【技术实现步骤摘要】
一种加速干燥晶圆槽体
[0001]本技术属于晶圆干燥领域,具体涉及一种加速干燥晶圆槽体。
技术介绍
[0002]晶圆清洗是以整个批次或者单一晶圆,通过化学清洗的方法,藉由化学品的浸泡或者喷洒去除脏污的工艺,其主要目的是清除晶圆表面的污染物,例如微尘颗粒(particle)、有机物(organic)、无机物以及金属离子(metalion)等杂质。
[0003]在晶圆清洗结束后,最后需要通氮气进行干燥,干燥的效率关乎晶圆的清洗效果和产能。
技术实现思路
[0004]针对现有技术中存在的问题,本技术提供一种加速干燥晶圆槽体。
[0005]为实现上述目的,本技术采用以下技术方案:
[0006]一种加速干燥晶圆槽体,所述槽体包括:主体,所述主体为中空结构,所述主体内设置有用来整体竖直升降晶圆架的升降结构,所述主体的底部设置有液体进出口;第一出气口,所述第一出气口设置在所述主体的上部的一侧下方;第二出气口,所述第二出气口设置在所述主体的底部。
[0007]优选地,所述主体包括用来容置所述晶圆架的第一腔室,所述主体的上部设置有向水平一侧延伸的第二腔室,所述第二腔室与所述第一腔室连通,所述第二腔室设置与之连通的所述第一出气口。
[0008]优选地,所述主体的下侧设置有用来容置所述升降结构的第三腔室,所述第三腔室与所述第一腔室连通,所述第三腔室设置与之连通的所述第二出气口。
[0009]优选地,所述第二出气口的高度大于所述液体进出口。
[0010]与现有技术相比,本技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种加速干燥晶圆槽体,其特征在于,所述槽体包括:主体,所述主体为中空结构,所述主体内设置有用来整体竖直升降晶圆架的升降结构,所述主体的底部设置有液体进出口;第一出气口,所述第一出气口设置在所述主体的上部的一侧下方;第二出气口,所述第二出气口设置在所述主体的底部。2.根据权利要求1所述的加速干燥晶圆槽体,其特征在于,所述主体包括用来容置所述晶圆架的第一腔室,所述主体的上部设置有向...
【专利技术属性】
技术研发人员:林生海,江献茂,童浩,
申请(专利权)人:冠礼控制科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:
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