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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面的栅极材料层、覆盖于所述栅极材料层表面的介质层、以及覆盖于所述介质层表面的阻挡层；形成且仅...
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