存储单元、随机静态存储器及寄存器堆制造技术

本申请提供一种存储单元、随机静态存储器及寄存器堆，存储单元，包括锁存器和受控开关。锁存器包括首尾相接的第一反相器和第二反相器；受控开关设置于第二反相器中电压上拉部分结构与工作电源之间，用于在进行写操作时断开第二反相器中电压上拉部分结构与所述工作电源之间的连接。这样，可以在进行写操作时，断开第二反相器中电压上拉部分结构与工作电源之间的连接。这样，使得在对第二反相器中的数据存储点进行写操作时，第二反相器中电压上拉部分结构的数据拉动能力得以极大的削弱，从而使得数据可以更容易地写入第二反相器中的数据存储点处，从而在一定程度上提高了存储单元的性能。

【技术实现步骤摘要】
存储单元、随机静态存储器及寄存器堆
本申请涉及存储器领域
，具体而言，涉及一种存储单元、随机静态存储器及寄存器堆。
技术介绍
随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。SRAM只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。参见下图1所示，下图1示出了一种现有的6晶体管(6T)组成的存储单元，其中：WL：表示的是字线(wordline)；BL/BLB：是一对位线；PU和PD，PU_X和PD_X构成了首尾相接的两个反相器，即一个反相器输出接到另一个反相器的输入，反之亦然。Q和QB：由于两个反相器的首尾相接，构成了一个锁存器，没有外部影响时，Q和QB可以非常稳定的存储数据，两者互补，例如Q＝0时，QB＝1。上述6T存储单元在读数据时，假设Q＝0，读数据之前WL＝0，BL＝BLB＝Float1(即充电到1之后，关断充电电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：/n锁存器，包括首尾相接的第一反相器和第二反相器；/n受控开关，设置于所述第二反相器中电压上拉部分结构与工作电源之间，用于在进行写操作时断开所述电压上拉部分结构与所述工作电源之间的连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
锁存器，包括首尾相接的第一反相器和第二反相器；
受控开关，设置于所述第二反相器中电压上拉部分结构与工作电源之间，用于在进行写操作时断开所述电压上拉部分结构与所述工作电源之间的连接。


2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：
写字线，与所述受控开关连接，用于在进行写操作时输出逻辑高电平，在进行读操作时输出逻辑低电平或不输出逻辑电平；
所述受控开关，用于在接收到所述写字线输出的逻辑低电平时，导通所述电压上拉部分结构与所述工作电源之间的连接，在接收到所述写字线输出的逻辑高电平时，断开所述电压上拉部分结构与所述工作电源之间的连接。


3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述受控开关为晶体管，所述写字线与所述晶体管的栅极连接。


4.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：
写位线，用于在进行写操作时输出逻辑电平；
第一晶体管，源极与所述第二反相器的第一数据存储点连接，漏极与所述写位线连接，用于在进行写操作时连通所述写位线与所述第一数据存储点，以将所述写位线输出的逻辑电平写入所述第一数据存储点。


5.如权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述第一晶体管还用于，在进行读操作时，断开所述写位线与所述第一数据存储点之间的连接。


6.如权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述第一晶体管的电压拉动能力大于所述第二反相器中电压上拉部分结构的电压拉动能力。


7.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第二反相器中电压上拉部分结构的电压拉动能力小于等于所述第二反相器中电压下拉部分结构的电压拉动能力。


8.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一反相器中电压上拉部分结构的电压拉动能力小于等于所述第一反相器中电压下拉部分结构的电压拉动能力。


9.如权利要求1-8任一项所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：
第二晶体管，源极与所述第一反相器的第二数据存储点连接；
字线，与所述第二晶体管的栅极连接，用于在进行读操作或进行写操作时，控制所述第二晶体管导通；
位线，与所述第二晶体管的漏极连接。


10.如权利要求9所述的存储单元，其特征在于，所述第一反相器中电压下拉部分结构的电压拉动能力大于所述第二反相器中电压下拉部分结构的电压拉动能力。


11.如权利要求9所述的存储单元，其特征在于，所述第二晶体管的电压拉动能力大于所述第一反相器中电压上拉部分结构的电压拉动能力。


12.如权利要求4-6任一项所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：
第二晶体管，源极与所述第一反相器的第二数据存储点连接；
字线，与所述第二晶体管的栅极连接，用于在进行读操作或进行写操作时，控制所述第二晶体管导通；
位线，与所述第二晶体管的漏极连接；其中，
所述第二晶体管的电压拉动能力大于所述第一晶体管的电压拉动能力。


13.如权利要求4-6任一项所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：
第二晶体管，源极与所述第一反相器的第二数据存储点连接；
字线，与所述第二晶体管的栅极连接，用于在进行读操作或进行写操作时，控制所述第二晶体管导通；
位线，与所述第二晶体管的漏极连接；其中，
所述第二晶体管和所述第一反相器中电压下拉部分结构的总的电压拉动能力，大于所述第一晶体管和所述第二反相器中电压下拉部分结构的总的电压拉动能力。


14.一种存储单元，其特征在于，包括：
锁存器，具有首尾相接的第一反相器和第二反相器；
第一晶体管，源极与所述第二反相器的第一数据存储点连接；
写位线，与所述第一晶体管的漏极连接，用于在进行读操作时，断开所述写位线与所述第一数据存储点之间的连接；
位线，通过第二晶体管与所述第一反相器的第二数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄瑞锋，郁康明，胡菊芳，钟坚，
申请(专利权)人：海光信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11