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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种等离子刻蚀装置，包括工艺腔、第一基座、第二基座、两个下射频、第一托盘、第二托盘、上定位组件和下定位组件，工艺腔外套设有射频线圈；第一基座和第二基座分别设在工艺腔的顶壁和底壁；两个下射频分别连接于第一基座和...
该专利属于广东中图半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中图半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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