影响。现有正装或者垂直LED透光结构为单层的SiO2膜,这种常规的SiO2层只会起到防止芯粒侧面裸露发光层的作用,但是对于发光二极管内部正面光的透射无任何帮助,这种常规的SiO2保护层结构限制了LED光效的进一步的提升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体发光体元件,其针对半导体发光元件的绝缘透光层进行改进,以提高LED光效,并且改善小电流下的VF4(为1微安电流下的电压值)。根据本专利技术的第一个方面,一种半导体发光元件,包括:半导体发光序列层,半导体发光序列层包括发光层; ...
【技术保护点】
1.一种半导体发光元件,其包括:半导体发光序列层,半导体发光序列层包括发光层;/n绝缘透光层,位于半导体发光序列层的出光面上;其特征在于:绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层,折射率渐变层由至少两层组成,底层介于半导体发光序列层和折射率渐变层之间,底层的折射率低于折射率渐变层的折射率,折射率渐变层的折射率随着远离底层的方向逐渐降低。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光元件,其包括:半导体发光序列层,半导体发光序列层包括发光层;
绝缘透光层,位于半导体发光序列层的出光面上;其特征在于:绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层,折射率渐变层由至少两层组成,底层介于半导体发光序列层和折射率渐变层之间,底层的折射率低于折射率渐变层的折射率,折射率渐变层的折射率随着远离底层的方向逐渐降低。
2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述折射率渐变层的折射率为1.6以上。
3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:半导体发光序列层的至少部分出光面与绝缘透光层之间还有透明导电层,其中透明导电层的折射率高于所述绝缘透光层的折射率。
4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层的底层为不含氮层。
5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层的底层具有低于1.5的折射率。
6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层的底层的厚度为10~80nm。
7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层包括与底层接触的第一层,第一层折射率位于1.8~1.95。
8.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的折射率渐变层的第一层为含氮层。
9.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层的第一层为氮化硅或者氮氧化硅。
10.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层包括第二层,第二层为绝缘透光层的最外层,第二层的折射率位于1.6~1.75。
11.根据权利要求10所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层的第二层为氮氧化硅或者氧化铝。
12.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层的第一层的厚度为10~300nm,所述的绝缘透光层的第二层的厚度为10~300nm。
13.根据权利要求12的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的绝缘透光层仅包括第一层和第二层,第一层为氮化硅,第二层为氮氧化硅或者氧化铝。
14.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的半导体发光序列层为AlxIn1-xGaN,0≤x≤1。
15.一种半导体发光元件,其包括:半导体发光序列层,半导体发光序列层包括发光层;
绝缘透光层,位于半导体发光序列层的出光面上;其特征在于:绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层,底层为不含氮...
【专利技术属性】
技术研发人员:王庆,马全扬,陈大钟,陈功,洪灵愿,彭康伟,林素慧,
申请(专利权)人:厦门三安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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