一种化学刻蚀和显影专用的花篮制造技术

技术编号:28519936 阅读:29 留言:0更新日期:2021-05-19 23:56
本实用新型专利技术提供一种化学刻蚀和显影专用的花篮,属于刻蚀花篮技术领域,该化学刻蚀和显影专用的花篮包括花篮主体,所述花篮主体的内侧壁开设有放置槽,所述花篮主体的一侧开设有刻蚀口,所述花篮主体的外表面开设有滑槽,所述滑槽的内部活动连接有放置板。该化学刻蚀和显影专用的花篮,通过滑槽、放置板、拨板、活动孔和隔板的设置,在使用时,先拨动拨板将放置板移动在滑槽的顶端,再将刻蚀元件放置在放置槽内,向下拨动拨板使刻蚀元件完全进入刻蚀花篮内,再将隔板推进活动孔内后放进刻蚀液中,刻蚀完成后,推开隔板向上拨动拨板使刻蚀元件从花篮主体伸出,避免了夹持元件造成的破坏,大大提高了工作效率。大大提高了工作效率。大大提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种化学刻蚀和显影专用的花篮


[0001]本技术属于刻蚀花篮
,具体涉及一种化学刻蚀和显影专用的花篮。

技术介绍

[0002]光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀将光掩模上的图形转移到所在衬底上,刻蚀最常用分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。
[0003]湿法刻蚀通常将所需刻蚀器件先固定在刻蚀花篮中再放入刻蚀液中浸泡,而现有的刻蚀花篮固定和取出不方便,在刻蚀后常常会破坏元件,造成损失,并且排气散热不好,当刻蚀元件在刻蚀液中会放出热量和气体,容易造成腐蚀不均匀现象。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种化学刻蚀和显影专用的花篮,旨在解决现有技术中取出不方便,在刻蚀后常常会破坏元件,排气散热不好,腐蚀不均匀的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种化学刻蚀和显影专用的花篮,包括花篮主体,所述花篮主体的内侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学刻蚀和显影专用的花篮,包括花篮主体(1),其特征在于:所述花篮主体(1)的内侧壁开设有放置槽(2),所述花篮主体(1)的一侧开设有刻蚀口(3),所述花篮主体(1)的外表面开设有滑槽(4),所述滑槽(4)的内部活动连接有放置板(5),所述放置板(5)的一侧固定连接有拨板(6),所述花篮主体(1)的一侧开设有活动孔(7),所述活动孔(7)的内部活动连接有隔板(8),所述隔板(8)的一侧固定连接有辅助块(9)。2.根据权利要求1所述的一种化学刻蚀和显影专用的花篮,其特征在于:所述放置板(5...

【专利技术属性】
技术研发人员:明静张敏
申请(专利权)人:深圳微纳电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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