【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
本专利技术是关于一种发光二极管封装结构。
技术介绍
使用红色、绿色和蓝色发光二极管阵列作为显示器的发光像素已是众所周知的应用。这样的发光二极管显示器提供的光的亮度高于背光型液晶显示器的亮度，并且被广泛的应用于大型数字看牌和其他应用。这种发光二极管显示器需具有高对比度，但是外部光的反射可能导致错误照明并降低环境中的对比度。因此，一种能提供更高的亮度和更高的对比度发光二极管显示器是目前的市场需求。
技术实现思路
本专利技术提出一种创新的发光二极管封装结构，借以解决先前技术的问题。于本专利技术的一实施例中，一种发光二极管封装结构包含基板、至少一微型发光二极管芯片、黑色材料层以及透光材料层。基板具有宽度介于100微米至1000微米。微型发光二极管芯片电性连接至基板的上表面，微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米。黑色材料层覆盖基板的上表面，且裸露微型发光二极管芯片。透光材料层覆盖微型发光二极管芯片与黑色材料层。于本专利技术的一实施例中，至少一微型发光二...
【技术保护点】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：/n基板，具有宽度介于100微米至1000微米；/n至少一微型发光二极管芯片，电性连接至该基板的上表面，该至少一微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米；/n黑色材料层，覆盖该基板的该上表面，且裸露该至少一微型发光二极管芯片；以及/n透光材料层，覆盖该至少一微型发光二极管芯片与该黑色材料层。/n
【技术特征摘要】
20191014 US 16/600,5771.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
基板，具有宽度介于100微米至1000微米；
至少一微型发光二极管芯片，电性连接至该基板的上表面，该至少一微型发光二极管芯片具有宽度介于1微米至100微米；
黑色材料层，覆盖该基板的该上表面，且裸露该至少一微型发光二极管芯片；以及
透光材料层，覆盖该至少一微型发光二极管芯片与该黑色材料层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片具有厚度小于10微米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该黑色材料层包含光反射率小于10％的黑色光阻层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片与该黑色材料层具有相同的厚度。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片的发光表面具有第一表面积，该基板的该上表面具有第二表面积，该第一表面积与该第二表面积的面积比小于或等于5％。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透光材料层具有厚度小于100微米。
7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板的该宽度与该透光材料层的该厚度的比值大于或等于4。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透光材料层具有透光率大于或等于90％、92％或95％。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透光材料层具有顶部纹理表面。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一微型发光二极管芯片包含：
第一半导体层，具有裸露在外的发光表面，且该发光表面具有粗糙的纹理；
发光层，位于该第一半导体层上；
第二半导体层，位于该发光层上，其中该第二半导体层与该第一半导体层...
【专利技术属性】
技术研发人员：王德忠，郭修邑，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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