【技术实现步骤摘要】
一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置
[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置。
技术介绍
[0002]随着半导体器件的高度集成，人们对降低半导体器件的生产成本和提高半导体良率的要求越来越高。在半导体制造工艺过程中，某些工序需要高温，如晶格缺陷修复、掺杂物激活和最小化掺杂物扩散等等，但是高温会使已经进入硅片的杂质发生不希望的再分布。采用快速热处理工艺，可以使硅片表面温度在极短的时间内加热到极高的温度，从而减小该类杂质的再分布。在实现快速热处理时，对应不同制成需求需要满足对应的腔体压力。
[0003]现有快速热处理装置在对腔体压力进行控制时，往往采用单一的控制阀进行压力控制，难以满足反应腔体的精确的压力控制。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体压腔控制装置和快速热处理装置，以改善现有单一控制阀控制反应腔体压力时，控制精度较差的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体压腔控制装置，其特征在于，包括增压装置、管路、粗调阀和精调阀；在所述管路的两端分别设置有相互连通的第一接口和第二接口，所述第一接口与所述增压装置连接，所述第二接口用于连接反应箱的半导体腔室；所述粗调阀和所述精调阀分别设置于所述管路上，用于分别调节所述半导体腔室的压力。2.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，所述精调阀位于所述增压装置和所述粗调阀之间。3.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，所述粗调阀为蝴蝶阀。4.如权利要求1所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，所述精调阀为针型阀或球型阀。5.如权利要求1至4任一项所述的半导体压腔控制装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器分别与所述粗调阀和所述精调阀电连接，用于在调节所述半导体腔室压力时，先调节所述粗调阀的阀门至第一预设开口后，再调节所述精调阀的阀门至第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡裕棠，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：新型
国别省市：
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