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本发明提供一种存储器的制备方法及存储器，涉及存储器技术领域，该存储器的制备方法包括提供基底；在基底上依次堆叠形成电极支撑结构、保护层和第一掩膜层；图形化位于阵列区上的第一掩膜层，以图形化后第一掩膜层作为掩膜版刻蚀保护层、电极支撑结构及基底，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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