半导体装置和半导体装置的驱动方法制造方法及图纸

提供一种备有能重写的非易失性存储器的半导体装置，当读出禁止解除控制部分１０９的动作顺序检测寄存器处于重置状态的情况下，通过外部输入输出控制部分１０７的输出禁止控制电路，禁止从外部读出非易失性存储块１０５中的数据，在电源接通时对机密进行确实保护。仅当基于控制信号８１１在检测针对存储单元阵列１２１的动作顺序的重写动作检测部分１０８，检测到是按照规定的动作顺序进行的情况下，才解除读出的禁止。特别是通过使动作顺序包括确认擦去状态的动作和确认写入状态的动作，还能防止借助于门电压操作进行不正当读出，实现机密的确实保护。由此，不进行外部设定就能实现确实保护机密的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有电可擦和可编顺序的非易失性存储器的半导体装置，特别是能从外部对非易失性存储器编写顺序动作，而且能够保护编写在非易失性存储器中数据秘密的半导体装置及其驱动方法。
技术介绍
近年来，具有电学上可擦去和写入的非易失性存储器(EEPROMElectrically Erasable and Programable Read Only Memory)的半导体装置，被设计成一种通过将ROM写入器等装置与半导体装置连接，而实现能够从外部对EEPROM作重写动作(即擦去和写入动作)的半导体装置。例如，在EEPROM中存储了中央处理器(CPUCentral ProcessingUnit)处理顺序的内置EEPROM，用户通过从外部重写能够使CPU作用户所希望的处理。但是，在上述的那种能从外部重写的半导体装置，由于能向外部读出，所以必须设计秘密保护功能，以便禁止第三者从外部读出以实现其不正当利用在EEPROM中存储的数据。此时必须既能保护秘密，而且又能由正当的用户进行适当重写和读取。以下说明具有秘密保护功能的已有半导体装置的实例图17(a)表示第一种已有实例涉及的半导体装置的功能结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的驱动方法，是备有： 由电可重写的多个非易失性存储单元组成的存储单元阵列，和 电源接通时禁止向外部输出保存在所述的存储单元阵列中数据的输出禁止装置的半导体装置的驱动方法，其特征在于： 在所述的存储单元阵列中以给定的动作顺序进行的情况下，利用所述的输出禁止装置解除对数据输出的禁止。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中良幸，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]