基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种较佳地进行基板的蚀刻处理的技术。基板保持台(20)将基板(W)保持于既定位置。蚀刻液供给部(37)及喷嘴(30)将蚀刻液供给至既定位置的基板(W)。旋转马达(22)使基板保持台(20)绕既定的旋转轴线(Ax1)进行旋转。热像仪(70)取得腔室(10)内的处理空间(TS1)的基板W配置于既定位置的情况下所占有的基板区域的周围的周边区域(PA1)的热像(温度分布)。特征值运算部(902)从热像算出特征值，特征值与使用了蚀刻液的蚀刻处理所致的蚀刻量相关。蚀刻判定部(9031)基于所算出的特征值来判定蚀刻处理的可否。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置以及基板处理方法
本专利技术涉及一种对基板进行蚀刻(etching)的技术。在成为处理对象的基板中例如包含有半导体基板、液晶显示设备及有机EL(Electroluminescence；电致发光)显示设备等FPD(FlatPanelDisplay；平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板、印刷电路基板等。
技术介绍
以往，已有将蚀刻液供给至基板的表面来进行蚀刻的技术。作为与本专利技术相关联的先前技术，例如有专利文献1、2所记载的技术。专利文献1、2公开了如下的技术：监视基板表面的温度以及当基板的温度到达目标温度时停止蚀刻处理液的供给，由此在基板处于适当的温度的状态下进行蚀刻处理。现有技术文献专利文献1：日本特开2015-191895号公报。专利文献2：日本特开2017-201723号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，蚀刻处理不仅可能受基板的温度的影响，还有可能受到基板周围的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其对基板进行蚀刻处理，其特征在于，该基板处理装置具备：/n腔室，其在内部具有处理空间；/n基板保持部，其将基板保持于所述腔室内的既定位置；/n蚀刻液供给部，其将蚀刻液供给至所述基板保持部所保持的所述基板；/n旋转部，其使所述基板保持部绕既定的旋转轴线进行旋转；/n温度分布取得部，其取得所述腔室内的配置于所述既定位置的情况下所述基板所占有的基板区域周围的周边区域的温度分布；以及/n特征值运算部，其从所述温度分布算出使用了所述蚀刻液的蚀刻处理所致的所述基板的蚀刻量相关的特征值。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181022 JP 2018-1984521.一种基板处理装置，其对基板进行蚀刻处理，其特征在于，该基板处理装置具备：
腔室，其在内部具有处理空间；
基板保持部，其将基板保持于所述腔室内的既定位置；
蚀刻液供给部，其将蚀刻液供给至所述基板保持部所保持的所述基板；
旋转部，其使所述基板保持部绕既定的旋转轴线进行旋转；
温度分布取得部，其取得所述腔室内的配置于所述既定位置的情况下所述基板所占有的基板区域周围的周边区域的温度分布；以及
特征值运算部，其从所述温度分布算出使用了所述蚀刻液的蚀刻处理所致的所述基板的蚀刻量相关的特征值。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还包括：蚀刻判定部，其基于所述特征值与事先决定的阈值的比较，来判定对所述基板进行的蚀刻处理的良否。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述特征值运算部从表示所述温度分布与所述蚀刻量的关系的关系式算出所述特征值。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具备：关系式生成部，其基于所述蚀刻处理中的规定定时的所述温度分布以及进行该蚀刻处理后的所述基板的蚀刻量，来生成所述关系式。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述特征值运算部通过将所述蚀刻处理中的所述规定定时所对应的定时的所述温度分布代入到所述关系式来算出所述特征值。


6.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述蚀刻量是以所述旋转轴线为中心的、不同半径的各个圆周上的蚀刻量。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度分布取得部具有：热像仪，其将配置有由所述基板保持部所保持的基板的区域包含在拍摄区域内；
所述温度分布为热像。


8.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上正史，深津英司，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP