【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构及其制造方法、半导体器件
[0001]本专利技术涉及半导体封装
,具体涉及一种半导体封装结构及其制造方法、半导体器件。
技术介绍
[0002]对于多层堆叠的半导体封装结构,通常使用多个导电柱实现堆叠芯片之间的互联。导电柱一般通过对介质层钻孔后填入金属,或通过电镀方法直接形成导电柱再封装。由于激光钻孔和电镀工艺的限制,实现互联的导电柱尺寸和导电柱之间的间距都较大,使得导电柱及其周围的间隔区域占据了较大的空间和面积,影响封装结构的小型化。
技术实现思路
[0003]因此,本专利技术提供一种半导体封装结构及其制造方法、半导体器件,以解决半导体封装结构导电柱及其周围的间隔区域占据空间和面积较大,影响封装结构的小型化的问题。
[0004]本专利技术提供一种半导体封装结构,第一封装单元,第一封装单元包括:塑封层;第一互联结构层,所述第一互联结构层位于所述塑封层一侧表面,所述第一互联结构层包括第一金属层;第二互联结构层,所述第二互联结构层位于所述塑封层背向所述第一互联结构层一侧表面,所述第二互联结构层包括第二金属层;第一芯片,所述第一芯片位于所述第一互联结构层朝向所述塑封层一侧的表面,所述第一芯片连接所述第一金属层,所述塑封层包覆所述第一芯片;转接板,所述转接板位于所述塑封层中,所述转接板延展的平面垂直于所述第一互联结构层且垂直于所述第二互联结构层,所述转接板内具有转接板金属层,所述转接板金属层分别连接所述第一金属层和所述第二金属层。
[0005]可选的,所述转接板包括板体, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:第一封装单元,第一封装单元包括:塑封层;第一互联结构层,所述第一互联结构层位于所述塑封层一侧表面,所述第一互联结构层包括第一金属层;第二互联结构层,所述第二互联结构层位于所述塑封层背向所述第一互联结构层一侧表面,所述第二互联结构层包括第二金属层;第一芯片,所述第一芯片位于所述第一互联结构层朝向所述塑封层一侧的表面,所述第一芯片连接所述第一金属层,所述塑封层包覆所述第一芯片;转接板,所述转接板位于所述塑封层中,所述转接板延展的平面垂直于所述第一互联结构层且垂直于所述第二互联结构层,所述转接板内具有转接板金属层,所述转接板金属层分别连接所述第一金属层和所述第二金属层。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述转接板包括板体,所述板体具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面分别为所述板体各个表面中面积最大的两个表面,所述第一表面垂直于所述第一互联结构层且垂直于所述第二互联结构层;所述第二表面垂直于所述第一互联结构层且垂直于所述第二互联结构层;所述第一表面具有相对的第一底边和第一顶边,所述第一表面在所述第一底边一侧设置有多个第一底边接脚,所述多个第一底边接脚连接所述第一金属层;所述第一表面在所述第一顶边一侧设置有多个第一顶边接脚,所述多个第一顶边接脚连接所述第二金属层;所述转接板金属层连接所述多个第一底边接脚和所述多个第一顶边接脚;所述第二表面具有相对的第二底边和第二顶边,所述第二表面在所述第二底边一侧设置有多个第二底边接脚,所述多个第二底边接脚连接所述第一金属层;所述第二表面在所述第二顶边一侧设置有多个第二顶边接脚,所述多个第二顶边接脚连接所述第二金属层;所述转接板金属层连接所述多个第二底边接脚和所述多个第二顶边接脚;优选的,所述多个第一底边接脚平行于所述第一底边排列,所述多个第一顶边接脚平行于所述第一顶边排列;优选的,所述多个第二底边接脚平行于所述第二底边排列,所述多个第二顶边接脚平行于所述第二顶边排列;优选的,所述第一芯片为多个,分别设置在所述转接板的所述第一表面一侧和所述转接板的所述第二表面一侧。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:第二芯片,所述第二芯片贴装于所述第一封装单元,所述第二芯片位于所述第二互联结构层背向所述第一芯片一侧表面。4.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:第二封装单元,所述第二封装单元位于所述第一封装单元的第二互联结构层背向所述第一芯片一侧,所述第二封装单元包括第三芯片,所述第三芯片电性连接所述第二金属层。5.根据权利要求2
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4中任一项所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一表面还设置有多个接点,所述第二表面还设置有多个接点,所述转接板金属
层连接所述第一表面的多个接点和所述第二表面的多个接点;所述第一表面设置有第四元件,所述第四元件通过所述第一表面的接点连接所述转接板金属层;和/或,所述第二表面设置有第四元件,所述第四元件通过所述第二表面的接点连接所述转接板金属层;优选的,所述第四元件为无源器件或芯片。6.一种半导体封装结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:形成第一封装单元;所述形成第一封装单元的步骤包括:形成塑封层;形成第一互联结构层,所述第一互联结构层位于所述塑封层一侧表面,所述第一互联结构层包括第一金属层;形成第二互联结构层,所述第二互联结构层位于所述塑封层背向所述第一互联结构层一侧表面,所述第二互联结构层包括第二金属层;贴装第一芯片,所述第一芯片位于所述第一互联结构层朝向所述塑封层一...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡文华,曹立强,
申请(专利权)人:上海先方半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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