半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面的栅极材料层、覆盖于所述栅极材料层表面的介质层、以及覆盖于所述介质层表面的阻挡层；形成且仅形成一掩膜层于所述阻挡层表面，所述掩膜层与所述阻挡层之间的刻蚀选择比大于预设值；图形化所述掩膜层；转移所述掩膜层中的图形至所述栅极材料层，形成栅极。本发明专利技术一方面，减少了掩膜层材料的用量以及用于沉积掩膜层的机台的数量；另一方面，减少了形成栅极的刻蚀步骤，从而降低了刻蚀剂的用量以及刻蚀时间，也相应提高了半导体结构的生产效率并降低了生成成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。在DRAM等半导体存储结构中，CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)的通电传输速率与位于外围区域的的栅极剖面轮廓(gateprofile)密切相关。当栅极剖面轮廓的形貌较差时，对电流导通就会产生较大的影响，从而降低产品良率，严重时甚至导致晶圆的报废。当前在刻蚀形成栅极的过程中，需要于栅极金属层表面形成若干层掩膜层，并且需要使用多个机台设备来完成若干掩膜层的沉积工艺。附图1是现有技术中用于刻蚀栅极金属层所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：/n形成一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面的栅极材料层、覆盖于所述栅极材料层表面的介质层、以及覆盖于所述介质层表面的阻挡层；/n形成且仅形成一掩膜层于所述阻挡层表面，所述掩膜层与所述阻挡层之间的刻蚀选择比大于预设值；/n图形化所述掩膜层；/n转移所述掩膜层中的图形至所述栅极材料层，形成栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面的栅极材料层、覆盖于所述栅极材料层表面的介质层、以及覆盖于所述介质层表面的阻挡层；
形成且仅形成一掩膜层于所述阻挡层表面，所述掩膜层与所述阻挡层之间的刻蚀选择比大于预设值；
图形化所述掩膜层；
转移所述掩膜层中的图形至所述栅极材料层，形成栅极。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成一基底的具体步骤包括：
提供一衬底；
沉积导电材料于所述衬底表面，形成所述栅极材料层；
沉积绝缘材料于所述栅极材料层表面，形成所述介质层；
沉积阻挡材料于所述介质层表面，形成所述阻挡层。


3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层包括：
第一子介质层，覆盖于所述栅极材料层表面；
第二子介质层，覆盖于所述第一子介质层表面，所述阻挡层覆盖于所述第二子介质层表面。


4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预设值为3。


5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述掩膜层的具体步骤包括：
形成光阻层于所述掩膜层表面，所述光阻层中具有若干暴露所述掩膜层的开口；
形成覆盖所述开口侧壁的侧墙；
剥离所述光阻层，于相邻两个所述侧墙之间形成暴露所述掩膜层的沟槽；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34