存算复用的静态存储单元制造技术

本发明专利技术提供了一种存算复用的静态存储单元，输入信号配置可以选自于存储器配置和比较器配置中的任意一种。通过复用一部分晶体管，通过更小的电路面积做到了比较器和存储器的存算复用，提高了存算一体系统的数据处理能力。

【技术实现步骤摘要】
存算复用的静态存储单元
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种存算复用的静态存储单元。
技术介绍
随着大数据时代的发展，人工智能已经成为一个非常重要的学科领域，神经网络专用芯片则是计算系统高效完成神经网络计算的重要硬件工具。传统计算架构采用计算和存储分离的冯诺依曼体系，在大数据趋势下，冯诺依曼体系结构中内存带宽和内存功耗已经开始主导计算带宽和能量。其中很大一部分功耗被花费在内存和计算单元的数据搬运上。以存储器为主导的存内计算，通过神经网络算法与存储硬件架构的结合，非常大程度的降低了数据搬运带来的巨大时间和功耗开销。因此，如何提高存算一体系统的数据处理能力，是现有技术需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种存算复用的静态存储单元，能够提高存算一体系统的数据处理能力。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种存算复用的静态存储单元，包括：对顶设置的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器包括第一N型晶体管和第二P型晶体管，所述第二反相器包括第二N型晶体管和第三P型晶体管；第一P型晶体管，与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存算复用的静态存储单元，其特征在于，包括：/n对顶设置的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器包括第一N型晶体管和第二P型晶体管，所述第二反相器包括第二N型晶体管和第三P型晶体管；/n第一P型晶体管，与第二P型晶体管共源漏极对称设置；/n第四P型晶体管，与第三P型晶体管共源漏极对称设置；/n第五N型晶体管与第六N型晶体管，串联设置在第一N型晶体管与地之间；/n第四N型晶体管与第七N型晶体管，串联设置在第二N型晶体管与地之间；以上电路的输入信号配置选自于如下两种配置方式中的任意一种：/n存储器配置：所述第五N型晶体管、第六N型晶体管、第四N型晶体管以及第七N型晶体管的栅极接工作电压，所述...

【技术特征摘要】
1.一种存算复用的静态存储单元，其特征在于，包括：
对顶设置的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器包括第一N型晶体管和第二P型晶体管，所述第二反相器包括第二N型晶体管和第三P型晶体管；
第一P型晶体管，与第二P型晶体管共源漏极对称设置；
第四P型晶体管，与第三P型晶体管共源漏极对称设置；
第五N型晶体管与第六N型晶体管，串联设置在第一N型晶体管与地之间；
第四N型晶体管与第七N型晶体管，串联设置在第二N型晶体管与地之间；以上电路的输入信号配置选自于如下...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，赵瑞勇，谢甜甜，王青，吕迎欢，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31