三端子存储器设备的自对准竖直集成制造技术

一种三维(3D)存储器结构包含存储器单元和多个氧化物层以及多个字线层。所述多个氧化物层和所述多个字线层在第一方向上交替堆叠。多个双沟道孔在所述第一方向上延伸贯穿所述多个氧化物层和所述多个字线层。所述多个双沟道孔在横向于所述第一方向的第二方向上具有花生状的截面。花生状的截面。花生状的截面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三端子存储器设备的自对准竖直集成
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2018年12月5日申请的美国临时申请No.62/775,615以及于2018年10月26日申请的美国临时申请No.62/751,089的利益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本专利技术涉及存储器设备，且尤其涉及三端子存储器设备的自对准竖直集成。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]电子设备包含了用来储存数据的例如闪存之类的非挥发性存储器。所述闪存通常是以一或更多包含存储器单元的集成电路(IC)来实现的。随着电子设备的尺寸缩小以及使用更多的数据，这些存储器单元的成本、密度和存取速度变得越来越重要。
[0005]早期，这些存储器单元是排列成二维(2
‑
D)的存储器阵列。近来，这些存储器单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于存储器单元的三维(3D)存储器结构，其包含：多个氧化物层；多个字线层；其中，所述多个氧化物层和所述多个字线层在第一方向上交替堆叠；以及多个双沟道孔，其在所述第一方向上延伸贯穿所述多个氧化物层和所述多个字线层；其中，所述多个双沟道孔在横向于所述第一方向的第二方向上具有花生状的截面。2.根据权利要求1所述的3D存储器结构，其中在所述多个双沟道孔内，所述多个字线层相对于所述多个氧化物层内凹。3.根据权利要求1所述的3D存储器结构，其中所述存储器单元还包含三端子的NOR存储器单元。4.根据权利要求1所述的3D存储器结构，其还包含多层堆叠件，所述多层堆叠件被沉积在所述多个双沟道孔的内表面上，且限定在所述第一方向上延伸的第一孔穴。5.根据权利要求4所述的3D存储器结构，其中所述第一孔穴在所述第二方向上具有花生状的截面。6.根据权利要求4所述的3D存储器结构，其中所述多层堆叠件包含阻挡氧化物层、电荷捕捉层和栅极氧化物层。7.根据权利要求4所述的3D存储器结构，其中所述多层堆叠件包含阻挡氧化物层、铁电层和栅极氧化物层。8.根据权利要求4所述的3D存储器结构，其中所述多层堆叠件包含阻挡氧化物层、自旋轨道转矩(SOT)层和栅极氧化物层。9.根据权利要求4所述的3D存储器结构，其还包含被配置在所述第一孔穴的内表面上的多晶硅层。10.根据权利要求9所述的3D存储器结构，其中所述多晶硅层限定在所述第一方向上延伸的第二孔穴和第三孔穴。11.根据权利要求10所述的3D存储器结构，其中所述第二孔穴和所述第三孔穴在所述第二方向上具有椭圆形的截面。12.根据权利要求9所述的3D存储器结构，其中所述多晶硅层包含P
‑
层。13.根据权利要求9所述的3D存储器结构，其中所述多晶硅层在所述第二方向上具有8字形的截面。14.根据权利要求10所述的3D存储器结构，其还包含N
+
层，所述N
+
层被配置在所述第二孔穴内和所述第三孔穴内。15.一种用于存储器单元的三维(3D)存储器结构的制造方法，其包含：提供衬底，所述衬底包含多个氧化物层和多个氮化物层，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：索斯藤，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：