可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备，所述装置包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管。本发明专利技术利用伯努利原理使晶圆悬浮在该装置上方，可对清洗晶圆背面的污染物进行彻底清洗，提高了清洗效果，提高了清洗效率。

【技术实现步骤摘要】
可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备
本专利技术涉及半导体工艺设备
，尤其涉及一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备。
技术介绍
晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化物、石英、塑料等污染物，且不破坏晶圆表面特性。如晶圆电镀后，需对晶圆进行清洗以去除晶圆表面残留的电镀液，避免电镀液对晶圆产生影响，降低晶圆品质，同时也避免电镀液对下一道工序产生污染。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备，用以解决上述
技术介绍
中存在的问题。一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，/n所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，/n所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流；/n所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通，清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。/n

【技术特征摘要】
1.一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，
所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，
所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流；
所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通，清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。


2.根据权利要求1所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，所述晶圆定位组件包括第一晶圆定位器、第二晶圆定位器和第三晶圆定位器，所述第一晶圆定位器和第二晶圆定位器均套设在顶升旋转机构上，第三晶圆定位器分别与第一晶圆定位器和第二晶圆定位器扣合固定，所述第三晶圆定位器的顶部安装有多个支撑座。


3.根据权利要求2所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，所述顶升旋转机构包括电机和升降机构，所述电机固定在升降机构上，所述第一晶圆定位器套设在电机的转轴上，电机的转轴端部套设有转动轴承，第二晶圆定位器套设在转动轴承外侧。


4.根据权利要求2所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，所述第三晶圆定位器的顶部开设有多个用以安装支撑座的第一固定槽和用以扣合管件外壳的第二固定槽，
第三晶圆定位器的底部开设有用以扣合第二晶圆定位器的第三固定槽且其底部向下延伸出有一个环状凸起，第一晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢证凯，邓信甫，刘大威，陈丁堃，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，江苏启微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31