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本发明提供了一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，包括S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛S2、将硅片置于中抛机进行中抛S3、将硅片置于精抛机进行精抛S4、抛光后进行初清洗S5、初清洗后进行最终清洗。本发明所述的硅片抛光采用的是化学机械抛光的...该专利属于中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司授权不得商用。