储存器写入装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及储存器写入装置及方法。本发明专利技术包含一种储存器写入装置，对耦接于二位线且被选择之储存器单元进行写入操作，包含：耦合电容、电荷分享电路、写入驱动电路、充电电路及负电压耦合电路。电荷分享电路使耦合电容之第一端与第一位线电性耦接，以接收其电荷进行充电。写入驱动电路将第一位线以及耦合电容之第二端电性耦接。充电电路使电压源通过耦合电容之第一端对耦合电容充电。负电压耦合电路在负电压产生区段使耦合电容之第一端电性耦接于接地电位，使耦合电容由第二端耦合负电压至第一位线进行写入操作。

【技术实现步骤摘要】
储存器写入装置及方法
本专利技术是关于储存器操作技术，尤其是关于一种储存器写入装置及方法。
技术介绍
静态随机存取储存器(StaticRandomAccessMemory；SRAM)是随机存取储存器的一种。常见的静态随机存取储存器包含多个排列为数组形式的储存器单元，并可藉由字符线(word-line)以及成对的位线(bit-line)进行选择，以执行读取或是写入的操作。在写入上，成对位线是以互为反相的位线信号驱动，使相对储存器单元内部一对节点的晶体管关闭与导通，使该对节点产生高低电位的变化，产生储存的状态。先进制程中，传统静态随机存取储存器对于写入能力的要求越来越严苛，由于于其储存器单元中的晶体管间汲取电流以及供应电流的能力越来越趋近，使储存器单元的开关晶体管的电流能力难以写入储存节点。举例而言，当一个节点欲进行电位的拉低时，如果供应电流的晶体管的电流供应能力大于汲取电流的晶体管的电流汲取能力，该节点将难以被拉至正确的低电位，造成储存的状态不正确。
技术实现思路
鉴于先前技术的问题，本专利技术之一目的在于提供一种储存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种储存器写入装置，配置以对被选择之一储存器单元进行一写入操作，该储存器单元电性耦接于二位线，该储存器写入装置包含：/n一耦合电容，具有一第一端以及一第二端；/n一电荷分享电路，配置以于一写入周期之一电荷分享区段中，使该耦合电容之该第一端与该二位线之一第一位线电性耦接，以接收该第一位在线之电荷进行充电；/n一写入驱动电路，配置以自该写入周期中，该电荷分享区段后之一写入驱动区段起将该第一位线以及该耦合电容之该第二端电性耦接；/n一充电电路，配置以在该写入驱动区段使一电压源与该耦合电容之该第一端电性耦接，以使该电压源对该耦合电容充电；以及/n一负电压耦合电路，配置以在该写入周期中，该写入驱动区...

【技术特征摘要】
1.一种储存器写入装置，配置以对被选择之一储存器单元进行一写入操作，该储存器单元电性耦接于二位线，该储存器写入装置包含：
一耦合电容，具有一第一端以及一第二端；
一电荷分享电路，配置以于一写入周期之一电荷分享区段中，使该耦合电容之该第一端与该二位线之一第一位线电性耦接，以接收该第一位在线之电荷进行充电；
一写入驱动电路，配置以自该写入周期中，该电荷分享区段后之一写入驱动区段起将该第一位线以及该耦合电容之该第二端电性耦接；
一充电电路，配置以在该写入驱动区段使一电压源与该耦合电容之该第一端电性耦接，以使该电压源对该耦合电容充电；以及
一负电压耦合电路，配置以在该写入周期中，该写入驱动区段后之一负电压产生区段前使该耦合电容之该第二端电性耦接于接地电位，并在该负电压产生区段使该耦合电容之该第一端电性耦接于该接地电位，进而使该耦合电容由该第二端通过该写入驱动电路耦合一负电压至该第一位线，以对该储存器单元进行该写入操作。


2.如权利要求1所述的储存器写入装置，其中该电荷分享电路以及该写入驱动电路还配置以于该写入周期中使该二位线之一第二位线浮接以维持一高电位，以对该储存器单元进行该写入操作。


3.如权利要求2所述的储存器写入装置，其中该电荷分享电路还包含一第一电荷及一第二电荷分享控制电路以及一第一电荷分享开关及一第二电荷分享开关，该写入驱动电路包含一第一写入驱动控制电路及一第二写入驱动控制电路以及一第一写入驱动开关及一第二写入驱动开关，该第一电荷分享控制电路以及该第一写入驱动控制电路自该电荷分享区段起接收一第一位线控制信号，该第二电荷分享控制电路以及该第二写入驱动控制电路自该电荷分享区段起接收与该第一位线控制信号反相之一第二位线控制信号；
在该电荷分享区段中：
该第一电荷分享控制电路根据一驱动控制信号以及该第一位线控制信号致能该第一电荷分享开关以导通而电性耦接该耦合电容之该第一端以及该第一位线，该第二电荷分享控制电路根据该驱动控制信号以及该第二位线控制信号抑能该第二电荷分享开关以使该第二位线浮接；以及
该第一写入驱动控制电路及该第二写入驱动控制电路根据该驱动控制信号以及该第一位线控制信号及该第二位线控制信号抑能该第一写入驱动开关及该第二写入驱动开关；
在该写入驱动区段中：
该第一电荷分享控制电路及该第二电荷分享控制电路根据反相之该驱动控制信号以及该第一位线控制信号及该第二位线控制信号抑能该第一电荷分享开关及该第二电荷分享开关；
该第一写入驱动控制电路根据反相之该驱动控制信号以及该第一位线控制信号致能该第一写入驱动开关以导通而电性耦接该耦合电容之该第二端以及该第一位线，该第二写入驱动控制电路根据反相之该驱动控制信号以及该第二位线控制信号抑能该第二写入驱动开关，以使该第二位线浮接。


4.如权利要求3所述的储存器写入装置，其中该第一电荷分享控制电路及该第二电荷分享控制电路以及该第一写入驱动控制电路及该第二写入驱动控制电路分别为一逻辑闸，该第一电荷分享开关及该第二电荷分享开关以及该第一写入驱动开关及该第二写入驱动开关分别为一金氧半晶体管或一传输闸。


5.如权利要求2所述的储存器写入装置，其中该电荷分享电路还包含一电荷分享控制电路以及一第一电荷分享开关及一第二电荷分享开关，该写入驱动电路包含一写入驱动控制电路以及一第一写入驱动开关及一第二写入驱动开关，该第一电荷分享开关以及该第一写入驱动开关电性耦接于该第一位线，并自该电荷分享区段起接收一第一位线控制信号，该第二电荷分享开关以及该第二写入驱动开关电性耦接于该第二位线，并自该电荷分享区段起接收与该第一位线控制信号反相之一第二位线控制信号；
在该电荷分享区段中：
该电荷分享控制电路根据一驱动控制信号致能，且该第一电荷分享开关根据该第一位线控制信号致能，以使该第一位线通过该第一电荷分享开关以及该电荷分享控制电路电性耦接该耦合电容之该第一端，该第二电荷分享开关根据该第二位线控制信号抑能，以使该第二位线浮接；以及
该写入驱动控制电路根据该驱动控制信号抑能；
在该写入驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿瑜，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71