一种等离子刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种等离子刻蚀装置，包括工艺腔、第一基座、第二基座、两个下射频、第一托盘、第二托盘、上定位组件和下定位组件，工艺腔外套设有射频线圈；第一基座和第二基座分别设在工艺腔的顶壁和底壁；两个下射频分别连接于第一基座和第二基座；第一托盘和第二托盘均用于放置待蚀刻件；上定位组件用于将第一托盘固定于第一基座；下定位组件用于将第二托盘固定于第二基座。本发明专利技术提供的等离子刻蚀装置在不增加工艺腔体积的情况下，能够刻蚀原来两倍的晶片，极大地提高了刻蚀晶片的数量，提高效率。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子刻蚀装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种等离子刻蚀装置。
技术介绍
在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，刻蚀工艺是半导体制造中一种重要的工艺，如等离子刻蚀工艺。目前半导体刻蚀有干刻蚀和湿刻蚀两种方法，干刻蚀是把芯片周围的气体激发成为等离子体，等离子体在偏压引导下轰击由光刻胶做掩护的芯片表面，与芯片发生物理化学反应，从而在芯片表面刻蚀出所需形貌。现有的干刻蚀设备包括相对设置的上电极和下电极、设置在下电极上的基座。将芯片放置在基座上，芯片上方的反应气体在上电极和下电极的作用下激发成为等离子体并轰击芯片表面，进行干法刻蚀。随着工业生产对产品产能的需求越来越高，需要提高单次可产晶片的数量，目前的刻蚀的改进方向主要是增大工艺腔，从而获得大面积的等离子体，进而需要使用更大的托盘使得单盘内可以放置更多的晶片，而在圆柱形等离子体源中，腔体的高度和直径之比往往是1或者更大，等离子体在生产和运输过程中所带来的径向不均匀性不可避免，这种径向不均匀性随着等离子体体积的增大而增大，这就使得通过增大工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括：/n工艺腔，所述工艺腔外套设有射频线圈(3)；/n第一基座(1)和第二基座(2)，所述第一基座(1)和所述第二基座(2)分别设在所述工艺腔的顶壁和底壁；/n两个下射频(4)，分别连接于所述第一基座(1)和所述第二基座(2)；/n第一托盘和第二托盘，所述第一托盘和所述第二托盘均用于放置待蚀刻件；/n上定位组件，所述上定位组件用于将所述第一托盘固定于所述第一基座(1)；/n下定位组件，所述下定位组件用于将所述第二托盘固定于所述第二基座(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括：
工艺腔，所述工艺腔外套设有射频线圈(3)；
第一基座(1)和第二基座(2)，所述第一基座(1)和所述第二基座(2)分别设在所述工艺腔的顶壁和底壁；
两个下射频(4)，分别连接于所述第一基座(1)和所述第二基座(2)；
第一托盘和第二托盘，所述第一托盘和所述第二托盘均用于放置待蚀刻件；
上定位组件，所述上定位组件用于将所述第一托盘固定于所述第一基座(1)；
下定位组件，所述下定位组件用于将所述第二托盘固定于所述第二基座(2)。


2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述上定位组件包括第一驱动件(5)以及设置于所述第一驱动件(5)的上压紧件(6)，所述第一驱动件(5)能驱动所述上压紧件(6)升降，以使所述上压紧件(6)将所述第一托盘压紧于所述第一基座(1)。


3.根据权利要求2所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一驱动件(5)数量为多个，多个所述第一驱动件(5)均布于所述第一基座(1)的外周。


4.根据权利要求2所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述上压紧件(6)呈环形。

【专利技术属性】
技术研发人员：罗凯，王子荣，康凯，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44