【技术实现步骤摘要】
存储器的制备方法及存储器
本专利技术涉及存储设备
，尤其涉及一种存储器的制备方法及存储器。
技术介绍
随着半导体技术和存储技术不断发展，电子设备不断向小型化、集成化方向发展，动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)因其具有较高的存储密度以及较快的读写速度被广泛地应用在各种电子设备中。动态随机存储器通常包括阵列区和沿阵列区周围设置的外围电路区。其中，阵列区中设置有阵列排布的多个电容器，外围电路区中设置有用于控制电容器的晶体管以及用于与晶体管电连接的接触线。但是，在制备电容器的过程中，会降低电容器的电极支撑结构的高度，进而降低电容器的高度和电容器的存储性能。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例提供一种存储器的制备方法及存储器，保证电容器的电极支撑结构的高度，进而提高电容器的高度和电容器的存储性能。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：本专利技术实施例的第一方面提供一种存储器的制备方法，其包括如下步骤：
【技术保护点】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基底，所述基底包括阵列区以及与所述阵列区连接的外围电路区；/n在所述基底上依次堆叠形成电极支撑结构、保护层和第一掩膜层；/n图形化位于所述阵列区上的第一掩膜层，以图形化后的所述第一掩膜层作为掩膜版刻蚀所述保护层、所述电极支撑结构以及基底，形成贯穿所述保护层和所述电极支撑结构，并延伸至所述基底内的电容孔；去除所述第一掩膜层；/n在所述电容孔的侧壁和底壁形成第一电极层，所述第一电极层的顶面与所述电极支撑结构的顶面平齐。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底，所述基底包括阵列区以及与所述阵列区连接的外围电路区；
在所述基底上依次堆叠形成电极支撑结构、保护层和第一掩膜层；
图形化位于所述阵列区上的第一掩膜层，以图形化后的所述第一掩膜层作为掩膜版刻蚀所述保护层、所述电极支撑结构以及基底，形成贯穿所述保护层和所述电极支撑结构，并延伸至所述基底内的电容孔；去除所述第一掩膜层；
在所述电容孔的侧壁和底壁形成第一电极层，所述第一电极层的顶面与所述电极支撑结构的顶面平齐。
2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述基底上依次堆叠形成电极支撑结构、保护层和第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层包括依次堆叠形成在所述保护层上的多晶硅层、氧化层和第一硬掩膜层，所述多晶硅层的厚度为所述保护层的厚度的5-7倍。
3.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为50nm-100nm，且所述保护层的材质为氧化硅。
4.根据权利要求3所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述基底上依次堆叠形成电极支撑结构、保护层和第一掩膜层的步骤中，所述电极支撑结构包括在所述基底上依次堆叠形成第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层。
5.根据权利要求4所述的存储器的制备方法，其特征在于，图形化位于所述阵列区上的第一掩膜层的步骤中包括：
图形化位于所述阵列区上的第一硬掩膜层，以图形化后的所述第一硬掩膜层作为掩膜版刻蚀所述氧化层和所述多晶硅层，形成具有图案的所述氧化层和具有图案的所述多晶硅层；
以具有图案的所述氧化层和具有图案的所述多晶硅层作为掩膜版，刻蚀所述保护层、所述第三支撑层、所述第二牺牲层、所述第二支撑层、所述第一牺牲层、所述第一支撑层和所述基底，以在所述阵列区上形成间隔设置的多个电极支撑部，相邻的所述电极支撑部之间构成所述电容孔。
6.根据权利要求5所述的存储器的制备方法，其特征在于，去除所述第一掩膜层的步骤中包括：
干法刻蚀去除所述多晶硅层，所述干法刻蚀的刻蚀气体为HBr、NF3、O2中一种，所述干法刻蚀的刻蚀温度为30℃-90℃之间。
7.根据权利要求4-6任一项所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述电容孔的侧壁和底壁形成第一电极层的步骤之后，所述制备方法还包括：
在位于所述阵列区上方的所述保护层上形成第二掩膜层；
图形化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层内形成间隔设置的多个第一开口，每个所述第一开口暴露出至少一个所述电极支撑部，且每个所述第一开口在所述基底上具有预设投影区域；
去除暴露在所述第一开口内所述电极支撑部中的所述第三支撑层，以暴露出所述第二牺牲层；以及去除位于所述外围电路区上的保护层和所述第三支撑层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：宛强，夏军，占康澍，李森，刘涛，徐朋辉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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