一种清洁装置及CMP清洗设备制造方法及图纸

本申请公开了一种清洁装置及CMP清洗设备，其中，所述清洁装置的多个凸起结构在本体的清洁面上按照特定的规则分布，具体地，所述凸起结构的分布密度自所述清洁面的预设区域向两侧延伸的方向上逐渐递增，以使改善对于晶圆预设区域的过清洗的状况，解决在CMP清洗工序中对晶圆的局部位置造成过清洗的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种清洁装置及CMP清洗设备
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种清洁装置及CMP清洗设备。
技术介绍
随着半导体工艺节点向前推进，芯片设计与制造工艺之间的耦合大大加深。芯片电学特性往往受到工艺条件和版图结构的双重影响，从而造成系统性和随机性的工艺偏差，影响芯片的性能和良率。CMP(ChemicalMechanicalPolishing，CMP化学机械抛光)作为半导体制造中的关键步骤，广泛应用于器件和互连的制造流程中。在CMP制程中包括CMP清洗(PostClean)工序，在该工序中主要使用清洁装置(Brush)配合化学清洗液体对减薄后的晶圆进行清洗，清洗过程中，化学清洗液体和晶圆产生化学反应，清洁装置接触晶圆表面进行物理清除，达到清洗效果。但在实际应用中发现，现有的清洁装置在CMP清洗工序后，会对晶圆的局部位置造成过清洗的情况，导致过清洗的部位对后续的制程造成不良影响。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种清洁装置及CMP清洗设备，以解决在CMP清洗工序中对晶圆的局部位置造成过清洗的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁装置，其特征在于，用于对晶圆进行CMP清洗，所述清洁装置包括：/n本体，所述本体包括清洁面，所述本体沿第一方向延伸；/n分布于所述清洁面上的多个凸起结构；/n自所述清洁面的预设区域向两侧延伸的方向上，所述凸起结构的分布密度递增。/n

【技术特征摘要】
1.一种清洁装置，其特征在于，用于对晶圆进行CMP清洗，所述清洁装置包括：
本体，所述本体包括清洁面，所述本体沿第一方向延伸；
分布于所述清洁面上的多个凸起结构；
自所述清洁面的预设区域向两侧延伸的方向上，所述凸起结构的分布密度递增。


2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述预设区域覆盖所述清洁面的中心，且沿所述清洁面的中心对称设置。


3.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述预设区域用于覆盖所述晶圆的中心。


4.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述凸起结构的分布密度递增的方式为线性递增或阶梯递增。


5.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述本体为圆柱状本体；
所述第一方向与所述晶圆的至少一条直径的延伸方向重合。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高林，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42