可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备，所述装置包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管。本发明专利技术利用伯努利原理使晶圆悬浮在该装置上方，可对清洗晶圆背面的污染物进行彻底清洗，提高了清洗效果，提高了清洗效率。

【技术实现步骤摘要】
可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备
本专利技术涉及半导体工艺设备
，尤其涉及一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备。
技术介绍
晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化物、石英、塑料等污染物，且不破坏晶圆表面特性。如晶圆电镀后，需对晶圆进行清洗以去除晶圆表面残留的电镀液，避免电镀液对晶圆产生影响，降低晶圆品质，同时也避免电镀液对下一道工序产生污染。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备，用以解决上述
技术介绍
中存在的问题。一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流；所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通，清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。优选地，所述晶圆定位组件包括第一晶圆定位器、第二晶圆定位器和第三晶圆定位器，所述第一晶圆定位器和第二晶圆定位器均套设在顶升旋转机构上，第三晶圆定位器分别与第一晶圆定位器和第二晶圆定位器扣合固定，所述第三晶圆定位器的顶部安装有多个支撑座。优选地，所述顶升旋转机构包括电机和升降机构，所述电机固定在升降机构上，所述第一晶圆定位器套设在电机的转轴上，电机的转轴端部套设有转动轴承，第二晶圆定位器套设在转动轴承外侧。优选地，所述第三晶圆定位器的顶部开设有多个用以安装支撑座的第一固定槽和用以扣合管件外壳的第二固定槽，第三晶圆定位器的底部开设有用以扣合第二晶圆定位器的第三固定槽且其底部向下延伸出有一个环状凸起，第一晶圆定位器的侧边抵在环状凸起上。优选地，所述管件外壳包括管件下外壳、与管件下外壳相扣合的管件上外壳、以及竖直穿设在管件上外壳内的固定件。优选地，所述管件上外壳的中央开设有一个竖直贯穿的第四固定槽，管件上外壳的下部开设有一个扣合槽，管件上外壳的上部水平设有多个倾斜喷嘴。优选地，所述管件上外壳上部的外表面为向下倾斜的弧面。优选地，所述固定件的中央开设有一个竖直贯穿的用以设置晶圆吸附管的第五固定槽，第五固定槽的四周设置有多个用以设置清洗液输送管的第六固定槽。优选地，所述第六固定槽为L型槽。一种湿法清洗设备，包括所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，湿法清洗设备上安装有一种固定不动的喷淋管和多种可来回摆动的用于向晶圆表面喷射清洗液的喷淋管，其中一种喷淋管为纳米级喷淋管，所述纳米级喷淋管上设置有与液体清洗管道相连的液体清洗喷头、与雾化清洗管道相连的雾化清洗喷头、与氮气供气管道相连的氮气喷头和超声波震荡片，所述雾化清洗喷头连接超声波震荡片，超声波震荡片连接外部电源，所述氮气喷嘴朝向所述雾化清洗喷头。本专利技术的有益效果是：1、本申请的装置利用伯努利原理使晶圆悬浮在该装置上方，可对清洗晶圆下表面的污染物进行彻底清洗，尤其是可将晶圆下表面的清洗盲区清洗干净。2、通过在管件外壳内设置晶圆吸附管和清洗液输送管，晶圆吸附管喷射出的可使晶圆悬浮的气流可夹带走晶圆下表面的部分污染物，清洗液输送管输送到倾斜喷嘴的清洗液可对晶圆下表面进行彻底清洗，不仅提高了清洗效果，提高了清洗效率，也可减少清洗液的消耗，可降低企业的生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1是本专利技术装置的结构示意图。图2是清洗液输送管喷射清洗液的示意图。图3是晶圆吸附管喷出的气流夹带脏污的示意图。图4是清洗机构的剖视图。图5是第三晶圆定位器的剖视图。图6是管件上外壳的结构示意图。图7是固定件的结构示意图。图8是本专利技术的湿法清洗设备的俯视图。图9是纳米级喷淋管的立体图。图10是纳米级喷淋管的侧视图。图11是纳米级喷淋管的内部管道的示意图。图12是纳米级喷淋管的喷头的示意图。图13是纳米级喷淋管形成的雾状清洗液的示意图。图中标号的含义为：1为晶圆；2为清洗机构，2-1为晶圆吸附管，2-2为清洗液输送管，2-3为第一晶圆定位器，2-4为第二晶圆定位器，2-5为第三晶圆定位器，2-6为支撑座,2-7为第一固定槽，2-8为第二固定槽，2-9为第三固定槽，2-10为第四固定槽,2-11为环状凸起，2-12为管件下外壳，2-13为管件上外壳，2-14为固定件,2-15为扣合槽，2-16缝隙，2-17为倾斜喷嘴,2-15为第五固定槽，2-16为第六固定槽；3为顶升旋转机构，3-1为电机，3-2为升降机构，3-3为转轴，3-4为转动轴承；4为污染物；5为喷淋管，5-1为气体输送管道，5-2为雾化清洗喷头，5-3为液体清洗喷头，5-4为氮气喷头，5-5超声波震荡片,5-6线型轨道,5-7升降气缸,5-8安装板,5-9为旋转气缸，5-10为驱动齿轮，5-11为从动齿轮，5-12为齿条,5-13为雾化清洗管道，5-14为液体清洗管道。具体实施方式为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面通过具体的实施例并结合附图对本申请做进一步的详细描述。在本申请的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；除非另有规定或说明，术语“多个”是指两个或两个以上；术语“连接”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。本说明书的描述中，需要理解的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，/n所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，/n所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流；/n所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通，清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。/n

【技术特征摘要】
1.一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，
所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，
所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流；
所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通，清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。


2.根据权利要求1所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，所述晶圆定位组件包括第一晶圆定位器、第二晶圆定位器和第三晶圆定位器，所述第一晶圆定位器和第二晶圆定位器均套设在顶升旋转机构上，第三晶圆定位器分别与第一晶圆定位器和第二晶圆定位器扣合固定，所述第三晶圆定位器的顶部安装有多个支撑座。


3.根据权利要求2所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，所述顶升旋转机构包括电机和升降机构，所述电机固定在升降机构上，所述第一晶圆定位器套设在电机的转轴上，电机的转轴端部套设有转动轴承，第二晶圆定位器套设在转动轴承外侧。


4.根据权利要求2所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，其特征在于，所述第三晶圆定位器的顶部开设有多个用以安装支撑座的第一固定槽和用以扣合管件外壳的第二固定槽，
第三晶圆定位器的底部开设有用以扣合第二晶圆定位器的第三固定槽且其底部向下延伸出有一个环状凸起，第一晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢证凯，邓信甫，刘大威，陈丁堃，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，江苏启微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31