激光晶化装置制造方法及图纸

实施例的激光晶化装置可包括：激光发生部，用于输出第一激光束和第二激光束；匀化部，用于接收由所述激光发生部输出的所述第一激光束和所述第二激光束并使之匀化；光学系统，用于接收经过所述匀化部的所述第一激光束和所述第二激光束并使之光转换；以及基板收容部，用于收容所述光转换后的所述第一激光束和所述第二激光束所照射的基板，所述第一激光束和所述第二激光束具有长轴和短轴，所述第一激光束和所述第二激光束可以以在沿所述长轴的方向上具有不同入射角度的方式被输入到所述匀化部。匀化部。匀化部。

【技术实现步骤摘要】
激光晶化装置


[0001]本公开涉及一种激光晶化装置，更详细而言，涉及一种用于将非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的激光晶化装置。

技术介绍

[0002]一般而言，非晶硅(a-Si)具有作为电荷载体的电子的迁移率及开口率低且不符合CMOS工艺的缺点。相反，多晶硅(Poly-Si)能够将非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)中无法实现的将图像信号输入到像素时所需的驱动电路设置在基板上。因此，多晶硅薄膜元件不需要多个端子与驱动集成电路之间的连接，从而能提高生产率和可靠性并能减小面板的厚度。
[0003]作为在低温条件下制造这种多晶硅薄膜晶体管的方法，具有固相晶化法(Solid Phase Crystallization，SPC)、金属诱导晶化法(Metal Induced Crystallization，MIC)、金属诱导横向晶化法(Metal Induced Lateral Crystallization，MILC)和准分子激光热处理法(Excimer Laser Annealing，ELA)等。特别在有机发光显示装置(OLED)或液晶显示装置(L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光晶化装置，包括：激光发生部，用于输出第一激光束和第二激光束；匀化部，用于接收由所述激光发生部输出的所述第一激光束和所述第二激光束并使之匀化；光学系统，用于接收经过所述匀化部的所述第一激光束和所述第二激光束并使之光转换；以及基板收容部，用于收容所述光转换后的所述第一激光束和所述第二激光束所照射的基板，所述第一激光束和所述第二激光束具有长轴和短轴，所述第一激光束和所述第二激光束以在沿所述长轴的方向上具有不同入射角度的方式被输入到所述匀化部。2.根据权利要求1所述的激光晶化装置，其中，经过所述光学系统的第一部分的所述第一激光束照射所述基板上的第一位置，经过所述光学系统的所述第一部分的所述第二激光束照射所述基板上的第二位置，所述第一位置和所述第二位置彼此不同。3.根据权利要求2所述的激光晶化装置，其中，所述第一激光束和所述第二激光束沿与所述短轴平行的方向扫描，所述匀化部和所述光学系统不沿所述长轴振动。4.根据权利要求3所述的激光晶化装置，其中，所述激光发生部包括：用于输出激光束的第一发光部；用于接收所述激光束的第一准直部；和用于分割由所述第一准直部输出的所述激光束的分割器，所述激光束通过所述分割器以具有不同入射角度的方式分割成所述第一激光束和所述第二激光束。5.根据权利要求4所述的激光晶化装置，其中，所述分割后的所述第一激光束和所述第二激光束被输入到所述匀化部中的在沿所述长轴的方向上相同的位置。6.根据权利要求4所述的激光晶化装置，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：三宫晓史，柳济吉，韩圭完，李惠淑，崔银善，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：