气氛保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种气氛保护装置，其中，所述气氛保护装置包括壳体，所述壳体内部限定出与至少一个电子器件适配的密闭容腔，所述壳体上设有连通所述密闭容腔的真空孔和气孔，所述壳体具有传导部，所述传导部的材质为耐高温材质，且所述传导部的一端与所述密闭容腔连通，另一端与外界连通。本实用新型专利技术提供的技术方案，使得电子器件在烧结时能够处于保护气氛中，防止氧化；使用本气氛保护装置进行烧结时，电子器件位于密闭容腔内，烧结工艺涉及的其他机构处于大气环境中，避免了额外采用特殊材料制造用于容置其他机构的密闭空间，降低了制造成本，也减少了保护气体的消耗量，提高了生产效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
气氛保护装置


[0001]本技术涉及电子器件加工
，具体涉及一种气氛保护装置。

技术介绍

[0002]为了提高电子器件的使用寿命、确保电子器件的工作性能，需要在器件内部已经完成好芯片和电路的组装后，对其进行封装。由于功率器件半导体需要承受较大的电流、电压以及较高的能量密度，使得封装互连材料需要具有高导电、导热性能和优良的机械性能。而随着器件集成度的增加及以SiC为代表的第三代半导体的逐渐商用化，传统的钎焊或压接形式已经不能满足功率器件对散热、导电及机械性能的要求，在此背景下，以烧结银工艺为代表的新型封装方法已逐渐成为功率器件封装的主流技术。
[0003]当烧结银或烧结铜技术应用于易氧化界面时(铜界面)，需对烧结产品进行气氛保护以防止氧化发生。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的是提出一种气氛保护装置，旨在提供一种在烧结时对电子器件进行气氛保护的装置。
[0005]为实现上述目的，本技术提出一种气氛保护装置，用于为电子器件烧结提供气氛保护，所述气氛保护装置包括壳体，所述壳体内部限定出与至少一个电子器件适配的密闭容腔，所述壳体上设有连通所述密闭容腔的真空孔和气孔，所述壳体具有传导部，所述传导部的材质为耐高温材质，且所述传导部的一端与所述密闭容腔连通，另一端与外界连通。
[0006]可选地，所述壳体包括：
[0007]底盘，所述底盘的一侧设有容置槽，所述真空孔和所述气孔设置在所述底盘上，且与所述容置槽连通；以及，
[0008]上盖，可拆卸地盖合所述容置槽的槽口，以与所述底盘共同围合形成所述密闭容腔。
[0009]可选地，所述上盖包括框架和封堵板，所述封堵板与所述框架固定连接且封堵所述框架的框口设置，且所述封堵板对应所述容置槽的槽口设置，所述封堵板构成所述传导部。
[0010]可选地，所述框架的材质为高强度材料；和/或，
[0011]所述封堵板的材质为耐高温柔性材料。
[0012]可选地，所述封堵板的材质为特氟龙、聚酰亚胺、硅胶或者金属。
[0013]可选地，所述底盘和所述上盖之间设有密封圈，所述密封圈环绕所述容置槽的槽口设置。
[0014]可选地，所述底盘上环绕所述容置槽的槽口设置安装环槽，所述上盖上对应所述安装环槽设有让位环槽，所述安装环槽和所述让位环槽围合形成用于至少部分容置所述密
封圈的容置空间。
[0015]可选地，所述底盘朝向所述上盖的一侧设有定位凹槽，所述上盖朝向所述底盘的一侧设有与所述定位凹槽配合的凸柱。
[0016]可选地，所述气氛保护装置还包括与所述真空孔连通的真空发生器。
[0017]可选地，所述气氛保护装置还包括与所述气孔连通的保护气体提供机构。
[0018]本技术的技术方案中，在壳体中形成与至少一个电子器件适配的密闭容腔，且该密闭容腔设有用于抽真空的真空孔和用于输入保护气体的气孔，使得电子器件在烧结时能够处于保护气氛中，防止氧化；使用本气氛保护装置进行烧结时，电子器件位于密闭容腔内，烧结工艺涉及的其他机构处于大气环境中，避免了额外采用特殊材料制造用于容置其他机构的密闭空间，降低了制造成本，也减少了保护气体的消耗量，提高了生产效率。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0020]图1为本技术提供的气氛保护装置的一实施例的截面示意图；
[0021]图2为图1的气氛保护装置的上盖的俯视图；
[0022]图3为图1的气氛保护装置的底盘和密封圈的俯视图。
[0023]附图标号说明：
[0024]标号名称标号名称100气氛保护装置2底盘10密闭容腔21容置槽1上盖3密封圈11框架4真空孔12封堵板5气孔
[0025]本技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]需要说明，若本技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0028]另外，若本技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一
个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0029]为了提高电子器件的使用寿命、确保电子器件的工作性能，需要在器件内部已经完成好芯片和电路的组装后，对其进行封装。由于功率器件半导体需要承受较大的电流、电压以及较高的能量密度，使得封装互连材料需要具有高导电、导热性能和优良的机械性能。而随着器件集成度的增加及以SiC为代表的第三代半导体的逐渐商用化，传统的钎焊或压接形式已经不能满足功率器件对散热、导电及机械性能的要求，在此背景下，以烧结银工艺为代表的新型封装方法已逐渐成为功率器件封装的主流技术。
[0030]当烧结银或烧结铜技术应用于易氧化界面时(铜界面)，需对烧结产品进行气氛保护以防止氧化发生。
[0031]鉴于此，本技术提出一种气氛保护装置100，用于为电子器件烧结提供气氛保护。图1至图3为本技术提出的气氛保护装置100的具体实施例。参阅图1，所述气氛保护装置100包括壳体，所述壳体内部限定出与至少一个电子器件适配的密闭容腔10，所述壳体上设有连通所述密闭容腔10的真空孔4和气孔5，所述壳体具有传导部，所述传导部的材质为耐高温材质，且所述传导部的一端与所述密闭容腔10连通，另一端与外界连通。
[0032]本技术的技术方案中，在壳体中形成与至少一个电子器件适配的密闭容腔10，且该密闭容腔10设有用于抽真空的真空孔4和用于输入保护气体的气孔5，使得电子器件在烧结时能够处于保护气氛中，防止氧化；使用本气氛保护装置100进行烧结时，电子器件位于密闭容腔10内，烧结工艺涉及的其他机构处于大气环境中，避免了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气氛保护装置，用于为电子器件烧结提供气氛保护，其特征在于，所述气氛保护装置包括壳体，所述壳体内部限定出与至少一个电子器件适配的密闭容腔，所述壳体上设有连通所述密闭容腔的真空孔和气孔，所述壳体具有传导部，所述传导部的材质为耐高温材质，且所述传导部的一端与所述密闭容腔连通，另一端与外界连通。2.如权利要求1所述的气氛保护装置，其特征在于，所述壳体包括：底盘，所述底盘的一侧设有容置槽，所述真空孔和所述气孔设置在所述底盘上，且与所述容置槽连通；以及，上盖，可拆卸地盖合所述容置槽的槽口，以与所述底盘共同围合形成所述密闭容腔。3.如权利要求2所述的气氛保护装置，其特征在于，所述上盖包括框架和封堵板，所述封堵板与所述框架固定连接且封堵所述框架的框口设置，且所述封堵板对应所述容置槽的槽口设置，所述封堵板构成所述传导部。4.如权利要求3所述的气氛保护装置，其特征在于，所述框架的材质为高强度材料；和/或，所述封...

【专利技术属性】
技术研发人员：岑玮，靳清，姜亮，胡博，吴昊，
申请(专利权)人：深圳市先进连接科技有限公司，
类型：新型
国别省市：