本实用新型专利技术提供一种高温臭氧氧化装置，该装置用以对硅片表面进行氧化，包括壳体、传送组件、加热组件和氧化组件，传送组件用以支撑并传送硅片，加热组件用以加热硅片，传送组件和加热组件均设置在壳体的内部；氧化组件用以对硅片表面进行氧化，氧化组件包括臭氧发生器、多根臭氧喷淋管和多个紫外光源，臭氧发生器设置在壳体的外部，多根臭氧喷淋管和多个紫外光源设置在壳体内部沿硅片的移动方向位于加热组件后方的位置，多根臭氧喷淋管沿硅片的移动方向依次设置在壳体的顶部，多个紫外光源沿硅片的移动方向依次设置在壳体顶部位于相邻两根臭氧喷淋管中间的位置，多根臭喷淋管均与臭氧发生器连通。与臭氧发生器连通。与臭氧发生器连通。
【技术实现步骤摘要】
一种高温臭氧氧化装置
[0001]本技术涉及臭氧应用
，尤其涉及一种高温臭氧氧化装置。
技术介绍
[0002]臭氧是一种绿色环保的强氧化剂，广泛地应用于消毒、灭菌、去除有机污染物、脱色除臭、食物保鲜和空气净化等诸多领域，其有效性已经得到了人们的一致认可。
[0003]目前光伏行业使用臭氧气体处理硅片表面，从而形成一层氧化膜保护硅片，这种处理方式采用一定浓度的臭氧系统在常温对硅片表面进行氧化，但是这种技术属于常温氧化技术，氧化膜厚度较薄，致密性较差，尤其对于表面有损伤的区域，氧化膜覆盖性更差，氧化膜的厚度不足以耐受后续工艺的化学物质腐蚀。而采用普通高温氧化技术，普通高温氧化技术使用氧气作为气源，温度超过600℃，工艺时间较长，虽然可以生长高质量氧化膜，但能耗极高，设备体积较大。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的光伏行业使用常温臭氧氧化技术处理硅片表面形成氧化膜的厚度不足以耐受后续工艺的化学物质腐蚀、以及使用普通高温氧化技术工艺时间长、能耗高的缺点，而提出的一种高温臭氧氧化装置。
[0005]为实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种高温臭氧氧化装置，用以对硅片表面进行氧化，该装置包括壳体、传送组件、加热组件和氧化组件，传送组件用以支撑并传送硅片，传送组件设置在壳体的内部；加热组件用以加热硅片，加热组件设置在壳体内部位于传送组件上方的位置；氧化组件用以对硅片表面进行氧化，氧化组件包括臭氧发生器、多根臭氧喷淋管和多个紫外光源，臭氧发生器设置在壳体的外部，多根臭氧喷淋管和多个紫外光源设置在壳体内部沿硅片的移动方向位于加热组件后方的位置，多根臭氧喷淋管沿硅片的移动方向依次设置在壳体的顶部，多个紫外光源沿硅片的移动方向依次设置在壳体顶部位于相邻两根臭氧喷淋管中间的位置，多根臭喷淋管均与臭氧发生器连通。
[0006]较佳地，加热组件包括红外加热器。进一步地，加热组件对应的壳体的顶部设有红外反射板。
[0007]较佳地，每个臭氧喷淋管的长度不小于硅片垂直于移动方向的边长。
[0008]较佳地，每个臭氧喷淋管均包括用以流通冷却水的内管和用以流通臭氧的外管，内管和外管共轴设置，外管与臭氧发生器连通，内管与冷却水循环系统连通。
[0009]较佳地，传动组件包括金属传送带。
[0010]较佳地，该装置还包括用以冷却硅片的风冷组件，风冷组件设置在壳体内部沿硅片的移动方向位于氧化组件后方的位置。
[0011]较佳地，壳体的位于硅片移动方向上的两侧壁上分别设有进料口和出料口。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果为：通过使用加热组件对硅片表面进行快速加热，确保了硅片表面温度达到150℃以上，满足中高温氧化条件；通过使用臭氧发生
器产生高浓度臭氧，经由臭氧喷淋管均匀喷洒到硅片表面，保证了硅片表面氧化的均匀性；通过在硅片表面使用高强度紫外线照射，维持了硅片表面的高浓度臭氧，保证了硅片表面的氧化效果。本技术的一种高温臭氧氧化装置，增加了硅片表面氧化膜的厚度，提高了表面致密性，从而耐受后续化学品腐蚀，降低成本，改善良率，提高效率。
附图说明
[0013]图1为本技术一实施例的一种高温臭氧氧化装置的结构示意图；
[0014]图2为本技术一实施例的一种高温臭氧氧化装置的内部结构示意图；
[0015]图3为本技术一实施例的臭氧喷淋管的结构示意图。
具体实施方式
[0016]为使对本技术的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。
[0017]请结合参照图1和图2，本技术的一种高温臭氧氧化装置， 用以对硅片100的表面进行氧化，该装置包括壳体1、传送组件2、加热组件3和氧化组件4。
[0018]传送组件2用以支撑并传送硅片100，传送组件2设置在壳体1的内部。优选地，传送组件2包括金属传送带，以能够在传送硅片的过程中，承受加热组件3和氧化组件4的影响，保证装置的正常运行。
[0019]加热组件3用以加热硅片100，加热组件3设置在壳体1内部位于传送组件2上方的位置。优选地，加热组件3包括红外加热器。进一步地，加热组件3对应的壳体1的顶部设有红外反射板，以降低壳体1顶部的温度，减少人员伤害。
[0020]氧化组件4用以对硅片100的表面进行氧化，氧化组件4包括臭氧发生器41、多根臭氧喷淋管42和多个紫外光源43，臭氧发生器41设置在壳体1的外部，多根臭氧喷淋管42和多个紫外光源43设置在壳体1内部沿硅片100的移动方向位于加热组件3后方的位置，多根臭氧喷淋管42沿硅片100的移动方向依次设置在壳体1的顶部，多个紫外光源43沿硅片100的移动方向依次设置在壳体1顶部位于相邻两根臭氧喷淋管42中间的位置以能够维持硅片100表面的臭氧浓度，保证氧化效果，多根臭氧喷淋管42均与臭氧发生器41连通以能够将臭氧气体均匀喷洒到硅片100的表面，保证硅片100表面氧化的均匀性。在一优选的实施方式中，请参照图3，每个臭氧喷淋管42均包括用以流通冷却水的内管421和用以流通臭氧的外管422，内管421和外管422共轴设置，外管422与臭氧发生器41连通，内管421与冷却水循环系统连通，内管421上设置有进水口4211和出水口4212，进水口4211和出水口4212均穿过外管422后与冷却水循环系统连通。
[0021]优选地，每个臭氧喷淋管42的长度不小于硅片100垂直于移动方向的边长，以保证将臭氧气体均匀喷洒到硅片100的整个表面。
[0022]优选地，该装置还包括用以冷却硅片100的风冷组件5，风冷组件5设置在壳体1内部沿硅片100的移动方向位于氧化组件4后方的位置。
[0023]优选地，壳体1的内侧壁上设有高温隔热层6，以能够保持壳体1内的高温环境，同时防止使用时烫伤工作人员。
[0024]优选地，壳体1的位于硅片100移动方向上的两侧壁上分别设有进料口11和出料口
12。
[0025]在实际使用中，紫外光源43的紫外线波长小于200nm，典型紫外线波长为185nm和172nm，也可以为更短波长；风冷组件5对应的壳体1上设有排风管，排风管用于将残留的臭氧气体从壳体1内排出，排风管连接臭氧处理装置，实现对臭氧的回收处理，减少对环境的污染。
[0026]工作过程：请参照图2，图中箭头方向为硅片100的移动方向，硅片100在传送组件2的传送下经过加热组件3时在加热组件3的作用下进行快速加热，表面温度达到150
‑
600℃，然后硅片100继续在传动组件2的传送下经过氧化组件4时多根臭氧喷淋管42将臭氧气体均匀喷洒到硅片100的表面，使得硅片100的表面发生中高温氧化，产生高致密性氧化膜，同时硅片100在经过氧化组件4的过程中，氧化膜的厚度逐渐增加，能够耐受后续化学品腐蚀，再然后硅片100在传动组件2的传送下经过风冷组件5进行冷却后经由出料口12送出。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高温臭氧氧化装置，用以对硅片表面进行氧化，其特征在于，包括：壳体；用以支撑并传送硅片的传送组件，所述传送组件设置在所述壳体的内部；用以加热硅片的加热组件，所述加热组件设置在所述壳体内部位于所述传送组件上方的位置；用以对硅片表面进行氧化的氧化组件，所述氧化组件包括臭氧发生器、多根臭氧喷淋管和多个紫外光源，所述臭氧发生器设置在所述壳体的外部，所述多根臭氧喷淋管和所述多个紫外光源设置在所述壳体内部沿硅片的移动方向位于所述加热组件后方的位置，所述多根臭氧喷淋管沿硅片的移动方向依次设置在所述壳体的顶部，所述多个紫外光源沿硅片的移动方向依次设置在所述壳体顶部位于相邻两根臭氧喷淋管中间的位置，所述多根臭氧喷淋管均与所述臭氧发生器连通。2.如权利要求1所述的一种高温臭氧氧化装置，其特征在于，所述加热组件包括红外加热器。3.如权利要求2所述的一种高温臭氧氧化装置，其特征在于，所述加热组件对应的壳体的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王振交，艾凡凡，韩培育，
申请(专利权)人：苏州中世太新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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