【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种存储器控制设备和一种电子设备,并且更具体地说,涉及一种用于要求用于访问的同步信号的同步存储器的存储器控制设备和一种使用该存储器控制设备的电子设备。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)适应于大容量场合并广泛用作如计算机那样的电子设备的主存储器。从历史观点来说,主流是不需要时钟或者其它用于访问的同步信号的异步型DRAM。随着如CPU那样的实体访问存储器的操作频率的增加,应用异步控制已经变得很困难,同时这促进了发展和采用同步型。在控制同步型DRAM中,通过确保同步信号的有效边沿(active edge)顺序地在保证访问时刻的间隔处发生,数据能够顺序地以读周期读出。类似地,在一个写周期,在同步信号的控制下数据能够顺序地写入。因此,同步型DRAM在提高顺序地读出和写入相对较大容量数据的应用程序执行速度上有广泛的用途。例如,由CPU使用的多媒体处理或者大规模程序得益于同步型。专利文献1和2提出通过使用双端口存储器在数据传输方面的改进。相关技术列表JP 1-61133 AJP 63-302654 A
技术实现思路
包括同步型DRAM的同步存储器(以下,简 ...
【技术保护点】
一种存储器控制设备包括:同步信号产生电路,其接收从访问实体输出的异步访问信号,该访问实体采用不需要用于访问的同步信号的异步存储器,并且其通过参考所述异步访问信号中的转变点,产生用于需要用于访问的同步信号的同步存储器的同步信号;和 主访问电路,其通过处理所述异步访问信号以实现所述同步存储器所需要的定时要求,产生同步访问信号。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-11-7 379181/20031.一种存储器控制设备包括同步信号产生电路,其接收从访问实体输出的异步访问信号,该访问实体采用不需要用于访问的同步信号的异步存储器,并且其通过参考所述异步访问信号中的转变点,产生用于需要用于访问的同步信号的同步存储器的同步信号;和主访问电路,其通过处理所述异步访问信号以实现所述同步存储器所需要的定时要求,产生同步访问信号。2.如权利要求1所述的存储器控制设备,进一步包括仲裁电路,其获取用于不同于所述访问实体的数据处理实体访问所述同步存储器的权限;和辅助访问电路,其产生用于所述数据处理实体访问所述同步存储器的访问信号。3.如权利要求2所述的存储器控制设备,其中所述辅助访问电路通过使用时钟信号,产生所述访问信号以访问所述同步存储器。4.如权利要求1和3中任何一个所述的存储器控制设备,其中所述同步信号产生电路在读周期产生同步信号,以便有效同步边沿发生在自转变点之后一段相对较短暂的时间段消逝以后,并且在写周期产生同步信号,以便有效的同步边沿发生...
【专利技术属性】
技术研发人员:黑土勇二,大平祥广,
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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