一种三相直流电机驱动芯片的高压模块测试方法技术

本发明专利技术涉及半导体测试技术领域，具体地说是一种三相直流电机驱动芯片的高压模块测试方法。具体测试方法如下：S1：在测试载具板上插入连接升压模块；S2：当被测芯片需要进行高压冲击耐受测试时，将开始测试的信号传输给升压模块；S3：控制芯片控制升压模块进行高压冲击耐受测试；S4：当高压冲击耐受测试结束时，主控模块将结束测试的信号传输给升压模块的控制芯片；S5：升压模块的控制芯片控制升压模块中的继电器与5V电压连接，升压模块即停止工作。同现有技术相比，在现有的逻辑类自动测试机的测试载具板上插入一片升压模块电路，利用自动测试机提供的+15V及‑15V两路应用电源差动送进升压模块，去产生100V的电压源，来完成芯片的高压冲击耐受测试。

【技术实现步骤摘要】
一种三相直流电机驱动芯片的高压模块测试方法
本专利技术涉及半导体测试
，具体地说是一种三相直流电机驱动芯片的高压模块测试方法。
技术介绍
关于三相直流电机驱动芯片的测试，一般包括两部分。第一部分是逻辑和时序的测试：由自动测试机的数字测试通道提供30kHz的方波，送入被测芯片的三个相位输入管脚，同时用数字测试通道在被测芯片的驱动输出端测试；第二部分是高压冲击压力测试：由于被测芯片是用于直流电机驱动，三个输出端口要考察加载线圈负载时会发生的电感效应引起的感生电动势的高压冲击的耐受能力。需要由自动测试机提供100V，50mA的高压，持续20mS以上的耐受期。下电后，重复测试第一部分的逻辑和时序，确保高压冲击后，被测芯片没有被击穿损毁，被测芯片才能视为合格。但是目前的情况是，第一部分的测试是在能够提供逻辑和时序测试资源的逻辑类自动测试机上完成的；第二部分的测试是在能够进行高压冲击耐受测试资源的电源类自动测试机上完成的。最后，由完成第二部分测试的被测芯片再次转移至逻辑类自动测试机上，再一次进行逻辑和时序测试，来确保被测是否被高压击穿，被测芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三相直流电机驱动芯片的高压模块测试方法，包括测试载具板，其特征在于：具体测试方法如下：/nS1：在自动测试机的测试载具板上插入连接升压模块；/nS2：当被测芯片需要进行高压冲击耐受测试时，自动测试机的主控模块将开始测试的信号传输给升压模块的控制芯片；/nS3：升压模块的控制芯片控制升压模块中的继电器与0V电压连接，升压模块即输出100V电压供自动测试机对被测芯片进行高压冲击耐受测试；/nS4：当高压冲击耐受测试结束时，自动测试机的主控模块将结束测试的信号传输给升压模块的控制芯片；/nS5：升压模块的控制芯片控制升压模块中的继电器与5V电压连接，升压模块即停止工作。/n

【技术特征摘要】
1.一种三相直流电机驱动芯片的高压模块测试方法，包括测试载具板，其特征在于：具体测试方法如下：
S1：在自动测试机的测试载具板上插入连接升压模块；
S2：当被测芯片需要进行高压冲击耐受测试时，自动测试机的主控模块将开始测试的信号传输给升压模块的控制芯片；
S3：升压模块的控制芯片控制升压模块中的继电器与0V电压连接，升压模块即输出100V电压供自动测试机对被测芯片进行高压冲击耐受测试；
S4：当高压冲击耐受测试结束时，自动测试机的主控模块将结束测试的信号传输给升压模块的控制芯片；
S5：升压模块的控制芯片控制升压模块中的继电器与5V电压连接，升压模块即停止工作。


2.根据权利要求1所述的一种三相直流电机驱动芯片的高压模块测试方法，其特征在于：所述的升压模块内设有升压电路，升压电路包括控制芯片（U1）、三绕组变压器、继电器（K1）、晶体管（Q1）、接线端子一（J1）、接线端子二（J2），控制芯片（U1）的1号端口分两路，一路分别连接保险丝（F1）的一端、电容一（C1）的一端、电容二（C2）的一端、电阻一（R3）的一端及电容三（C12）的一端，保险丝（F1）的另一端分别连接TP2端、电阻二（R19）及电阻三（R26）的一端，电阻三（R26）的另一端连接+15V电压，电阻二（R19）的另一端接地，电容一（C1）及电容二（C2）的另一端合并连接PT1端及-15V电压，电容三（C12）的另一端连接-15V电压；另一路分别连接E1端、稳压二极管一（D3）的阴极、电阻四（R24）及电阻五（R25）的一端、三绕组变压器的3号端口、电容四（C16）的一端及控制芯片（U1）的5号端口，电容四（C16）的另一端连接-15V电压，电阻四（R24）及电阻五（R25）的另一端合并连接电容五（C17）的一端，稳压二极管一（D3）的阳极连接三绕组变压器的2号端口；三绕组变压器的1号端口连接-15V电压，三绕组变压器的5号端口分别连接电容五（C17）的另一端、滑动电阻（R18）的一端及晶体管（Q1）的D端，滑动电阻（R18）的另一端连接电阻六（R7）的一端，电阻六（R7）的另一端连接控制芯片（U1）的16号端口；晶体管（Q1）的G端连接电阻七（R12）的一端，电阻七（R12）的另一端连接控制芯片（U1）的6号端口；晶体管（Q1）的S1端分别连接电阻八（R10）的一端、电容六（C15）的一端及控制芯片（U1）的7号端口，电阻八（R10）及电容六（C15）的另一端分别连接-15V电压；三绕组变压器的6号端口连接稳压二极管二（D1）的阳极，稳压二极管二（D1）的阴极分别连接电容七（C4）的一端、电容八（C3）的一端、电容九（C18）的一端、电阻九（R23）的一端、电阻十（R4）的一端、电阻十一（...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏津，张经祥，徐润生，
申请(专利权)人：胜达克半导体科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31