一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法技术

本发明专利技术提供了一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，包括S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛S2、将硅片置于中抛机进行中抛S3、将硅片置于精抛机进行精抛S4、抛光后进行初清洗S5、初清洗后进行最终清洗。本发明专利技术所述的硅片抛光采用的是化学机械抛光的方式，碱性抛光液对硅片有一定的腐蚀性,在中、精抛抛光过程结束及存放硅片的水槽使用界面活性剂，可以降低抛光液和水的氧化，从而降低氧化层的厚度，抛光后清洗采用低温低浓度的工艺方法，可以降低碱性清洗液对硅片的腐蚀氧化，同时通过新的SC‑2工艺可以利用HF将残留的氧化层腐蚀掉，从而得到较低氧化层厚度的硅抛光片表面。

【技术实现步骤摘要】
一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法
本专利技术属于硅片抛光领域，尤其是涉及一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法。
技术介绍
近年来，随着半导体材料的不断发展，其在电子、通讯、纳米制造等领域得到广泛的应用，硅片大直径化是集成电路技术线宽变细、元件数量增多、管芯面积增大和降低成本的需要，是硅材料的发展趋势，对原始硅材料和工艺质量的控制的要求也越来越严苛，硅片直径的增大，对硅片表面的完美型要求越来越高；硅抛光片表面氧化层是半导体材料的一项重要参数，对半导体性能和可靠性有很大影响，因此要获得较低厚度氧化层的硅衬底抛光片，对抛光及清洗的技术水平提出了更高的要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提出一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，以解决上述的不足之处。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，具体制作步骤如下：S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛S2、将硅片置于中抛机进行中抛S3、将硅片置于精抛机进行精抛<br>S4、抛光后进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，具体制作步骤如下：/nS1、将硅片置于粗抛机进行粗抛/nS2、将硅片置于中抛机进行中抛/nS3、将硅片置于精抛机进行精抛/nS4、抛光后进行初清洗/nS5、初清洗后进行最终清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，具体制作步骤如下：
S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛
S2、将硅片置于中抛机进行中抛
S3、将硅片置于精抛机进行精抛
S4、抛光后进行初清洗
S5、初清洗后进行最终清洗。


2.根据权利要求1所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，其特征在于：S2中的中抛步骤分为三个阶段，第一阶段使用原液与纯水体积比为1:30的中抛液B研磨，二阶段使用纯水研磨10-20s，三阶段使用浓度为1％-2％的界面活性剂研磨20-40s。


3.根据权利要求1所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，其特征在于：S3中的精抛步骤分为三个阶段，一阶段使用原液与纯水体积比为1:30...

【专利技术属性】
技术研发人员：石明，刘琦，李诺，孙晨光，王彦君，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32