静态随机存取存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种静态随机存取存储器装置，包含两反相器和第一至第三晶体管。第一反相器的第一端耦接在第一数据节点，而第二端耦接在第二数据节点。第二反相器的第一端耦接在第二数据节点，而第二端耦接在第一数据节点。第一晶体管包含耦接在第一数据节点的第一端、第二端以及控制端。第二晶体管包含耦接在第一晶体管的第二端的第一端，耦接在第一位线的第二端，以及控制端。第三晶体管包含耦接在第一晶体管的第二端和第二晶体管的第一端之间的第一端、第二端以及耦接在第一数据节点的控制端。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器装置
本专利技术涉及一种静态随机存取存储器装置，尤其涉及一种具保持电路的静态随机存取存储器装置。
技术介绍
在一嵌入式静态随机存取存储器(embeddedstaticrandomaccessmemory，embeddedSRAM)中，包含有逻辑电路(logiccircuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种易失性(volatile)的存储器单元(memorycell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储器单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属易失性存储器的动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快，因此有在计算机系统中当作快取存储器(cachememory)等的应用。...

【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储器单元，其包含：/n第一反相器，其包含：/n第一端，耦接在第一数据节点；以及/n第二端，耦接在第二数据节点；/n第二反相器，其包含：/n第一端，耦接在该第二数据节点；以及/n第二端，耦接在该第一数据节点；/n第一晶体管，其包含：/n第一端，耦接在该第一数据节点；/n第二端；以及/n控制端；/n第二晶体管，其包含：/n第一端，耦接在该第一晶体管的该第二端；/n第二端，耦接在第一位线；以及/n控制端；以及/n第三晶体管，其包含：/n第一端，耦接在该第一晶体管的该第二端和该第二晶体管的该第一端之间；/n第二端；以及/n控制端，耦接在该第一数据节点。/n

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器单元，其包含：
第一反相器，其包含：
第一端，耦接在第一数据节点；以及
第二端，耦接在第二数据节点；
第二反相器，其包含：
第一端，耦接在该第二数据节点；以及
第二端，耦接在该第一数据节点；
第一晶体管，其包含：
第一端，耦接在该第一数据节点；
第二端；以及
控制端；
第二晶体管，其包含：
第一端，耦接在该第一晶体管的该第二端；
第二端，耦接在第一位线；以及
控制端；以及
第三晶体管，其包含：
第一端，耦接在该第一晶体管的该第二端和该第二晶体管的该第一端之间；
第二端；以及
控制端，耦接在该第一数据节点。


2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其中该第二晶体管的掺杂类型相异于该第三晶体管的掺杂类型。


3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其中该第一晶体管的掺杂类型相同于该第二晶体管的掺杂类型。


4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其中：
该第一晶体管和该第二晶体管具有第一掺杂类型；
该第三晶体管具有第二掺杂类型；且
该第一掺杂类型相异于该第二掺杂类型。


5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其中：
该第二晶体管的该控制端耦接至第一字线；
该第一晶体管的该控制端耦接至第二字线；而
该第一字线垂直于该第二字线。


6.如权利要求1所述的静态随机存取...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱子育，陈信彣，莫亚楠，陈元辉，蔡忠政，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71