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三端子存储器设备的自对准竖直集成制造技术
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文档序号:28763911
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一种三维(3D)存储器结构包含存储器单元和多个氧化物层以及多个字线层。所述多个氧化物层和所述多个字线层在第一方向上交替堆叠。多个双沟道孔在所述第一方向上延伸贯穿所述多个氧化物层和所述多个字线层。所述多个双沟道孔在横向于所述第一方向的第二方向...
该专利属于朗姆研究公司所有,仅供学习研究参考,未经过朗姆研究公司授权不得商用。
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